MOS器件二次擊穿行為的電路級宏模塊建模

一、概述aleniasir-m二次雷達電源部分,+40v、+28v、+12v、-12v、+50v電壓是通過將220v交流電經(jīng)過變壓、整流、濾波、穩(wěn)壓后得到相應的輸出電壓。由于二次雷達對電源的

1 第1章電源電路模塊 第1節(jié)變壓器電源電路（mcu+rs485） 1.1電路名稱 變壓器電源電路（mcu+rs485）。 1.2電路概述 變壓器輸出電源電路，是將市電利用變壓器的降壓以及后續(xù)的整流穩(wěn)壓輸出低壓直流電的功能電 源電路。本文針對公司靜止式電能表、預付費電能表等產(chǎn)品中，普遍使用的輸出提供mcu計量和 rs485通信的兩路負載需要的變壓器電源電路作介紹。 火線line，縮寫l 零線neutral，縮寫n 地線earthline，縮寫e 保護接地線protectearthingline，縮寫pe 1.3電路圖及原理分析 1.4myn23-751k 1.5壓敏電阻：主要用途：防雷，過壓保護。如電力變壓器在進戶端放入氧化鋅避雷器可以有效防雷， 電子設備在電網(wǎng)電源輸入端放入壓敏電阻，一但電網(wǎng)電壓升高壓敏電阻會不可恢復擊穿短

序 號 試題內(nèi)容 試題 類型 選項 數(shù)目 過 期 時 1jzxc-480型軌道測試盤上同時只能測試一個軌道電路區(qū)段的()。14 2jzxc-480型軌道電路分路殘壓為（）v。14 3jzxc-480型軌道電路調(diào)整狀態(tài)下，軌道繼電器交流端電壓應（）v。14 4軌道電路的道岔跳線和鋼軌引接線斷股不得超過線總股數(shù)的（）。14 5 在道岔區(qū)段，設于警沖標內(nèi)方的鋼軌絕緣，除雙動道岔渡線上的絕緣外，其安裝位置距警沖 標不得小于（）m。13 6接近連續(xù)式發(fā)碼區(qū)段的外側無軌道電路時，應有（）。13 7 所有列車進路上的道岔區(qū)段，其分支長度超過（）m時（自并聯(lián)起點道岔的叉心算 起），在該分支末端應設接受端。13 8 jzxc-480型軌道電路送電端限流電阻（包括引接線電阻），在道岔區(qū)段，不小于（）

數(shù)字射頻存儲器(drfm)經(jīng)過近30年的發(fā)展,已成為大多數(shù)現(xiàn)代電子干擾系統(tǒng)的核心控制部件。介紹了數(shù)字射頻存儲器(drfm)在干擾機中的應用,總結了drfm的工作原理、實現(xiàn)結構、性能參數(shù)及國內(nèi)外應用現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢,特別是在drfm的基本結構上提出加入調(diào)相處理模塊的設想,可以優(yōu)化干擾機,達到有效干擾的目的。

基于運算放大器構成有源器件,并進一步組成簡單的應用系統(tǒng),如基于混沌掩蓋的保密通信系統(tǒng)等。通過對此系統(tǒng)部分或完整功能的設計,以達到對集成運放相關基本實驗、有源電阻器件、有源電感器件、指定特性非線性電阻反演、特性曲線測量等基本理論和測量環(huán)節(jié)的訓練。該系統(tǒng)由各部分功能電路組合而成,單獨進行功能電路級實驗簡單易于實現(xiàn),而每個模塊電路性能的好壞將直接影響系統(tǒng)功能的實現(xiàn)。系統(tǒng)功能目標驅動的綜合實驗,對于調(diào)動學生積極性、主動探索以及有效地考核實驗效果均起到很好的作用。

模塊二變壓器

隨著集成電路的發(fā)展,器件尺寸進入納米尺度領域,器件性能受到諸多挑戰(zhàn).針對納米cmos器件存在的問題,從可集成性考慮,基于由上而下途徑,從新型雙柵/多柵器件結構角度介紹新型非對稱梯度低摻雜漏垂直溝道雙柵mos器件以及新型圍柵納米線mos器件的研制及特性分析,為下幾代集成電路技術的器件研究提供良好的思路.

針對橫拉接頭角鐵式車床夾具重心和連接盤回轉中心不重合的現(xiàn)象，運用基于pro／e行為建模技術對橫接頭的車床夾具建立了重心與連接盤回轉中心距離的分析特征，對平衡塊的厚度和半徑兩個尺寸對質(zhì)心與回轉軸距離進行了敏感度分析，并在此距離為零的情況下進行了可行性分析，找出了一組解決方案，實現(xiàn)了動平衡中質(zhì)心與回轉軸的重合。

分析了模塊化多電平換流器(mmc)的拓撲結構及原理。基于mmc的橋臂電流,建立了新型的電磁暫態(tài)模型,其中包括橋臂電流中基波分量、直流分量和二次分量的線性化方程。在此模型基礎上,針對mmc橋臂電流中各分量提出相應控制策略,實現(xiàn)了換流器系統(tǒng)的外部功率控制和內(nèi)部環(huán)流控制。通過matlab/simulink對基于所述模型的控制策略進行仿真試驗,結果表明了控制策略的正確性和有效性。

南京第壹有機光電有限公司成功制備出內(nèi)光提取ies-oled白光照明模塊,其能效達111.7im/w,創(chuàng)同類器件世界紀錄。近日,中國高科技產(chǎn)業(yè)化研究會在北京召開成果鑒定會認為,該項目整體技術和系統(tǒng)達到國際先進水平。為提高能效、延長產(chǎn)品壽命,南京第壹公司還自主研發(fā)出優(yōu)化的含微米顆粒的外光提取材料配方,在國際上首先使用簡便、廉價的涂層法,通過改進材

南京第壹有機光電有限公司成功制備出內(nèi)光提取ies-oled白光照明模塊，其能效達111．71m／w，創(chuàng)同類器件世界紀錄。近日，中國高科技產(chǎn)業(yè)化研究會在北京召開成果鑒定會認為，該項目整體技術和系統(tǒng)達到國際先進水平。

我國成功制備出內(nèi)光提取ies-oled白光照明模塊,其能效達111.7流明/瓦,創(chuàng)同類器件世界紀錄。我國成功制備出內(nèi)光提取ies-oled白光照明模塊,其能效達111.7流明/瓦,創(chuàng)同類器件世界紀錄,該項目整體技術和系統(tǒng)達到國際先進水平。oled,即有機發(fā)光二極管,又稱為有機電激光顯示。oled的基本結構是由薄而透明具半導體特性的銦錫氧化物與電力正極相連,再加上另一個金屬陰極,包成如三明治型的結構。當電力供應至適當電壓時,正極空穴與陰極電荷就會在發(fā)光層中結合,產(chǎn)生光亮,依其配方不同產(chǎn)生紅、綠和藍rgb三原色,構成基本色彩。oled的特性是自己發(fā)光,不像tft-lcd需要背光,因此可視度和亮度均高。其次,還具有電壓需求低且省電效率高,反應快、重量輕、厚度薄、構造簡單、成本低等特性。另外,oled可將電能轉化為光能的半導體器件,照明能耗僅為白熾燈的1/6、熒光燈的1/2,與高質(zhì)led燈相當;oled光質(zhì)接近自然光,無熱輻射,不含汞及其他重金屬,無污染及廢棄物處理等問題。

觸摸時序電路器件介紹

利用ug的建模功能和excel的表格功能,研究了一種面向ug/wiring模塊的接插件模型庫創(chuàng)建方法,并討論了接插件端口屬性定義的方法。以j30j-9tj接插件為例說明了這種建模的方法的操作流程,建立了該系列接插件的模型庫,有效的減少了重復工作,提高了設計效率。

特征構造的難題在數(shù)據(jù)挖掘過程中一直存在,傳統(tǒng)固化的特征工程對于業(yè)務場景千變?nèi)f化的數(shù)據(jù)挖掘任務所帶來的效益十分有限,因此解決特征工程的特征構造問題已經(jīng)成為數(shù)據(jù)挖掘的瓶頸之一；尤其在機器學習算法快速發(fā)展的情況下,特征逐漸成為模型中急需重視的部分?；陔娚唐脚_的用戶行為數(shù)據(jù),在原有特征群的基礎上提出了二次組合統(tǒng)計特征的構建方法。利用二次交叉衍生出豐富而又切合業(yè)務場景的特征群,同時結合兩種滑動窗口的方法,分別是定長滑動窗口獲取更多的訓練樣本,變長滑動窗口獲取具有時間權重的訓練特征,以此來最大限度地還原出用戶真實的行為習慣。最后,使用不同的特征組合結合降維的方法建立對照檢驗模型；并利用線性的邏輯回歸模型、線性支持向量機以及樹模型極端隨機森林與xgboost對模型進行交叉驗證。結果表明,組合特征在樹模型的算法中得到了非常好的表達效果；而且無論在線性模型還是樹模型中衍生特征群模型的f1值都優(yōu)于基礎特征群。

片上的在電路仿真器(ice)模塊,對于支持dsp系統(tǒng)的實時仿真和調(diào)試,加快系統(tǒng)開發(fā)進程是至關重要的。文章結合一個通用數(shù)字信號處理器medsp的開發(fā),在基于國際標準的測試jtag接口的基礎上,通過擴展部分jtag接口部分單元和medsp內(nèi)部單元的功能,在很小的代價條件下,設計了medsp處理器的片上ice模塊。仿真結果表明該模塊完全能夠實現(xiàn)對medsp處理器的在電路仿真,而且不影響系統(tǒng)性能。

為了實現(xiàn)水下自主式機器人的控制,設計了一種基于ipm模塊的舵機控制電路。該電路將舵機控制信號與舵機位置反饋信號比較獲得的直流偏置電壓信號作為脈寬調(diào)制芯片uc1637的輸入信號。uc1637根據(jù)輸入直流偏置電壓信號的變化輸出不同占空比的pwm信號驅動ipm模塊內(nèi)部不同igbt的通斷,從而實現(xiàn)舵機的控制。該電路將ipm模塊和脈寬調(diào)制芯片uc1637用于舵機控制,使該電路具有成本低廉和容易實現(xiàn)的優(yōu)點。實驗結果表明,該控制電路運行穩(wěn)定,控制精度高,有很強的應用推廣價值。

繼電器控制電路模塊及原理 （摘自http://www.***.***） 一、能直接帶動繼電器工作的cmos集成塊電路 在電子愛好者認識電路知識的的習慣中，總認為cmos集成塊本身不能直接 帶動繼電器工作，但實際上，部分cmos集成塊不僅能直接帶動繼電器工作，而 且工作還非常穩(wěn)定可靠。本實驗中所用繼電器的型號為jrc5m－dc12v微型密封 的繼電器（其線圈電阻為750ω）?，F(xiàn)將cd4066cmos集成塊帶動繼電器的工作 原理分析如下： cd4066是一個四雙向模擬開關，集成塊scr1～scr4為控制端，用于控制四 雙向模擬開關的通斷。當scr1接高電平時，集成塊①、②腳導通，＋12v→k1→ 集成塊①、②腳→電源負極使k1吸合；反之當scr1輸入低電平時，集成塊①、 ②腳開路，k1失電釋放，scr2～scr4輸入高電平或低電平時狀態(tài)與scr1

對溝道長度從10μm到0.13μm,柵氧化層厚度為2.5nm的halo結構nmos器件的直接隧穿柵電流進行了研究,得到了一個適用于短溝道halo結構mos器件的直接隧穿柵電流模型.隨著溝道尺寸的縮短,源/漏擴展區(qū)占據(jù)溝道的比例越來越大,源漏擴展區(qū)的影響不再可以忽略不計.文中考慮了源/漏擴展區(qū)對直接隧穿柵電流的影響,給出了適用于不同halo摻雜劑量的超薄柵(2~4nm)短溝(0.13~0.25μm)nmos器件的半經(jīng)驗直接隧穿柵電流模擬表達式.

根據(jù)epcclass1generation2協(xié)議和fcc標準,要求發(fā)射模塊的發(fā)射頻率精度為±10×10-6(10ppm),發(fā)射功率在20~30dbm之間。我們用genesis等軟件對發(fā)射模塊的各個部分電路進行設計并繪制pcb板,利用頻譜分析儀等設備對射頻板的發(fā)射模塊進行測試,發(fā)射功率能達到24dbm左右;單音測試時發(fā)射頻率偏差約22hz;調(diào)制信號測試時頻率偏差約3.5khz,其他指標也符合要求。結果表明發(fā)射模塊性能良好,能很好地滿足設計指標要求。

以pm200dsa060型智能功率模塊(ipm)為例,介紹ipm的結構,給出ipm的外圍驅動電路、保護電路和緩沖電路的設計方案,介紹pm200dsa060在單相逆變器中的應用。

分析了我國autocad開發(fā)的現(xiàn)狀,闡述了autocad開發(fā)環(huán)境的變化,介紹了autocad二次開發(fā)語言及工具,探討了運用autolisp語言對autocad進行二次開發(fā)以實現(xiàn)三維地層模型。