更新日期: 2025-05-25

基于ZnO半導(dǎo)體納米線膜的聲表面波型紫外探測(cè)器

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基于ZnO半導(dǎo)體納米線膜的聲表面波型紫外探測(cè)器 4.4

針對(duì)傳統(tǒng)半導(dǎo)體光電探測(cè)器件結(jié)構(gòu)的寬帶隙半導(dǎo)體紫外探測(cè)器可測(cè)信號(hào)弱的問(wèn)題,提出了一種基于ZnO納米線膜的聲表面波型紫外探測(cè)器。該探測(cè)器利用ZnO納米線膜的強(qiáng)紫外光電響應(yīng)特性和聲表面波器件的靈敏的聲電相互作用機(jī)制,將采用高純鋅粉的熱蒸發(fā)氧化工藝制備的纖鋅礦型ZnO納米線制作在已有聲表面波小波傳感器上。利用光致發(fā)光譜研究發(fā)現(xiàn),由于低維激子限域效應(yīng)和表面效應(yīng),所制作ZnO納米線敏感膜中的紫外光電效應(yīng)優(yōu)于外延ZnO半導(dǎo)體薄膜;同時(shí),基于ZnO納米線膜的聲表面波式紫外探測(cè)器在紫外光輻照下該探測(cè)器的中心頻率減小,損耗增大。實(shí)驗(yàn)研究表明該器件能夠?qū)崿F(xiàn)長(zhǎng)波紫外光的高靈敏度探測(cè)。

超導(dǎo)納米線單光子探測(cè)器 超導(dǎo)納米線單光子探測(cè)器 超導(dǎo)納米線單光子探測(cè)器

超導(dǎo)納米線單光子探測(cè)器

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利用磁控濺射、電子束光刻和反應(yīng)離子刻蝕等微加工技術(shù),開(kāi)展了超導(dǎo)納米線單光子探測(cè)器(snspd)的研究.通過(guò)對(duì)snspd的設(shè)計(jì)和制備工藝參數(shù)的優(yōu)化,成功制備出了高質(zhì)量的snspd.單光子檢測(cè)實(shí)驗(yàn)表明,制備的snspd對(duì)660nm波長(zhǎng)的光信號(hào),系統(tǒng)檢測(cè)效率可達(dá)30%,對(duì)1550nm波長(zhǎng)光信號(hào),最大系統(tǒng)檢測(cè)效率為4.2%.在平均暗計(jì)數(shù)小于10c/s的情況下,系統(tǒng)檢測(cè)效率大于20%(660nm)和3%(1550nm).

半導(dǎo)體探測(cè)器

半導(dǎo)體探測(cè)器

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半導(dǎo)體探測(cè)器

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ZnO半導(dǎo)體納米材料的研究

ZnO半導(dǎo)體納米材料的研究

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ZnO半導(dǎo)體納米材料的研究 4.8

zno半導(dǎo)體納米材料的研究 目錄 abstract:..........................................................3 keywords:..........................................................3 引言................................................................3 一、zno納米材料的概況.............................................4 1.1zno晶體結(jié)構(gòu).................................................4 1.2zno納米的結(jié)構(gòu)........................

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新型半導(dǎo)體紫外線火災(zāi)探測(cè)器 新型半導(dǎo)體紫外線火災(zāi)探測(cè)器 新型半導(dǎo)體紫外線火災(zāi)探測(cè)器

新型半導(dǎo)體紫外線火災(zāi)探測(cè)器

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新型半導(dǎo)體紫外線火災(zāi)探測(cè)器 4.4

新型半導(dǎo)體紫外線火災(zāi)探測(cè)器

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ZnO半導(dǎo)體納米線膜的聲表面波型紫外探測(cè)器熱門文檔

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超導(dǎo)納米線單光子探測(cè)器動(dòng)態(tài)電感研究 超導(dǎo)納米線單光子探測(cè)器動(dòng)態(tài)電感研究 超導(dǎo)納米線單光子探測(cè)器動(dòng)態(tài)電感研究

超導(dǎo)納米線單光子探測(cè)器動(dòng)態(tài)電感研究

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超導(dǎo)納米線單光子探測(cè)器動(dòng)態(tài)電感研究 4.6

單光子探測(cè)是一種量子極限光信號(hào)的檢測(cè)技術(shù),超導(dǎo)納米線單光子探測(cè)器(superconductingnanowiresingle-photondetector,snspd)作為一種新型的單光子探測(cè)技術(shù),在量子通信等眾多領(lǐng)域有著廣闊的應(yīng)用前景。snspd的動(dòng)態(tài)電感直接決定了snspd的工作速度。文中對(duì)snspd動(dòng)態(tài)電感的特性和測(cè)試方法做了詳細(xì)的研究,成功實(shí)現(xiàn)了低溫下snspd動(dòng)態(tài)電感的測(cè)試,并對(duì)結(jié)果進(jìn)行了分析處理和研究。利用bcs理論對(duì)動(dòng)態(tài)電感隨溫度、偏置電流變化的特性進(jìn)行分析計(jì)算,并與實(shí)際測(cè)量結(jié)果對(duì)比討論,為未來(lái)如何降低snspd動(dòng)態(tài)電感、提高其性能的研究工作提供了參考依據(jù)。

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聲表面波氣體探測(cè)器控制電路設(shè)計(jì)與優(yōu)化 聲表面波氣體探測(cè)器控制電路設(shè)計(jì)與優(yōu)化 聲表面波氣體探測(cè)器控制電路設(shè)計(jì)與優(yōu)化

聲表面波氣體探測(cè)器控制電路設(shè)計(jì)與優(yōu)化

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聲表面波氣體探測(cè)器控制電路設(shè)計(jì)與優(yōu)化 4.5

聲表面波氣體探測(cè)器包括聲表面波傳感器陣列、富集器、氣泵、溫度控制器等部件。基于8051單片機(jī)為探測(cè)器設(shè)計(jì)了一套控制電路并編寫了控制程序,通過(guò)調(diào)節(jié)控制電路改變探測(cè)器的工作參數(shù),分別測(cè)試了采樣氣泵流速、富集器的吸附時(shí)間與解吸附時(shí)間對(duì)聲表面波氣體探測(cè)器性能的影響,為優(yōu)化探測(cè)器性能提供了實(shí)驗(yàn)依據(jù)。

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超寬帶聲表面波濾波器的設(shè)計(jì) 超寬帶聲表面波濾波器的設(shè)計(jì) 超寬帶聲表面波濾波器的設(shè)計(jì)

超寬帶聲表面波濾波器的設(shè)計(jì)

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超寬帶聲表面波濾波器的設(shè)計(jì) 4.6

該文精確模擬了基于弛豫鐵電單晶的聲表面波(saw)梯形濾波器的性能。首先介紹了由諧振器構(gòu)成的梯形saw濾波器的工作原理,利用qucs軟件建立了七階梯形濾波器的仿真模型。結(jié)果表明,該單晶能實(shí)現(xiàn)高達(dá)620mhz的超寬帶saw濾波器(中心頻率1ghz),比傳統(tǒng)壓電材料的濾波器帶寬高3倍;通過(guò)優(yōu)化各支路諧振器的靜態(tài)電容及傳統(tǒng)梯型濾波器的結(jié)構(gòu),犧牲了一定的帶寬,但獲得了較高的帶外抑制和過(guò)渡帶的陡峭度;討論了不同品質(zhì)因數(shù)對(duì)濾波器帶內(nèi)插損的影響。

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單模光纖與SOI納米線波導(dǎo)耦合設(shè)計(jì) 單模光纖與SOI納米線波導(dǎo)耦合設(shè)計(jì) 單模光纖與SOI納米線波導(dǎo)耦合設(shè)計(jì)

單模光纖與SOI納米線波導(dǎo)耦合設(shè)計(jì)

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單模光纖與SOI納米線波導(dǎo)耦合設(shè)計(jì) 4.5

波導(dǎo)光柵在集成光學(xué)發(fā)展中扮演著重要的角色。與其他的耦合方法相比,光柵耦合器具有耦合效率高、制備封裝成本低、無(wú)需芯片端面拋光、可以在任何地方實(shí)現(xiàn)信號(hào)輸入輸出等優(yōu)點(diǎn),成為納米光波導(dǎo)最有潛力的耦合方法。本文提出利用optifdtd軟件仿真結(jié)合matlab編程的方法精確計(jì)算光柵耦合效率的新方法。仿真分析了光柵的周期、槽深、占空比、sio2層厚度等光柵參數(shù)對(duì)耦合效率的影響,并給出了使輸入光柵耦合器耦合效率達(dá)到42.6%;輸出光柵耦合器的耦合效率達(dá)到72.3%的一組最佳光柵參數(shù)。

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C納米管包裹的金屬鈷納米線(管)同心電纜的制備與表征 C納米管包裹的金屬鈷納米線(管)同心電纜的制備與表征 C納米管包裹的金屬鈷納米線(管)同心電纜的制備與表征

C納米管包裹的金屬鈷納米線(管)同心電纜的制備與表征

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C納米管包裹的金屬鈷納米線(管)同心電纜的制備與表征 4.4

theconcentriccableofcobaltnanowires(nanotubes)encapsulatedincarbonnanotubeshasbeenpreparedbyusing“secondordertemplate”method,combinedwithelectrodeposition.theproductswerecharacterizedbysem,tem,xrdandraman,respectively.thec/cocompositenanowires(nanotubes)wereabout60μminlength,andthethicknesscanbeadjustedbychangingthereactionconditions.thismethodcouldbeextendedtoconstructanarrayofmultilayernanotubes,composedofvariousmetals,encapsulatedincarbonnanotubes.

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ZnO半導(dǎo)體納米線膜的聲表面波型紫外探測(cè)器精華文檔

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半導(dǎo)體特性

半導(dǎo)體特性

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半導(dǎo)體特性 4.7

實(shí)用標(biāo)準(zhǔn)文案 精彩文檔 建平縣職業(yè)教育中心備課教案 課題 模塊(單元)第一章 項(xiàng)目(課)半導(dǎo)體的主要特征 授課班級(jí)11電子授課教師安森 授課類型新授授課時(shí)數(shù)2 教學(xué)目標(biāo)知識(shí)目標(biāo)描述半導(dǎo)體的主要特征 能力目標(biāo)能夠知道p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體的特點(diǎn) 情感態(tài)度目標(biāo)培養(yǎng)學(xué)生的學(xué)習(xí)興趣,培養(yǎng)學(xué)生的愛(ài)崗敬業(yè)精神 教學(xué)核心教學(xué)重點(diǎn)半導(dǎo)體的主要特征 教學(xué)難點(diǎn)p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體的特點(diǎn) 思路概述先講解半導(dǎo)體的特點(diǎn),再講p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體的特點(diǎn) 教學(xué)方法讀書指導(dǎo)法、演示法。 教學(xué)工具電腦,投影儀 教學(xué)過(guò)程 一、組織教學(xué):師生互相問(wèn)候,安全教育,上實(shí)訓(xùn)課時(shí)一定要聽(tīng)從老師的指揮,在實(shí)訓(xùn)室不要亂動(dòng)電源。 二、復(fù)習(xí)提問(wèn):生活中哪些電子元器件是利用半導(dǎo)體制作出來(lái)的? 三、導(dǎo)入新課:我們的生活中根據(jù)導(dǎo)電能力的強(qiáng)弱可以分成哪幾種,這節(jié)課我

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基于超聲表面波原理的彈簧表面缺陷檢測(cè) 基于超聲表面波原理的彈簧表面缺陷檢測(cè) 基于超聲表面波原理的彈簧表面缺陷檢測(cè)

基于超聲表面波原理的彈簧表面缺陷檢測(cè)

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基于超聲表面波原理的彈簧表面缺陷檢測(cè) 4.5

針對(duì)超聲表面波檢測(cè)技術(shù)特點(diǎn),分析了超聲表面波檢測(cè)彈簧表面缺陷的方法,制作了超聲波檢測(cè)所需的人工缺陷對(duì)比試塊,利用多個(gè)人工試塊制作描繪出用于判廢的距離-波幅曲線,建立了彈簧表面缺陷的超聲波檢測(cè)系統(tǒng)。結(jié)果表明,超聲表面波檢測(cè)方法適用于彈簧表面缺陷的檢測(cè),并能有效地應(yīng)用于實(shí)際生產(chǎn)中的檢測(cè)任務(wù)。

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納米線太陽(yáng)能電池 納米線太陽(yáng)能電池 納米線太陽(yáng)能電池

納米線太陽(yáng)能電池

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納米線太陽(yáng)能電池 4.5

太陽(yáng)能電池生產(chǎn)能夠在不損害它們效率前提下變得越來(lái)越便宜,這受益于一項(xiàng)基于溶液的新技術(shù)。美國(guó)加利福尼亞州伯克利實(shí)驗(yàn)室的科學(xué)家用硫化鎘做內(nèi)芯,用硫化銅做外殼制造了一種芯/殼結(jié)構(gòu)的納米線太陽(yáng)能電池。

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泰德半導(dǎo)體

泰德半導(dǎo)體

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泰德半導(dǎo)體 4.7

no.typevivofrepackageioηmax ocp otp sp 技術(shù)誤 差 同類pin對(duì)pin產(chǎn)品型 號(hào) 適用產(chǎn)品范圍備注 1td14103.6~201.222~18380khzsop-82a95%y≤3% mps1410/9141/act4060/a tc4012/fsp3126/za3020 等 便攜式dvd、lcd顯示驅(qū)動(dòng)板。液晶顯示器、液晶電視、數(shù)碼相 框.電信adsl.車載dvd/vcd/cd.gps。安防等 td1410采用cmos工藝/6寸晶圓。是一款高效率低損耗,工作穩(wěn)定,性價(jià)比 很高使用面廣的dc/dc電源管理芯片。 3td15341~200.8~18380khzsop82a95%y≤2%mp1513td1513 路由器,便攜式dvd、機(jī)頂盒、平板電腦、筆記本電腦、lcd顯示 驅(qū)動(dòng)板.液晶

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模板法電沉積釓鈷合金納米線陣列 模板法電沉積釓鈷合金納米線陣列 模板法電沉積釓鈷合金納米線陣列

模板法電沉積釓鈷合金納米線陣列

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模板法電沉積釓鈷合金納米線陣列 4.7

在草酸電解液中用二次陽(yáng)極氧化法制備多孔陽(yáng)極化氧化鋁(anodicaluminumoxide,aao)模板。通過(guò)對(duì)電流密度、氧化時(shí)間、電解液濃度等參數(shù)的調(diào)整,最終獲得孔洞分布均勻、孔徑基本一致、孔口呈六邊形的aao模板。采用不去除中間鋁,用逐級(jí)降壓法和電化學(xué)法減薄阻擋層,然后利用中間鋁作為電極,在非水體系中以aao為模板,直流電沉積釓鈷合金納米線陣列。經(jīng)過(guò)sem觀測(cè),aao模板孔徑在60nm左右,去阻擋層前后變化不大,制備的釓鈷合金納米線排列有序、尺寸一致;eds測(cè)定表明納米線為釓鈷合金及少量氧化物納米線,釓鈷摩爾質(zhì)量比為1:7.5,釓鈷合金質(zhì)量分?jǐn)?shù)為90.66%;xrd分析圖譜表明所得到的釓鈷合金納米線為非晶態(tài)。

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ZnO半導(dǎo)體納米線膜的聲表面波型紫外探測(cè)器最新文檔

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聲表面波壓力傳感器的仿真與設(shè)計(jì) 聲表面波壓力傳感器的仿真與設(shè)計(jì) 聲表面波壓力傳感器的仿真與設(shè)計(jì)

聲表面波壓力傳感器的仿真與設(shè)計(jì)

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聲表面波壓力傳感器的仿真與設(shè)計(jì) 4.4

該文設(shè)計(jì)了一種基于聲表面波(saw)傳感原理的無(wú)源無(wú)線壓力傳感器。闡述了saw單端諧振器的原理,對(duì)saw壓力傳感器的原理進(jìn)行了分析。選擇了基于類似兩端固定梁的敏感結(jié)構(gòu)并利用ansys軟件對(duì)其敏感結(jié)構(gòu)進(jìn)行仿真、分析。利用mathcad軟件對(duì)saw壓力傳感器進(jìn)行建模、仿真。并根據(jù)仿真結(jié)果設(shè)計(jì)和制作了saw壓力傳感器。測(cè)試結(jié)果表明,制作的傳感器靈敏度較高,誤差小,具備良好的壓力頻率特性。

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聲表面波器件工藝原理-1清洗工藝原理

聲表面波器件工藝原理-1清洗工藝原理

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聲表面波器件工藝原理-1清洗工藝原理 4.7

聲表面波工藝原理第一章清洗工藝原理 page1of5 一,聲表器件清洗工藝原理 序: 聲表器件制作工藝中的清洗技術(shù)及潔凈度是影響器件合格率、器件性能和可靠性的重要因 素。雜質(zhì)污染主要來(lái)源于晶片加工過(guò)程、環(huán)境污染、水(包括純水)污染、試劑污染、工藝 氣體污染、生產(chǎn)用設(shè)備、器皿、工具及易耗品污染、人體污染和工藝過(guò)程造成的污染。由于 表面污染是通過(guò)污染物與表面間的作用力引起(主要是化學(xué)力和分子間力),清洗就是為破 壞這種作用力,除去由上述污染源所帶來(lái)的有機(jī)物、微粒、金屬原子(離子)及微粗糙。 (一)對(duì)基片表面的清洗: 由于有機(jī)物會(huì)遮蓋部分基片表面,影響對(duì)微粒和金屬的清洗,所以清洗的一般思路是: 先除去表面的有機(jī)污染,然后再去除微粒和金屬雜質(zhì)。 1,對(duì)有機(jī)物的清洗: 基片上的有機(jī)污染主要有油膜、殘余的蠟?zāi)つz膜、不純有機(jī)溶劑揮發(fā)后的殘膜,以及微生 物的有機(jī)殘?jiān)?、手油等。這些雜

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彩電常用聲表面波濾波器檢測(cè)與代換

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彩電常用聲表面波濾波器檢測(cè)與代換 4.7

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半導(dǎo)體超晶格微制冷器的研究進(jìn)展

半導(dǎo)體超晶格微制冷器的研究進(jìn)展

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半導(dǎo)體超晶格微制冷器的研究進(jìn)展 3

半導(dǎo)體超晶格微制冷器的研究進(jìn)展——文章對(duì)新型半導(dǎo)體器件——超晶格微制冷器進(jìn)行了綜述分析,對(duì)其理論、實(shí)驗(yàn)及與電子器件、光電子器件的集成等方面進(jìn)行了介紹,并對(duì)其應(yīng)用前景及領(lǐng)域進(jìn)行了分析。

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Sm-Co合金納米線的電沉積制備及磁性能 Sm-Co合金納米線的電沉積制備及磁性能 Sm-Co合金納米線的電沉積制備及磁性能

Sm-Co合金納米線的電沉積制備及磁性能

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Sm-Co合金納米線的電沉積制備及磁性能 4.5

以自制的孔徑為80~100nm的aao為模板,在低溫熔融鹽體系中采用直流電沉積法制備了sm-co合金納米線陣列。sem觀測(cè)發(fā)現(xiàn),sm-co合金納米線排列有序,直徑為80~100nm,與aao模板孔徑基本一致;通過(guò)調(diào)節(jié)電沉積時(shí)間,可以控制sm-co納米線的長(zhǎng)度。用1mol/dm3的naoh將模板溶掉后進(jìn)行tem檢測(cè),sm-co合金納米線直徑約為100nm,與模板孔徑基本吻合;xrf測(cè)定表明,納米線組成為sm-co合金,其原子比為1∶5;xrd譜顯示所得到的sm-co合金納米線為非晶態(tài)。納米線的最大磁能積為179.2kj/m3,說(shuō)明sm-co合金納米線陣列具有很好的磁存儲(chǔ)能力。

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半導(dǎo)體、電子設(shè)備:國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備廠商將受益薦5股

半導(dǎo)體、電子設(shè)備:國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備廠商將受益薦5股

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半導(dǎo)體、電子設(shè)備:國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備廠商將受益薦5股 4.7

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半導(dǎo)體材料7半導(dǎo)體照明工程材料

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半導(dǎo)體材料7半導(dǎo)體照明工程材料 4.7

半導(dǎo)體材料7半導(dǎo)體照明工程材料

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半導(dǎo)體測(cè)試基礎(chǔ)

半導(dǎo)體測(cè)試基礎(chǔ)

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半導(dǎo)體測(cè)試基礎(chǔ) 4.4

試基礎(chǔ)——術(shù)語(yǔ) 括一下內(nèi)容: 測(cè)試目的 測(cè)試術(shù)語(yǔ) 測(cè)試工程學(xué)基本原則 基本測(cè)試系統(tǒng)組成 pmu(精密測(cè)量單元)及引腳測(cè)試卡 樣片及測(cè)試程序 術(shù)語(yǔ) 半導(dǎo)體測(cè)試的專業(yè)術(shù)語(yǔ)很多,這里只例舉部分基礎(chǔ)的: 被實(shí)施測(cè)試的半導(dǎo)體器件通常叫做dut(deviceundertest,我們常簡(jiǎn)稱“被測(cè)器件”),或者叫uut(unitunde 我們來(lái)看看關(guān)于器件引腳的常識(shí),數(shù)字電路期間的引腳分為“信號(hào)”、“電源”和“地”三部分。 腳,包括輸入、輸出、三態(tài)和雙向四類, 輸入:在外部信號(hào)和器件內(nèi)部邏輯之間起緩沖作用的信號(hào)輸入通道;輸入管腳感應(yīng)其上的電壓并將它轉(zhuǎn)化為內(nèi)部邏輯 輸出:在芯片內(nèi)部邏輯和外部環(huán)境之間起緩沖作用的信號(hào)輸出通道;輸出管腳提供正確的邏輯“0”或“1”的電壓,并 流)。 三態(tài):輸出的一類,它有關(guān)閉的能力(達(dá)到高電阻值的狀態(tài))。 雙向:擁有輸入、輸出功能并能達(dá)到高阻態(tài)的管腳。 腳,“電

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通用半導(dǎo)體樁基

通用半導(dǎo)體樁基

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通用半導(dǎo)體樁基 4.3

目錄 目錄 1 一、 工程概況 3 二、 施工準(zhǔn)備 3 2.1、技術(shù)準(zhǔn)備 3 2.2、現(xiàn)場(chǎng)準(zhǔn)備 3 2.3、樁機(jī)準(zhǔn)備 5 2.4、材料準(zhǔn)備 5 三、施工計(jì)劃 5 3.1、勞動(dòng)力需求計(jì)劃 5 3.2、機(jī)具需用計(jì)劃 5 3.3、施工材料需用計(jì)劃 6 3.4、施工進(jìn)度計(jì)劃 6 四、 施工方案 6 4.1樁基工程 6 4.2土方開(kāi)挖 8 4.3基礎(chǔ)模板工程 8 4.4基礎(chǔ)鋼筋工程 8 4.5基礎(chǔ)砼工程 9 4.6注意事項(xiàng) 9 五、質(zhì)量管理與保證措施 9 1、質(zhì)量保證體系 9 2、iso9002體系認(rèn)證 10 3、項(xiàng)目配備 10 4、各種質(zhì)量管理制度 10 4.1技術(shù)質(zhì)量責(zé)任制 10 4.2原材料、構(gòu)配件的試驗(yàn)和檢測(cè)制度 10 4.3質(zhì)量崗位制度 11 4.4質(zhì)量預(yù)控制 11 4.5質(zhì)量跟蹤檢查制 11 4.6質(zhì)

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美國(guó)大學(xué)發(fā)明納米線  實(shí)現(xiàn)電纜儲(chǔ)電功能 4.5

美國(guó)佛羅里達(dá)中央大學(xué)(theuniversityofcentralflorida)助理教授jayanthomas和他的研究生zenanyu最近研發(fā)出一種納米導(dǎo)線,可以同時(shí)實(shí)現(xiàn)輸送和儲(chǔ)存電力兩種功能。他們采用的方法是在銅線外層生成的納米晶須周圍增加一圈極薄的塑料片,并用金屬護(hù)層將其包裹起

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