玻璃釉成膜工藝的改進
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針對厚膜混合集成電路在高強度溫度應力下出現(xiàn)成膜基板上元器件錫焊區(qū)附近導電帶斷裂現(xiàn)象,通過分析認為是材料膨脹系數(shù)不同及錫焊熔融導電帶膜層所致,根據失效機理對玻璃釉成膜工藝進行了改進,在后續(xù)的工藝流片中錫焊區(qū)附近導電帶未再次出現(xiàn)斷裂現(xiàn)象,保證了厚膜混合集成電路質量和良品率。
ZnO電阻片側面玻璃釉的研究
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本研究采用三元系的玻璃料作為ZnO電阻片的側面絕緣材料,通過對材料的配方與工藝的研究,試制出與ZnO電阻片側面結合良好,光滑、耐污、耐潮的玻璃釉,提高了側面耐電壓性能,充分發(fā)揮了ZnO電阻片本體對大電流的耐受能力.使電阻片的大電流達到了國際標準的要求.
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