SK1-16整流二極管
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SK1-16整流二極管
編號(hào):1202二極管整流焊接
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共2頁(yè)第1頁(yè) 編號(hào):1202 類別:電子技術(shù) 考核項(xiàng)目:二極管整流電路的焊接與調(diào)試 技術(shù)要求: 一、元件選擇和檢查:12分。(考生應(yīng)按圖選擇及檢查元件,如發(fā)現(xiàn)元件損壞務(wù)必及時(shí)更換。) 二、焊接工藝:20分。(由考評(píng)員現(xiàn)場(chǎng)打分:1.布局合理、美觀,焊點(diǎn)光亮、圓滑,大小一致, 得20分;2.布局一般,焊點(diǎn)大小不一,得10分;3.布局雜亂,得5分。) 三、調(diào)試結(jié)果:40分。(在規(guī)定的考試時(shí)間內(nèi)給予兩次通電機(jī)會(huì),得到考評(píng)員許或后,1.第一次 成功得40分;2.第二次成功得20分;3.第二次不成功或放棄不得分。) 四、電氣測(cè)量:按表一中要求進(jìn)行,18分。(調(diào)試成功后進(jìn)行,由考評(píng)員抽查結(jié)果。每對(duì)一個(gè)得 3分。) 表一(未調(diào)試成功或未經(jīng)考評(píng)員抽查,填寫均無效) 條件電壓u2u0考評(píng)員簽名 k1斷,k2斷 k1合,k2斷 k1合
1S1832二極管說明
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1S1832二極管說明
變?nèi)荻O管課程設(shè)計(jì)2011
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淮海工學(xué)院 課程設(shè)計(jì)報(bào)告書 課程名稱:通信電子線路課程設(shè)計(jì) 題目:變?nèi)荻O管調(diào)頻設(shè)計(jì) 系(院):通信工程系 學(xué)期:2011-2012-1 專業(yè)班級(jí):通信092 姓名:王娟 學(xué)號(hào):030912222 評(píng)語: 成績(jī): 簽名: 日期: 2 變?nèi)荻O管直接調(diào)頻電路設(shè)計(jì) 1緒論 變?nèi)荻O管調(diào)頻的主要優(yōu)點(diǎn)是能夠產(chǎn)生較大的頻偏,幾乎不需要調(diào)制功率。 它主要用在移動(dòng)通信以及自動(dòng)頻率微調(diào)系統(tǒng)中。許多小功率的調(diào)頻發(fā)射機(jī)都采用 變?nèi)荻O管直接調(diào)頻技術(shù),即在工作于發(fā)射載頻的lc振蕩回路上直接調(diào)頻,采用 晶體振蕩和鎖相環(huán)來穩(wěn)定中心頻率。與中頻調(diào)制倍頻方法相比,這種方法的電路 簡(jiǎn)單、性能良好、維修方便,是一種較先進(jìn)的頻率調(diào)制方案。 2設(shè)計(jì)要求 (1)主振頻率0f=20mhz (2)頻率穩(wěn)定度f/0f≤0.003/h (3)主振級(jí)的輸出電壓vvo
發(fā)光二極管
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發(fā)光二極管(led)失效分析 時(shí)間:2009-12-2715:17來源:unknown作者:11點(diǎn)擊:1次 發(fā)光二極管(led)失效分析2009年06月27日星期六12: 17led(light-emitting-diode中文意思為發(fā)光二極管)是一種能夠?qū)㈦娔苻D(zhuǎn)化 為可見光的半導(dǎo)體,它改變了白熾燈鎢絲發(fā)光與節(jié)能燈三基色粉發(fā)光的原理,而 采用電場(chǎng)發(fā)光。據(jù) 發(fā)光二極管(led)失效分析2009年06月27日星期六12: 17led(light-emitting-diode中文意思為發(fā)光二極管)是一種能夠?qū)㈦娔苻D(zhuǎn)化 為可見光的半導(dǎo)體,它改變了白熾燈鎢絲發(fā)光與節(jié)能燈三基色粉發(fā)光的原理,而 采用電場(chǎng)發(fā)光。據(jù)分析。 led的特點(diǎn)非常明顯。 壽命長(zhǎng)、光效高、無輻射與低功耗。led的光譜幾乎全部集中于可見光 頻段。 其發(fā)光
LED發(fā)光二極管
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4.5
1 姓名:劉玉東學(xué)號(hào):2111403132電子與通信工程2班 led(發(fā)光二極管) 摘要 發(fā)光二極管led是一種能發(fā)光的半導(dǎo)體電子元件。是一種透過三價(jià)與五價(jià)元素所組成 的復(fù)合光源這種電子元件早在1962年出現(xiàn),早期只能發(fā)出低光度的紅光,被hp買價(jià)專利 后當(dāng)作指示燈利用。之后發(fā)展出其他單色光的版本,時(shí)至今日能發(fā)出的光已遍及可見光、紅 外線及紫外線,光度也提高到相當(dāng)?shù)墓舛?。而用途也由初時(shí)作為指示燈、顯示板等;隨著白 光發(fā)光二極管的出現(xiàn),近年續(xù)漸發(fā)展至被用作照明。 1.led圖片 2.led的發(fā)展史 20世紀(jì)50年代,英國(guó)科學(xué)家發(fā)明了第一個(gè)具有現(xiàn)代意義的led,并于60年代面世, 但此時(shí)的led只能發(fā)出不可見的紅外光。在60年代末,發(fā)明了第一個(gè)可以發(fā)出可見的 紅光的led。到了七八十年代,又發(fā)明出了可以發(fā)出橙光、綠光、黃光的led。90年代 由
LED發(fā)光二極管
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4.3
led發(fā)光二極管 半導(dǎo)體發(fā)光器件包括半導(dǎo)體發(fā)光二極管(簡(jiǎn)稱led)、數(shù)碼管、符號(hào)管、米字管及點(diǎn)陣式 顯示屏(簡(jiǎn)稱矩陣管)等。事實(shí)上,數(shù)碼管、符號(hào)管、米字管及矩陣管中的每個(gè)發(fā)光單 元都是一個(gè)發(fā)光二極管。 一、半導(dǎo)體發(fā)光二極管工作原理、特性及應(yīng)用 (一)led發(fā)光原理 發(fā)光二極管是由ⅲ-ⅳ族化合物,如gaas(砷化鎵)、gap(磷化鎵)、gaasp(磷砷 化鎵)等半導(dǎo)體制成的,其核心是pn結(jié)。因此它具有一般p-n結(jié)的i-n特性,即正向?qū)?通,反向截止、擊穿特性。此外,在一定條件下,它還具有發(fā)光特性。在正向電壓下, 電子由n區(qū)注入p區(qū),空穴由p區(qū)注入n區(qū)。進(jìn)入對(duì)方區(qū)域的少數(shù)載流子(少子)一部 分與多數(shù)載流子(多子)復(fù)合而發(fā)光,如圖1所示。 假設(shè)發(fā)光是在p區(qū)中發(fā)生的,那么注入的電子與價(jià)帶空穴直接復(fù)合而發(fā)光,或者先被發(fā) 光中心捕獲后,再與空穴復(fù)合發(fā)光。除了這種發(fā)光
巧用發(fā)光二極管
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4.5
巧用發(fā)光二極管 發(fā)光二極管問世以來,在多數(shù)應(yīng)用實(shí)例中,人們往往只 注意到它的發(fā)光指示用,對(duì)于發(fā)光二極管在某些場(chǎng)合下的特 殊用途,尚開發(fā)利用得很不夠。本文針對(duì)這一問題,進(jìn)行如 下的探討。 根據(jù)發(fā)光二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和特性參數(shù)可知,發(fā)光二極 管的核心部分是pn結(jié)。因此它具有一般p-n結(jié)的i-v 特性,即正向?qū)?,反向截止、擊穿特性等。發(fā)光二極管的 正向壓降約為1.5-3:ov,反向電壓值有的還可達(dá)到 100v,正向電流值一般在10-20ma,極限值可達(dá) 30-50ma,甚至大于50ma(高亮大功率)。 例1:發(fā)光二極管是一種降壓元件 在日常生活和各種電子制作及電子實(shí)驗(yàn)中,有時(shí)我們需 要各種不同規(guī)格的電壓值,利用發(fā)光二極管做降壓元件,可 以彌補(bǔ)上述方法的不足。在小電流穩(wěn)壓時(shí),常采用穩(wěn)壓二極 管來穩(wěn)定電壓,在設(shè)計(jì)電路時(shí),還應(yīng)考慮到穩(wěn)壓管的一些特 性。比如:穩(wěn)定電流1"是由額定功率pz和穩(wěn)定電壓vz
二極管的開關(guān)原理
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4.7
二極管的開關(guān)原理
LED發(fā)光二極管17頁(yè)P(yáng)PT
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4.4
LED發(fā)光二極管17頁(yè)P(yáng)PT
2.1發(fā)光二極管ppt課件
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2.1發(fā)光二極管ppt課件
T整流橋二極管原理,參數(shù),命名法則以及選型
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1.瞬態(tài)抑制二極管簡(jiǎn)稱tvstransientvoltagesuppressor,tvs的電氣特性由p-n結(jié)面積,參雜濃度及晶片阻質(zhì)決定的。其耐突波電流的能力與其p-n結(jié)面積成正比。特點(diǎn):反映速度快為ps級(jí),體積
發(fā)光二極管(20201028143741)
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4.7
§3.4發(fā)光二極管(led) 一、發(fā)光原理 1、結(jié)的形成 在一塊硅材料中,一邊摻雜為n型,另一邊摻雜為p型,構(gòu)成p-n結(jié),交 界面上載流子濃度是突變的。由于濃度不均勻,導(dǎo)致空穴從p區(qū)到n區(qū)、電子 從n區(qū)到p區(qū)的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。在p區(qū)一側(cè),空穴離開后,留下了不可移動(dòng)的帶負(fù) 電荷的電離受主,因此出現(xiàn)一個(gè)負(fù)電荷區(qū)。在n區(qū)一側(cè),因電子離開,產(chǎn)生了 由電離施主構(gòu)成的正電荷區(qū)。p-n結(jié)兩側(cè)的區(qū)域稱為空間電荷區(qū)或耗盡區(qū)。 空間電荷區(qū)中的電荷形成了從n區(qū)指向p區(qū)的電場(chǎng),稱為內(nèi)建電場(chǎng)。內(nèi)建電 場(chǎng)促使載流子做漂移運(yùn)動(dòng),而阻礙其擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。 隨擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)的進(jìn)行,空間電荷逐漸增多,空間電荷區(qū)逐漸擴(kuò)展,內(nèi)建電場(chǎng)增 強(qiáng),使漂移運(yùn)動(dòng)加強(qiáng)。最終,擴(kuò)散與漂移達(dá)到平衡。如無外電場(chǎng)作用,空間電 荷區(qū)不再擴(kuò)展,保持一定寬度,內(nèi)建電場(chǎng)穩(wěn)定,即為熱平衡狀態(tài)下的p-n結(jié)。 能帶結(jié)構(gòu)如下圖。
電解鋁整流用整流柜晶閘管與二極管選型的技術(shù)及經(jīng)濟(jì)比較
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4.4
-1- 晶閘管與二極管選型的技術(shù)及經(jīng)濟(jì)比較 電解整流元器件可選取二極管或晶閘管,通過與國(guó)內(nèi)生產(chǎn)商充分 的技術(shù)交流,我們了解到各廠家對(duì)使用這兩種元器件有不同的見解, 下面就這兩種元器件的初期投資、技術(shù)性能、生產(chǎn)使用及維護(hù)情況做 一綜合比較: 一、造價(jià)經(jīng)濟(jì)比較 整流元件占整流柜整體造價(jià)的50%-60%,以abb元器件為例,每 只晶閘管的價(jià)格比二極管大約高2500元—3000元,單臺(tái)機(jī)組采用晶 閘管比二極管造價(jià)增加60—70萬元左右;若采用二極管,整流變壓 器需配套飽和電抗器,根據(jù)整流變壓器生產(chǎn)廠家的參考報(bào)價(jià),飽和電 抗器約為150萬元/臺(tái)。只從這一點(diǎn)考慮,若采用晶閘管整流,單臺(tái) 機(jī)組可節(jié)省投資80-90萬元,我方項(xiàng)目的規(guī)模采用7臺(tái)整流機(jī)組,總 共節(jié)省投資約600多萬元。 二、技術(shù)比較 2.1晶閘管整流裝置,電流可以連續(xù)、平滑調(diào)節(jié),穩(wěn)流精度高于0.5%。 2
發(fā)光二極管(20201028143728)
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4.4
發(fā)光二極管(20201028143728)
發(fā)光二極管的簡(jiǎn)介共11頁(yè)word資料
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4.4
第1頁(yè) 它是半導(dǎo)體二極管的一種,可以把電能轉(zhuǎn)化成光能;常簡(jiǎn)寫 為led。發(fā)光二極管與普通二極管一樣是由一個(gè)pn結(jié)組成, 也具有單向?qū)щ娦浴.?dāng)給發(fā)光二極管加上正向電壓后,從p 區(qū)注入到n區(qū)的空穴和由n區(qū)注入到p區(qū)的電子,在pn結(jié) 附近數(shù)微米內(nèi)分別與n區(qū)的電子和p區(qū)的空穴復(fù)合,產(chǎn)生自 發(fā)輻射的熒光。不同的半導(dǎo)體材料中電子和空穴所處的能量 狀態(tài)不同。當(dāng)電子和空穴復(fù)合時(shí)釋放出的能量多少不同,釋 放出的能量越多,則發(fā)出的光的波長(zhǎng)越短。常用的是發(fā)紅光、 綠光或黃光的二極管。 發(fā)光二極管的反向擊穿電壓約5伏。它的正向伏安特性曲線很陡,使 用時(shí)必須串聯(lián)限流電阻以控制通過管子的電流。限流電阻r可用下式計(jì)算: 編輯本段公式 r=(e-uf)/if 式中e為電源電壓,uf為led的正向壓降,if為led的一般工作電 流 發(fā)光二極管 編輯本段物理特性 式中e
光伏專用防反二極管GJMD6001600V太陽能電池板防逆流二極管
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4.6
guojingkeji(防反二極管模塊)pvdiodemodule 國(guó)晶科技gjmd600 中國(guó)·杭州國(guó)晶電子科技有限公司技術(shù)咨詢:0571-56862135 專業(yè)大功率二極管模塊制造商 符號(hào)參數(shù)測(cè)試條件 結(jié)溫 tj(℃) 參數(shù)值 單位 最小典型最大 if(av)通態(tài)平均電流 180°正弦半波,50hz單面散 熱,tc=85℃ 150600a if(rms)方均根電流150940a vdrm vrrm 斷態(tài)重復(fù)峰值電壓 反向重復(fù)峰值電壓 vdrm&vrrmtp=10ms vdsm&vrsm=vdrm&vrrm+200v 15060016001800v idrm irrm 斷態(tài)重復(fù)峰值電流 反向重復(fù)峰值電流 vdm=vdrm vrm=vrrm 15010ma ifsm通態(tài)不重復(fù)浪涌電流10ms
硅整流二極管管芯的機(jī)械切割法——介紹一種提高硅片利用率的辦法
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4.5
在硅臺(tái)面整流二極管的生產(chǎn)中,常常用點(diǎn)黑蠟、長(zhǎng)時(shí)間腐蝕的辦法把管芯一個(gè)個(gè)分割開,同時(shí)形成合適的臺(tái)面.這種工藝對(duì)硅單晶的利用率和生產(chǎn)效率都很低.我們總結(jié)了高頻高壓硅堆的生產(chǎn)工藝,提出了熱浸鍍鉛錫-機(jī)械切割法分割管芯的工藝.這大大提高了硅單晶的利用率和生產(chǎn)效率,降低了成本,取得了一定的經(jīng)濟(jì)效益.
LED(發(fā)光二極管)基礎(chǔ)知識(shí)講座01
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4.5
LED(發(fā)光二極管)基礎(chǔ)知識(shí)講座01
功率15mW的紫外發(fā)光二極管(LED)
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4.3
al-ga—n系紫外led用材料由于p型層霍爾濃度低,以致存在著無法改善其決定功率效率的電子注入效率問題。為解決這一問題,日本理化學(xué)研究所在其電子阻塞層內(nèi)引入了多重量子壁障(mqb),從而在250nm波長(zhǎng)下往發(fā)光層內(nèi)的電子注入效率從過去的10%~30%提高到了80%以上。由于mqb的引人而導(dǎo)致的紫外光輸出高效率化,不僅更有效地用于醫(yī)療、
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職位:助理建筑師
擅長(zhǎng)專業(yè):土建 安裝 裝飾 市政 園林