更新日期: 2025-03-17

DC-DC轉(zhuǎn)換器中功率溝槽MOSFET的優(yōu)化設(shè)計(jì)

格式:pdf

大?。?span id="aohqlv1" class="single-tag-height" data-v-09d85783>67KB

頁數(shù):4P

人氣 :74

DC-DC轉(zhuǎn)換器中功率溝槽MOSFET的優(yōu)化設(shè)計(jì) 4.6

利用工藝和器件模擬軟件TSUPREM-4和MEDICI,研究了工藝參數(shù)對DC-DC轉(zhuǎn)換器中的功率溝槽MOSFET的通態(tài)電阻Ron、柵-漏電容Cgd的影響以及柵-漏電荷Qgd在開關(guān)過程中的變化,指出了在設(shè)計(jì)和工藝上減小通態(tài)電阻Ron和柵-漏電容Cgd,提高器件綜合性能的途徑。

溝槽柵功率MOSFET導(dǎo)通電阻的模擬研究 溝槽柵功率MOSFET導(dǎo)通電阻的模擬研究 溝槽柵功率MOSFET導(dǎo)通電阻的模擬研究

溝槽柵功率MOSFET導(dǎo)通電阻的模擬研究

格式:pdf

大?。?span id="7dlj89o" class="single-tag-height" data-v-09d85783>823KB

頁數(shù):5P

為了進(jìn)一步降低溝槽柵功率mos器件的導(dǎo)通電阻,提出了一種改進(jìn)的trenchmosfet結(jié)構(gòu).借助成熟的器件仿真方法,詳細(xì)分析了外延層雜質(zhì)摻雜對器件導(dǎo)通電阻和擊穿電壓的影響,通過對常規(guī)trenchmosfet和這種改進(jìn)的結(jié)構(gòu)進(jìn)行仿真和比較,得出了擊穿電壓和導(dǎo)通電阻折中效果較好的一組器件參數(shù).模擬結(jié)果表明,在擊穿電壓基本相當(dāng)?shù)那闆r下,新結(jié)構(gòu)的導(dǎo)通電阻較之于常規(guī)結(jié)構(gòu)降低了18.8%.

溝槽柵低壓功率MOSFET的發(fā)展(下)——減小器件優(yōu)值FOM 溝槽柵低壓功率MOSFET的發(fā)展(下)——減小器件優(yōu)值FOM 溝槽柵低壓功率MOSFET的發(fā)展(下)——減小器件優(yōu)值FOM

溝槽柵低壓功率MOSFET的發(fā)展(下)——減小器件優(yōu)值FOM

格式:pdf

大小:876KB

頁數(shù):6P

隨著微電子行業(yè)的發(fā)展,微處理器正在代代更新,其性能更是迅速提高(如工作頻率越來越高等),這就要求其電流不斷增大。同時(shí),為了降低功耗,電源電壓必須不斷降低。下一代處理器的供電電壓將會(huì)降到1.1v~1.8v,電流處理能力將達(dá)到

編輯推薦下載

Rohm發(fā)布首款溝槽式碳化硅MOSFET Rohm發(fā)布首款溝槽式碳化硅MOSFET Rohm發(fā)布首款溝槽式碳化硅MOSFET

Rohm發(fā)布首款溝槽式碳化硅MOSFET

格式:pdf

大?。?span id="uoi7f2d" class="single-tag-height" data-v-09d85783>46KB

頁數(shù):未知

Rohm發(fā)布首款溝槽式碳化硅MOSFET 4.7

rohm最新發(fā)表了他們首次采用溝槽式結(jié)構(gòu)研制并大批量生產(chǎn)了碳化硅mosfet。與傳統(tǒng)平面式碳化硅mosfet相比,同樣芯片尺寸條件下,導(dǎo)通電阻降低了50%,極有可能也能大幅降低許多設(shè)備的功率損耗,如工業(yè)用轉(zhuǎn)換器和電源,電源和太陽能電力系統(tǒng)的電力調(diào)制器,太陽能功率系統(tǒng)調(diào)制器。近些年,世界范圍內(nèi)越來越多的研究開始關(guān)注電力供應(yīng)的解決方案,其中主要研究電源供應(yīng)的轉(zhuǎn)換和已產(chǎn)生電力的高效輸運(yùn)。碳化硅功率器件因?yàn)槟?/p>

立即下載
相位補(bǔ)償型電光A/D轉(zhuǎn)換器的優(yōu)化設(shè)計(jì) 相位補(bǔ)償型電光A/D轉(zhuǎn)換器的優(yōu)化設(shè)計(jì) 相位補(bǔ)償型電光A/D轉(zhuǎn)換器的優(yōu)化設(shè)計(jì)

相位補(bǔ)償型電光A/D轉(zhuǎn)換器的優(yōu)化設(shè)計(jì)

格式:pdf

大小:539KB

頁數(shù):未知

相位補(bǔ)償型電光A/D轉(zhuǎn)換器的優(yōu)化設(shè)計(jì) 4.8

提出了一種可以提高泰勒型電光a/d轉(zhuǎn)換器有效位的方案,其原理是用相位補(bǔ)償?shù)闹苯愚D(zhuǎn)向波導(dǎo)或分支波導(dǎo)代替?zhèn)鹘y(tǒng)的s-彎曲波導(dǎo)。采用有限差分束傳輸法設(shè)計(jì)出由質(zhì)子交換工藝制作的高折射率微棱鏡進(jìn)行相位補(bǔ)償?shù)?位電光a/d轉(zhuǎn)換器的波導(dǎo)結(jié)構(gòu),利用保角變換方法對調(diào)制電極參數(shù)進(jìn)行優(yōu)化。最后得到優(yōu)化結(jié)構(gòu)參數(shù)為設(shè)計(jì)4-6位的高速電光a/d轉(zhuǎn)換器提供了理論依據(jù),同時(shí)也得到了一些對實(shí)際設(shè)計(jì)有一定指導(dǎo)意義的結(jié)論。

立即下載

DCDC轉(zhuǎn)換器中功率溝槽MOSFET的優(yōu)化設(shè)計(jì)熱門文檔

相關(guān)文檔資料 1113800 立即查看>>
帶開關(guān)控制器的電流鏡及SENSEFET功率MOSFET 帶開關(guān)控制器的電流鏡及SENSEFET功率MOSFET 帶開關(guān)控制器的電流鏡及SENSEFET功率MOSFET

帶開關(guān)控制器的電流鏡及SENSEFET功率MOSFET

格式:pdf

大小:55KB

頁數(shù):1P

帶開關(guān)控制器的電流鏡及SENSEFET功率MOSFET 4.4

應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(onsemiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號:onnn)推出帶開關(guān)控制器的電流鏡cat2300,將這器件與安森美半導(dǎo)體的ntmfs4833ns或ntmfs4854nssensefet功率mosfet器件結(jié)合使用,能提供緊湊、高能效的電流監(jiān)控方案。這些新器件的組合提供系統(tǒng)級電源管理,用于便攜計(jì)算機(jī)及網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等應(yīng)用。

立即下載
中等電壓MOSFET器件 中等電壓MOSFET器件 中等電壓MOSFET器件

中等電壓MOSFET器件

格式:pdf

大?。?span id="wde61pt" class="single-tag-height" data-v-09d85783>331KB

頁數(shù):未知

中等電壓MOSFET器件 4.5

飛兆半導(dǎo)體公司擴(kuò)展powertrenchmosfet系列,這些產(chǎn)品屬于中等電壓mosfet產(chǎn)品系列成員,是結(jié)合低柵極電荷、低反向恢復(fù)電荷和軟反向恢復(fù)體二極管的優(yōu)化功率開關(guān)產(chǎn)品,可以實(shí)現(xiàn)快速開關(guān)。這些器件備有40v、60v和80v額定電壓型款,

立即下載
智能協(xié)議轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì) 智能協(xié)議轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì) 智能協(xié)議轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)

智能協(xié)議轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)

格式:pdf

大小:756KB

頁數(shù):3P

智能協(xié)議轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì) 4.7

針對工業(yè)控制系統(tǒng)中一些智能設(shè)備因通信協(xié)議不同而無法通信的問題,文章以上位機(jī)與modbus智能設(shè)備通信為例,介紹了一種將rs232協(xié)議轉(zhuǎn)換為modbus協(xié)議的智能協(xié)議轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì),詳細(xì)介紹了該協(xié)議轉(zhuǎn)換器的硬件設(shè)計(jì)及軟件實(shí)現(xiàn)。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,該智能協(xié)議轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)處理速度快,能夠有效地實(shí)現(xiàn)modbus設(shè)備與上位機(jī)之間的通信。

立即下載
溝槽式MOSFET可有效延長移動(dòng)裝置電池壽命 溝槽式MOSFET可有效延長移動(dòng)裝置電池壽命 溝槽式MOSFET可有效延長移動(dòng)裝置電池壽命

溝槽式MOSFET可有效延長移動(dòng)裝置電池壽命

格式:pdf

大?。?span id="xrxid6x" class="single-tag-height" data-v-09d85783>3.6MB

頁數(shù):3P

溝槽式MOSFET可有效延長移動(dòng)裝置電池壽命 4.6

隨著消費(fèi)者對延長電池使用壽命和強(qiáng)大處理能力的期望愈來愈高,智能手機(jī)與平板電腦對充電和電池保護(hù)功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管(mosfet)的需求也同時(shí)與日俱增。其中,電池組保護(hù)電路模塊(pcm)中的共享泄極(common-drain)背對背(back-to-back)功率mosfet能夠?qū)Τ潆?放電進(jìn)行控制,并且可在發(fā)生短路、過電壓、欠電壓以及發(fā)生會(huì)損壞電器的

立即下載
導(dǎo)入閘極屏蔽結(jié)構(gòu)令溝槽式MOSFET功耗銳減 導(dǎo)入閘極屏蔽結(jié)構(gòu)令溝槽式MOSFET功耗銳減 導(dǎo)入閘極屏蔽結(jié)構(gòu)令溝槽式MOSFET功耗銳減

導(dǎo)入閘極屏蔽結(jié)構(gòu)令溝槽式MOSFET功耗銳減

格式:pdf

大?。?span id="h429wi4" class="single-tag-height" data-v-09d85783>5.7MB

頁數(shù):3P

導(dǎo)入閘極屏蔽結(jié)構(gòu)令溝槽式MOSFET功耗銳減 4.6

如何得到更高的系統(tǒng)效率和功率密度,是現(xiàn)代數(shù)據(jù)和電信電源系統(tǒng)的關(guān)鍵,因?yàn)橐粋€(gè)小雨高效率的電源系統(tǒng),可以有效節(jié)省空間與能源費(fèi)用。從拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的角度來看,變壓器將交流電轉(zhuǎn)換成直流電的同步整流,是許多應(yīng)用中開關(guān)電源二次側(cè)的主要模塊架構(gòu),此能改善能源轉(zhuǎn)換中的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗。從元件的角度來看,功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管(mosfet)在過去十年有長足的進(jìn)步,也因而衍生出新的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和高功率密度電源。

立即下載

DCDC轉(zhuǎn)換器中功率溝槽MOSFET的優(yōu)化設(shè)計(jì)精華文檔

相關(guān)文檔資料 1113800 立即查看>>
協(xié)議轉(zhuǎn)換器

協(xié)議轉(zhuǎn)換器

格式:pdf

大?。?span id="ph9blxc" class="single-tag-height" data-v-09d85783>6KB

頁數(shù):2P

協(xié)議轉(zhuǎn)換器 4.4

網(wǎng)關(guān)(gateway)又稱網(wǎng)間連接器、協(xié)議轉(zhuǎn)換器。網(wǎng)關(guān)在傳輸層上以實(shí)現(xiàn)網(wǎng)絡(luò)互連,是最復(fù)雜的網(wǎng)絡(luò)互連設(shè)備, 僅用于兩個(gè)高層協(xié)議不同的網(wǎng)絡(luò)互連。網(wǎng)關(guān)的結(jié)構(gòu)也和路由器類似,不同的是互連層。網(wǎng)關(guān)既可以用于廣 域網(wǎng)互連,也可以用于局域網(wǎng)互連。網(wǎng)關(guān)是一種充當(dāng)轉(zhuǎn)換重任的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)或設(shè)備。在使用不同的通信協(xié) 議、數(shù)據(jù)格式或語言,甚至體系結(jié)構(gòu)完全不同的兩種系統(tǒng)之間,網(wǎng)關(guān)是一個(gè)翻譯器。與網(wǎng)橋只是簡單地傳達(dá) 信息不同,網(wǎng)關(guān)對收到的信息要重新打包,以適應(yīng)目的系統(tǒng)的需求。同時(shí),網(wǎng)關(guān)也可以提供過濾和安全功 能。大多數(shù)網(wǎng)關(guān)運(yùn)行在osi7層協(xié)議的頂層--應(yīng)用層。 大家都知道,從一個(gè)房間走到另一個(gè)房間,必然要經(jīng)過一扇門。同樣,從一個(gè)網(wǎng)絡(luò)向另一個(gè)網(wǎng)絡(luò)發(fā)送信息, 也必須經(jīng)過一道“關(guān)口”,這道關(guān)口就是網(wǎng)關(guān)。顧名思義,網(wǎng)關(guān)(gateway)就是一個(gè)網(wǎng)絡(luò)連接到另一個(gè)網(wǎng)絡(luò)的 “關(guān)口”。 按照不同的分類標(biāo)

立即下載
共漏極雙功率MOSFET封裝研究 共漏極雙功率MOSFET封裝研究 共漏極雙功率MOSFET封裝研究

共漏極雙功率MOSFET封裝研究

格式:pdf

大?。?span id="ts9ca79" class="single-tag-height" data-v-09d85783>685KB

頁數(shù):4P

共漏極雙功率MOSFET封裝研究 4.3

針對適用于鋰電池保護(hù)電路特點(diǎn)要求的共漏極功率mosfet的封裝結(jié)構(gòu)進(jìn)行了研發(fā)和展望。從傳統(tǒng)的tssop-8發(fā)展到替代改進(jìn)型sot-26,一直到芯片級尺寸的微型封裝外形,其封裝效率越來越高,接近100%。同時(shí),在微互連和封裝結(jié)構(gòu)的改進(jìn)方面,逐漸向短引線或焊球無引線、平坦式引腳、超薄型封裝和漏極焊盤散熱片暴露的方向發(fā)展,增強(qiáng)了封裝的電性能和熱性能。

立即下載
新發(fā)明——光電功率轉(zhuǎn)換器 新發(fā)明——光電功率轉(zhuǎn)換器 新發(fā)明——光電功率轉(zhuǎn)換器

新發(fā)明——光電功率轉(zhuǎn)換器

格式:pdf

大小:253KB

頁數(shù):2P

新發(fā)明——光電功率轉(zhuǎn)換器 4.4

目前,把光能直接變?yōu)殡娔苤饕抢霉夥骷?。這種器件又有多種形式,其理論效率20%左右,而實(shí)際效率僅約10%。各種植物的綠葉或藻類細(xì)胞含有某種結(jié)構(gòu),能把光子能轉(zhuǎn)換為包含碳、氫、氧和少量其他元素(如鎂)的化學(xué)能。這種過程就是光合作用,這也是光化轉(zhuǎn)換的一種方式。其他一些利用光電化學(xué)能直接產(chǎn)生電能的方法,其效率為6%到7%,理論效率也只有20%。美國的alvinm.marks發(fā)明了一種和普通光電池根本不同的光電功率轉(zhuǎn)換器。它利用微型偶極天線陣和微型整流器,將光子能直接變?yōu)橹绷麟娔?可將轉(zhuǎn)換效率提高到75%。

立即下載
HDMI、SDI轉(zhuǎn)換器詳細(xì)設(shè)計(jì)

HDMI、SDI轉(zhuǎn)換器詳細(xì)設(shè)計(jì)

格式:pdf

大?。?span id="o09ymwk" class="single-tag-height" data-v-09d85783>6.0MB

頁數(shù):71P

HDMI、SDI轉(zhuǎn)換器詳細(xì)設(shè)計(jì) 4.5

hdmi、sdi轉(zhuǎn)換器詳細(xì)設(shè)計(jì) 摘要 sdi接口是數(shù)字串行接口(serialdigitalinteace)的首字母縮寫。串行接口是把數(shù)據(jù) 字的各個(gè)比特以及相應(yīng)的數(shù)據(jù)通過單一通道順序傳送的接口。由于串行數(shù)字信號的數(shù)據(jù)率很 高,在傳送前必須經(jīng)過處理。 hd-sdi是由支持普通標(biāo)清節(jié)目格式的sdi接口發(fā)展而來,它主要支持1080i,720p分辨率 的一般高清分辨率數(shù)字節(jié)目的傳輸,在此發(fā)展基礎(chǔ)上還有支持全高清即1080p分辨率視頻傳 輸?shù)?g-sdi。相比于一般的視頻傳輸接口,hd-sdi雖然也具有支持格式偏少和支持色空間偏 小的一些缺點(diǎn),由于全程為串行傳輸,具有極其良好的抗干擾性,特別適合于數(shù)字節(jié)目的長距 離傳輸。hd-sdi的上下游設(shè)備連接采用廣播式的傳輸方式,不設(shè)置握手對話信號,下游設(shè)備 完全受源端主導(dǎo)。 hd-sdi側(cè)重長距離傳輸,hdm

立即下載
面向照明及開關(guān)電源應(yīng)用的功率MOSFET 面向照明及開關(guān)電源應(yīng)用的功率MOSFET 面向照明及開關(guān)電源應(yīng)用的功率MOSFET

面向照明及開關(guān)電源應(yīng)用的功率MOSFET

格式:pdf

大?。?span id="noffugj" class="single-tag-height" data-v-09d85783>68KB

頁數(shù):1P

面向照明及開關(guān)電源應(yīng)用的功率MOSFET 4.6

supermesh3功率mosfet主要用于鎮(zhèn)流器的功率因數(shù)校正器和半橋電路以及開關(guān)電源內(nèi)。620v的stx6n62k3是supermesh3系列的首款產(chǎn)品,后續(xù)產(chǎn)品有620v的stx3n62k3和525v的stx7n52k3和stx6n52k3。supermesh3技術(shù)可以降低導(dǎo)通電阻,在620v電壓下,dpak封裝的std6n62k3把導(dǎo)通電阻降低到1.28ω;在525v電壓下,std7n52k3把導(dǎo)通電阻降低到0.98ω,從而提高節(jié)能燈鎮(zhèn)流器等照明應(yīng)用的工作能效。

立即下載

DCDC轉(zhuǎn)換器中功率溝槽MOSFET的優(yōu)化設(shè)計(jì)最新文檔

相關(guān)文檔資料 1113800 立即查看>>
VGA轉(zhuǎn)DVI信號轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì) VGA轉(zhuǎn)DVI信號轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì) VGA轉(zhuǎn)DVI信號轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)

VGA轉(zhuǎn)DVI信號轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)

格式:pdf

大?。?span id="56aujwk" class="single-tag-height" data-v-09d85783>599KB

頁數(shù):4P

VGA轉(zhuǎn)DVI信號轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì) 4.7

隨著以lcd和其他數(shù)字平板顯示技術(shù)的飛速發(fā)展,數(shù)字視頻接口逐漸地被人們廣泛應(yīng)用。本文選擇intersil公司的isl98003作為模數(shù)轉(zhuǎn)換芯片,采用單片機(jī)upsd3234控制,完成了模擬轉(zhuǎn)數(shù)字視頻信號轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)。模數(shù)轉(zhuǎn)換器內(nèi)置adc及pll電路,將模擬的視頻信號轉(zhuǎn)化成數(shù)字信號,并針對crt顯示的值進(jìn)行校正,得到適合lcd象素特性的灰度信號。

立即下載
對使用銅絲鍵合的功率MOSFET進(jìn)行失效分析 對使用銅絲鍵合的功率MOSFET進(jìn)行失效分析 對使用銅絲鍵合的功率MOSFET進(jìn)行失效分析

對使用銅絲鍵合的功率MOSFET進(jìn)行失效分析

格式:pdf

大?。?span id="3dgnig7" class="single-tag-height" data-v-09d85783>5.5MB

頁數(shù):3P

對使用銅絲鍵合的功率MOSFET進(jìn)行失效分析 4.5

由于銅絲鍵合可以替代金鍵合,價(jià)格又便宜,正在被越來越多地應(yīng)用到微電子元器件當(dāng)中。目前的情況表明銅是可行的替代品,但是證明其可靠性還需要采用針對銅絲鍵合工藝的新型失效分析(fa)技術(shù)。在本文中,我們將討論一些專門為使用銅絲技術(shù)的元器件而開發(fā)的新型失效分析技術(shù)和工序。我們會(huì)將解釋為什么銅絲的處理方式和金絲不一樣,并且以功率mosfet器件為例,循序漸進(jìn)地了解失效分析的過程,保存對失效器件進(jìn)行有效分析所需要的所有證據(jù)。

立即下載
低功率的吉赫高速模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器 低功率的吉赫高速模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器 低功率的吉赫高速模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器

低功率的吉赫高速模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器

格式:pdf

大小:60KB

頁數(shù):未知

低功率的吉赫高速模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器 4.6

低功率的吉赫高速模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器

立即下載
應(yīng)用于汽車頭燈的LED功率轉(zhuǎn)換器 應(yīng)用于汽車頭燈的LED功率轉(zhuǎn)換器 應(yīng)用于汽車頭燈的LED功率轉(zhuǎn)換器

應(yīng)用于汽車頭燈的LED功率轉(zhuǎn)換器

格式:pdf

大?。?span id="mnetkvz" class="single-tag-height" data-v-09d85783>1.1MB

頁數(shù):3P

應(yīng)用于汽車頭燈的LED功率轉(zhuǎn)換器 4.3

近年來led在很多產(chǎn)品應(yīng)用上正逐步取代傳統(tǒng)的白熾光源,由于具備非常優(yōu)異的節(jié)能效率,因此led已被視為照明技術(shù)未來的發(fā)展重點(diǎn)。在過往led主要使用在汽車儀表板上警示燈號或是類似的應(yīng)用。隨著高亮度led技術(shù)的發(fā)展,不僅使這些光源能夠擴(kuò)大到汽車的內(nèi)部照明,而且還包括方向燈、尾燈及煞車燈。由于led具備省電,維修需求低及更高的設(shè)計(jì)靈活性等特色,預(yù)計(jì)大多數(shù)的汽車制造商將會(huì)轉(zhuǎn)而使用led技術(shù)來提供各項(xiàng)頭燈功能。

立即下載
NS推出超低功率的數(shù)字/模擬轉(zhuǎn)換器系列 NS推出超低功率的數(shù)字/模擬轉(zhuǎn)換器系列 NS推出超低功率的數(shù)字/模擬轉(zhuǎn)換器系列

NS推出超低功率的數(shù)字/模擬轉(zhuǎn)換器系列

格式:pdf

大?。?span id="injzdxg" class="single-tag-height" data-v-09d85783>66KB

頁數(shù):未知

NS推出超低功率的數(shù)字/模擬轉(zhuǎn)換器系列 4.8

日前,美國國家半導(dǎo)體公司(ns)宣布推出六款全新的8、10及12位超低功率雙通道及4通道數(shù)字/模擬轉(zhuǎn)換器。新產(chǎn)品的推出使該公司的數(shù)字/模擬轉(zhuǎn)換器系列有更多不同的型號可供選擇,均提供3mm×3mm的小型llp及msop兩種不同封裝。

立即下載
RF電源轉(zhuǎn)換器 RF電源轉(zhuǎn)換器 RF電源轉(zhuǎn)換器

RF電源轉(zhuǎn)換器

格式:pdf

大小:310KB

頁數(shù):1P

RF電源轉(zhuǎn)換器 4.6

高效率lm3263降壓轉(zhuǎn)換器和lm3279升降壓轉(zhuǎn)換器可顯著降低rf功率放大器的散熱及功耗,不但可延長電池使用壽命,而且還可延長通話時(shí)間,充分滿足2g、3g以及4glte智能手機(jī)、平板電腦以及數(shù)據(jù)卡的應(yīng)用需求。

立即下載
基于ARM的通信協(xié)議轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì) 基于ARM的通信協(xié)議轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì) 基于ARM的通信協(xié)議轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)

基于ARM的通信協(xié)議轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)

格式:pdf

大小:498KB

頁數(shù):3P

基于ARM的通信協(xié)議轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì) 4.6

提出一種基于arm9處理器的電力系統(tǒng)通信協(xié)議轉(zhuǎn)換裝置的設(shè)計(jì)方案。具體闡述該方案的工作原理、主要特點(diǎn)、總體設(shè)計(jì)、硬件電路和軟件設(shè)計(jì)。

立即下載
基于HART協(xié)議的礦用信號轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì) 基于HART協(xié)議的礦用信號轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì) 基于HART協(xié)議的礦用信號轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)

基于HART協(xié)議的礦用信號轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)

格式:pdf

大小:264KB

頁數(shù):3P

基于HART協(xié)議的礦用信號轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì) 4.5

介紹了一種基于hart協(xié)議的礦用信號轉(zhuǎn)換器的硬件和軟件設(shè)計(jì)。該轉(zhuǎn)換器以c8051f040單片機(jī)為中央處理器,實(shí)現(xiàn)了與使用hart協(xié)議的傳感器的通信,可將傳感器的測量信號通過數(shù)碼管現(xiàn)場顯示出來,并兼有量程設(shè)置、報(bào)警值設(shè)置、頻率輸出和can總線輸出等功能。

立即下載
基于單片機(jī)的協(xié)議轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì) 基于單片機(jī)的協(xié)議轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì) 基于單片機(jī)的協(xié)議轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)

基于單片機(jī)的協(xié)議轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)

格式:pdf

大?。?span id="92xckkp" class="single-tag-height" data-v-09d85783>376KB

頁數(shù):3P

基于單片機(jī)的協(xié)議轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì) 4.4

闡述了數(shù)據(jù)通信方式的選擇,異步串行通信的定義及設(shè)置,分析了串行接口的實(shí)現(xiàn),詳細(xì)地介紹了基于單片機(jī)協(xié)議轉(zhuǎn)換器的硬件設(shè)計(jì)及其協(xié)議轉(zhuǎn)換,最后歸納了基于單片機(jī)的協(xié)議轉(zhuǎn)換器的優(yōu)點(diǎn),以推廣該轉(zhuǎn)換器的應(yīng)用。

立即下載
多接口協(xié)議轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn) 多接口協(xié)議轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn) 多接口協(xié)議轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

多接口協(xié)議轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

格式:pdf

大?。?span id="z842wbb" class="single-tag-height" data-v-09d85783>508KB

頁數(shù):4P

多接口協(xié)議轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn) 4.7

隨著工業(yè)控制的進(jìn)一步發(fā)展,多個(gè)設(shè)備之間的信息共享和數(shù)據(jù)交換成為一種趨勢,而目前常用的工控設(shè)備通信接口有rs-232、rs-485、can和網(wǎng)絡(luò),由于各接口協(xié)議不同,使得異構(gòu)網(wǎng)絡(luò)之間的操作和信息交換難以進(jìn)行,通過多協(xié)議轉(zhuǎn)換器可以將不同接口設(shè)備組網(wǎng),實(shí)現(xiàn)設(shè)備間的互操作。本文介紹了以ds80c400微處理器為核心的多接口協(xié)議轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)。針對系統(tǒng)功能,著重對軟件設(shè)計(jì)進(jìn)行了分析。并提出利用javaapplet和socket(套接字)實(shí)現(xiàn)協(xié)議轉(zhuǎn)換器的參數(shù)配置,該協(xié)議轉(zhuǎn)換器已運(yùn)用于某系統(tǒng),試運(yùn)行效果良好。

立即下載

DCDC轉(zhuǎn)換器中功率溝槽MOSFET的優(yōu)化設(shè)計(jì)相關(guān)

孟浩

職位:給排水專業(yè)監(jiān)理工程師

擅長專業(yè):土建 安裝 裝飾 市政 園林

DCDC轉(zhuǎn)換器中功率溝槽MOSFET的優(yōu)化設(shè)計(jì)文輯: 是孟浩根據(jù)數(shù)聚超市為大家精心整理的相關(guān)DCDC轉(zhuǎn)換器中功率溝槽MOSFET的優(yōu)化設(shè)計(jì)資料、文獻(xiàn)、知識(shí)、教程及精品數(shù)據(jù)等,方便大家下載及在線閱讀。同時(shí),造價(jià)通平臺(tái)還為您提供材價(jià)查詢、測算、詢價(jià)、云造價(jià)、私有云高端定制等建設(shè)領(lǐng)域優(yōu)質(zhì)服務(wù)。手機(jī)版訪問: DCDC轉(zhuǎn)換器中功率溝槽MOSFET的優(yōu)化設(shè)計(jì)