更新日期: 2025-04-03

半導(dǎo)體斷路開關(guān)電路-流體耦合數(shù)值模擬

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半導(dǎo)體斷路開關(guān)電路-流體耦合數(shù)值模擬 4.7

為了研究摻雜結(jié)構(gòu)為p+-p-n-n+的半導(dǎo)體斷路開關(guān)的ns脈沖截?cái)鄼C(jī)理,根據(jù)流體力學(xué)方程和全電流方程推導(dǎo)出半導(dǎo)體斷路開關(guān)內(nèi)部載流子運(yùn)動(dòng)滿足的電流-電壓關(guān)系表達(dá)式,提出了一種外電路方程和載流子流體力學(xué)方程聯(lián)立求解的1維耦合數(shù)值模型。采用該模型對(duì)半導(dǎo)體斷路開關(guān)的ns脈沖截?cái)噙^程進(jìn)行了數(shù)值模擬,模擬結(jié)果表明:在截?cái)噙^程中,n-n+結(jié)處的載流子數(shù)密度首先開始明顯降低,并出現(xiàn)高電場(chǎng),隨后p+-p結(jié)處也出現(xiàn)類似現(xiàn)象,隨著載流子的抽取,高電場(chǎng)區(qū)域向p-n結(jié)處快速移動(dòng),最終在p-n結(jié)處完成截?cái)?而基區(qū)載流子數(shù)密度在截?cái)嗲昂鬅o明顯變化。

數(shù)值模擬研究半導(dǎo)體斷路開關(guān)的電流截?cái)嗵匦? class= 數(shù)值模擬研究半導(dǎo)體斷路開關(guān)的電流截?cái)嗵匦? src= 數(shù)值模擬研究半導(dǎo)體斷路開關(guān)的電流截?cái)嗵匦?/span>

數(shù)值模擬研究半導(dǎo)體斷路開關(guān)的電流截?cái)嗵匦?/p>

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半導(dǎo)體斷路開關(guān)(sos)效應(yīng)的發(fā)現(xiàn),促進(jìn)了全固態(tài)脈沖功率源技術(shù)的發(fā)展和應(yīng)用。采用一維流體模型,利用sos數(shù)值模擬程序?qū)os二極管p+-p-n-n+結(jié)構(gòu)的電流截?cái)嗵匦赃M(jìn)行了數(shù)值模擬研究。研究了sos二極管p區(qū)擴(kuò)散深度、外電路參數(shù)對(duì)sos電流截?cái)嗵匦缘挠绊?。結(jié)果表明:p區(qū)擴(kuò)散深度、次級(jí)儲(chǔ)能電容c2、反向泵浦電感l(wèi)-的大小對(duì)sos的反向電流截?cái)鄷r(shí)間均有較大影響;隨著次級(jí)儲(chǔ)能電容和反向泵浦電感的增大,電流截?cái)鄷r(shí)間增大,反向電流峰值和反向電壓峰值減小。該研究對(duì)sos二極管工藝設(shè)計(jì)和外電路優(yōu)化設(shè)計(jì)具有理論意義和實(shí)用價(jià)值。

半導(dǎo)體三極管的應(yīng)用電路(二)  模擬開關(guān)電路 半導(dǎo)體三極管的應(yīng)用電路(二)  模擬開關(guān)電路 半導(dǎo)體三極管的應(yīng)用電路(二) 模擬開關(guān)電路

半導(dǎo)體三極管的應(yīng)用電路(二) 模擬開關(guān)電路

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模擬開關(guān)以信號(hào)電平或波形為關(guān)注對(duì)象,對(duì)模擬信號(hào)或數(shù)字信號(hào)進(jìn)行接通/斷開動(dòng)作,如圖1所示。這種開關(guān)是一種功能與機(jī)械開關(guān)相同的電子電路,它可以根據(jù)選通端的電平,決定輸入端與輸出端的狀態(tài)。當(dāng)選通端處在選通狀態(tài)時(shí),輸出端的狀態(tài)取決于輸入端的狀態(tài);當(dāng)選通端處于截止?fàn)顟B(tài)時(shí),則不管輸入端電平如何,輸出端都呈高阻狀態(tài)。與傳統(tǒng)機(jī)械開關(guān)相比,模擬開關(guān)具有功耗低、抖動(dòng)小、工作可靠、速度快、無機(jī)械觸點(diǎn)、體積小和使用壽命長(zhǎng)等特點(diǎn)??蓮V泛應(yīng)用于電子電路的通斷控制、多路切換控制等領(lǐng)域。常用模擬開關(guān)可分為使用晶體管的開關(guān)電路和使用場(chǎng)效應(yīng)管的開關(guān)集成電路。

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基于半導(dǎo)體斷路開關(guān)的脈沖功率源及其應(yīng)用 基于半導(dǎo)體斷路開關(guān)的脈沖功率源及其應(yīng)用 基于半導(dǎo)體斷路開關(guān)的脈沖功率源及其應(yīng)用

基于半導(dǎo)體斷路開關(guān)的脈沖功率源及其應(yīng)用

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基于半導(dǎo)體斷路開關(guān)的脈沖功率源及其應(yīng)用 4.4

半導(dǎo)體斷路開關(guān)效應(yīng)的發(fā)現(xiàn)促進(jìn)了能連續(xù)重復(fù)頻率運(yùn)行的半導(dǎo)體斷路開關(guān)和基于這種開關(guān)的高平均脈沖功率源的發(fā)展和應(yīng)用,與其它應(yīng)用于脈沖功率源的傳統(tǒng)器件相比,基于sos的脈沖功率源更簡(jiǎn)單、可靠,其脈沖重復(fù)頻率可達(dá)到khz。介紹了sos和基于sos的脈沖功率源的基本工作原理和特性,并總結(jié)了基于sos的脈沖功率源最新的研究進(jìn)展和應(yīng)用。

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半導(dǎo)體集成電路課程教學(xué)大綱

半導(dǎo)體集成電路課程教學(xué)大綱

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半導(dǎo)體集成電路課程教學(xué)大綱 4.3

大學(xué)生電腦主頁(yè)-dxsdiannao.com–大學(xué)生喜歡的都在這里 大學(xué)生電腦主頁(yè)——dxsdiannao.com——大學(xué)生的百事通 《半導(dǎo)體集成電路》課程教學(xué)大綱 (包括《集成電路制造基礎(chǔ)》和《集成電路原理及設(shè)計(jì)》兩門課程) 集成電路制造基礎(chǔ)課程教學(xué)大綱 課程名稱:集成電路制造基礎(chǔ) 英文名稱:thefoundationofintergratecircuitfabrication 課程類別:專業(yè)必修課 總學(xué)時(shí):32學(xué)分:2 適應(yīng)對(duì)象:電子科學(xué)與技術(shù)本科學(xué)生 一、課程性質(zhì)、目的與任務(wù): 本課程為高等學(xué)校電子科學(xué)與技術(shù)專業(yè)本科生必修的一門工程技術(shù)專業(yè)課。半導(dǎo)體科 學(xué)是一門近幾十年迅猛發(fā)展起來的重要新興學(xué)科,是計(jì)算機(jī)、雷達(dá)、通訊、電子技術(shù)、自動(dòng) 化技術(shù)等信息科學(xué)的基礎(chǔ),而半導(dǎo)體工藝主要討論集成電路的制造、加工技術(shù)以及制造中涉 及的原材料的制備,是

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半導(dǎo)體斷路開關(guān)電路流體耦合數(shù)值模擬熱門文檔

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半導(dǎo)體特性

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半導(dǎo)體特性 4.7

實(shí)用標(biāo)準(zhǔn)文案 精彩文檔 建平縣職業(yè)教育中心備課教案 課題 模塊(單元)第一章 項(xiàng)目(課)半導(dǎo)體的主要特征 授課班級(jí)11電子授課教師安森 授課類型新授授課時(shí)數(shù)2 教學(xué)目標(biāo)知識(shí)目標(biāo)描述半導(dǎo)體的主要特征 能力目標(biāo)能夠知道p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體的特點(diǎn) 情感態(tài)度目標(biāo)培養(yǎng)學(xué)生的學(xué)習(xí)興趣,培養(yǎng)學(xué)生的愛崗敬業(yè)精神 教學(xué)核心教學(xué)重點(diǎn)半導(dǎo)體的主要特征 教學(xué)難點(diǎn)p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體的特點(diǎn) 思路概述先講解半導(dǎo)體的特點(diǎn),再講p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體的特點(diǎn) 教學(xué)方法讀書指導(dǎo)法、演示法。 教學(xué)工具電腦,投影儀 教學(xué)過程 一、組織教學(xué):師生互相問候,安全教育,上實(shí)訓(xùn)課時(shí)一定要聽從老師的指揮,在實(shí)訓(xùn)室不要亂動(dòng)電源。 二、復(fù)習(xí)提問:生活中哪些電子元器件是利用半導(dǎo)體制作出來的? 三、導(dǎo)入新課:我們的生活中根據(jù)導(dǎo)電能力的強(qiáng)弱可以分成哪幾種,這節(jié)課我

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泰德半導(dǎo)體

泰德半導(dǎo)體

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泰德半導(dǎo)體 4.7

no.typevivofrepackageioηmax ocp otp sp 技術(shù)誤 差 同類pin對(duì)pin產(chǎn)品型 號(hào) 適用產(chǎn)品范圍備注 1td14103.6~201.222~18380khzsop-82a95%y≤3% mps1410/9141/act4060/a tc4012/fsp3126/za3020 等 便攜式dvd、lcd顯示驅(qū)動(dòng)板。液晶顯示器、液晶電視、數(shù)碼相 框.電信adsl.車載dvd/vcd/cd.gps。安防等 td1410采用cmos工藝/6寸晶圓。是一款高效率低損耗,工作穩(wěn)定,性價(jià)比 很高使用面廣的dc/dc電源管理芯片。 3td15341~200.8~18380khzsop82a95%y≤2%mp1513td1513 路由器,便攜式dvd、機(jī)頂盒、平板電腦、筆記本電腦、lcd顯示 驅(qū)動(dòng)板.液晶

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太陽(yáng)能半導(dǎo)體空調(diào)的實(shí)驗(yàn)研究與數(shù)值模擬

太陽(yáng)能半導(dǎo)體空調(diào)的實(shí)驗(yàn)研究與數(shù)值模擬

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太陽(yáng)能半導(dǎo)體空調(diào)的實(shí)驗(yàn)研究與數(shù)值模擬 3

太陽(yáng)能半導(dǎo)體空調(diào)的實(shí)驗(yàn)研究與數(shù)值模擬——試制了一種風(fēng)冷散熱的太陽(yáng)能半導(dǎo)體空調(diào)實(shí)驗(yàn)樣機(jī),并對(duì)其在不同工作電流下的性能進(jìn)行了測(cè)試,得到了空調(diào)樣機(jī)在不同運(yùn)行工況下的運(yùn)行參數(shù);同時(shí)對(duì)空調(diào)樣機(jī)進(jìn)行了數(shù)值模擬,并與實(shí)驗(yàn)結(jié)果相比較,兩者能很好的吻合.通過對(duì)...

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太陽(yáng)能半導(dǎo)體空調(diào)的實(shí)驗(yàn)研究與數(shù)值模擬

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太陽(yáng)能半導(dǎo)體空調(diào)的實(shí)驗(yàn)研究與數(shù)值模擬 4.5

試制了一種風(fēng)冷散熱的太陽(yáng)能半導(dǎo)體空調(diào)實(shí)驗(yàn)樣機(jī),并對(duì)其在不同工作電流下的性能進(jìn)行了測(cè)試,得到了空調(diào)樣機(jī)在不同運(yùn)行工況下的運(yùn)行參數(shù);同時(shí)對(duì)空調(diào)樣機(jī)進(jìn)行了數(shù)值模擬,并與實(shí)驗(yàn)結(jié)果相比較,兩者能很好的吻合.通過對(duì)實(shí)驗(yàn)和數(shù)值模擬結(jié)果方法的總結(jié)和比較,分析了熱電系數(shù)、風(fēng)量、工作電流等不同參數(shù)對(duì)空調(diào)樣機(jī)性能的影響.分析結(jié)果表明,該數(shù)值模擬方法可為太陽(yáng)能半導(dǎo)體空調(diào)的優(yōu)化設(shè)計(jì)提供除采用實(shí)際測(cè)試外的另一種方法,節(jié)省了設(shè)計(jì)時(shí)間和經(jīng)費(fèi).

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含瓦斯煤巖破裂過程流固耦合數(shù)值模擬

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含瓦斯煤巖破裂過程流固耦合數(shù)值模擬——根據(jù)煤巖體介質(zhì)變形與瓦斯?jié)B流的基本理論,考慮到煤巖介質(zhì)材料力學(xué)性質(zhì)的非均勻性特點(diǎn)以及煤巖介質(zhì)變形破裂過程中透氣-l生的非線性變化特性以及煤巖體變形破裂過程中瓦斯?jié)B流與煤巖體變形間的耦合作用,在巖石破裂過程...

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半導(dǎo)體斷路開關(guān)電路流體耦合數(shù)值模擬精華文檔

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異徑管沖蝕失效的流固耦合數(shù)值模擬

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異徑管沖蝕失效的流固耦合數(shù)值模擬 4.8

針對(duì)異徑管的沖蝕失效問題,以管壁腐蝕產(chǎn)物保護(hù)膜為研究對(duì)象,主要研究流固耦合對(duì)管道沖蝕破壞的作用機(jī)理.建立流固耦合數(shù)理模型,推導(dǎo)出在任意拉格朗日-歐拉(arbitrarylagrange-euler,ale)描述下的黏性流體n-s方程和腐蝕產(chǎn)物保護(hù)膜固體區(qū)域的控制方程,分析管壁邊界層多相流介質(zhì)流動(dòng)與腐蝕產(chǎn)物保護(hù)膜破損之間的耦合作用.以異徑管沖蝕失效為例,運(yùn)用多物理場(chǎng)耦合軟件,分析了異徑管流體流向、結(jié)構(gòu)和規(guī)格對(duì)保護(hù)膜變形的影響,模擬結(jié)果表明:流向?yàn)?quot;大進(jìn)小出"的沖蝕較嚴(yán)重;偏心異徑管比同心異徑管沖蝕嚴(yán)重;兩端管徑差越大,沖蝕越嚴(yán)重.可為異徑管的失效分析、優(yōu)化設(shè)計(jì)和在役檢驗(yàn)提供參考.

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半導(dǎo)體、電子設(shè)備:國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備廠商將受益薦5股

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半導(dǎo)體、電子設(shè)備:國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備廠商將受益薦5股 4.7

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半導(dǎo)體探測(cè)器

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半導(dǎo)體探測(cè)器 4.5

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金屬熔體電磁攪拌電磁-熱-流體耦合場(chǎng)三維數(shù)值模擬 金屬熔體電磁攪拌電磁-熱-流體耦合場(chǎng)三維數(shù)值模擬 金屬熔體電磁攪拌電磁-熱-流體耦合場(chǎng)三維數(shù)值模擬

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金屬熔體電磁攪拌電磁-熱-流體耦合場(chǎng)三維數(shù)值模擬 4.4

為優(yōu)化電磁攪拌工藝,建立了電磁攪拌過程的電磁-熱-流體耦合場(chǎng)數(shù)學(xué)模型,并用ansys軟件進(jìn)行了三維數(shù)值模擬。結(jié)果表明,電磁攪拌時(shí)坩堝內(nèi)漿料中磁感應(yīng)強(qiáng)度、速度場(chǎng)以及溫度場(chǎng)均呈三維分布,漿料頂部中心區(qū)域的速度分布揭示了增強(qiáng)顆粒進(jìn)入漿料的動(dòng)力學(xué)條件,而漿料內(nèi)的循環(huán)流以及坩堝壁附近的剪切流可使初生相、增強(qiáng)顆粒與流體之間產(chǎn)生摩擦、剪切和碰撞,為得到球狀晶和實(shí)現(xiàn)增強(qiáng)顆粒的復(fù)合創(chuàng)造了條件。溫度場(chǎng)計(jì)算結(jié)果表明,在制定攪拌工藝時(shí),應(yīng)根據(jù)合金的兩相區(qū)大小和增強(qiáng)顆粒加入量等,使冷卻速度和攪拌時(shí)間相匹配。電磁攪拌可使溫度分布均勻,擴(kuò)大等溫區(qū),有利于晶核的形成及按等軸晶方式長(zhǎng)大,為得到半固態(tài)組織創(chuàng)造了條件.

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半導(dǎo)體測(cè)試基礎(chǔ)

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半導(dǎo)體測(cè)試基礎(chǔ) 4.4

試基礎(chǔ)——術(shù)語 括一下內(nèi)容: 測(cè)試目的 測(cè)試術(shù)語 測(cè)試工程學(xué)基本原則 基本測(cè)試系統(tǒng)組成 pmu(精密測(cè)量單元)及引腳測(cè)試卡 樣片及測(cè)試程序 術(shù)語 半導(dǎo)體測(cè)試的專業(yè)術(shù)語很多,這里只例舉部分基礎(chǔ)的: 被實(shí)施測(cè)試的半導(dǎo)體器件通常叫做dut(deviceundertest,我們常簡(jiǎn)稱“被測(cè)器件”),或者叫uut(unitunde 我們來看看關(guān)于器件引腳的常識(shí),數(shù)字電路期間的引腳分為“信號(hào)”、“電源”和“地”三部分。 腳,包括輸入、輸出、三態(tài)和雙向四類, 輸入:在外部信號(hào)和器件內(nèi)部邏輯之間起緩沖作用的信號(hào)輸入通道;輸入管腳感應(yīng)其上的電壓并將它轉(zhuǎn)化為內(nèi)部邏輯 輸出:在芯片內(nèi)部邏輯和外部環(huán)境之間起緩沖作用的信號(hào)輸出通道;輸出管腳提供正確的邏輯“0”或“1”的電壓,并 流)。 三態(tài):輸出的一類,它有關(guān)閉的能力(達(dá)到高電阻值的狀態(tài))。 雙向:擁有輸入、輸出功能并能達(dá)到高阻態(tài)的管腳。 腳,“電

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通用半導(dǎo)體樁基

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通用半導(dǎo)體樁基 4.3

目錄 目錄 1 一、 工程概況 3 二、 施工準(zhǔn)備 3 2.1、技術(shù)準(zhǔn)備 3 2.2、現(xiàn)場(chǎng)準(zhǔn)備 3 2.3、樁機(jī)準(zhǔn)備 5 2.4、材料準(zhǔn)備 5 三、施工計(jì)劃 5 3.1、勞動(dòng)力需求計(jì)劃 5 3.2、機(jī)具需用計(jì)劃 5 3.3、施工材料需用計(jì)劃 6 3.4、施工進(jìn)度計(jì)劃 6 四、 施工方案 6 4.1樁基工程 6 4.2土方開挖 8 4.3基礎(chǔ)模板工程 8 4.4基礎(chǔ)鋼筋工程 8 4.5基礎(chǔ)砼工程 9 4.6注意事項(xiàng) 9 五、質(zhì)量管理與保證措施 9 1、質(zhì)量保證體系 9 2、iso9002體系認(rèn)證 10 3、項(xiàng)目配備 10 4、各種質(zhì)量管理制度 10 4.1技術(shù)質(zhì)量責(zé)任制 10 4.2原材料、構(gòu)配件的試驗(yàn)和檢測(cè)制度 10 4.3質(zhì)量崗位制度 11 4.4質(zhì)量預(yù)控制 11 4.5質(zhì)量跟蹤檢查制 11 4.6質(zhì)

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半導(dǎo)體材料7半導(dǎo)體照明工程材料

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斷路開關(guān) 4.6

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半導(dǎo)體銅線工藝流程 (2)

半導(dǎo)體銅線工藝流程 (2)

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半導(dǎo)體銅線工藝流程 (2) 4.6

半導(dǎo)體銅線工藝流程 時(shí)間:2010-09-03剩余:0天瀏覽:37次收藏該信息 一、銅線鍵合工藝 a、銅線工藝對(duì)框架的特殊要求-------銅線對(duì)框架的的要求主要有以下幾點(diǎn): 1、框架表面光滑,鍍層良好; 2、管腳共面性良好,不允許有扭曲、翹曲等不良現(xiàn)象 管腳粗糙和共面性差的框架拉力無法保證且容易出現(xiàn)翹絲和切線造成的燒球不良,壓焊過程 中容易斷絲及出現(xiàn)tailtoo short; b、保護(hù)氣體----安裝的時(shí)候保證e-torch上表面和rightnozzle 的下表面在同一個(gè)平面上.才能保證燒球的時(shí)候,氧化保護(hù)良好.同時(shí)氣嘴在可能的情況下 盡量靠近劈刀,以 保證氣體最大范圍的保護(hù) c、劈刀的選用——同金線相比較,銅線選用劈刀差別不是很大,但還是有一定的差異: 1、銅線劈刀t太小2nd容易切斷,造成拉力不夠或不均勻 2、銅線劈刀cd不能太大,也不

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半導(dǎo)體銅線工藝流程

半導(dǎo)體銅線工藝流程

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半導(dǎo)體銅線工藝流程 4.7

半導(dǎo)體銅線工藝流程 時(shí)刻:2010-09-03剩余:0天掃瞄:37次收藏該 信息 一、銅線鍵合工藝 a、銅線工藝對(duì)框架的專門要求-------銅線 對(duì)框架的的要求要緊有以下幾點(diǎn): 1、框架表面光滑,鍍層良好; 2、管腳共面性良好,不承諾有扭 曲、翹曲等不良現(xiàn)象 管腳粗糙和共面性差的框架拉力無法保證 且容易顯現(xiàn)翹絲和切線造成的燒球不良,壓焊過程中容易斷絲及顯現(xiàn)tailt oo short; b、愛護(hù)氣體----安裝的時(shí)候保證e-torch上 表面和rightnozzle 的下表面在同一個(gè)平面上.才能保證燒球 的時(shí)候,氧化愛護(hù)良好.同時(shí)氣嘴在可能的情形下盡量靠近劈刀,以 保證氣體最大范疇的愛護(hù) c、劈刀的選用——同金線相比較,銅線選 用劈刀差不不是專門大,但依舊有一定的差異: 1、銅線劈刀t太小2nd容易切斷,造 成拉力不夠或不平均 2、銅線

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半導(dǎo)體磁阻式電流傳感器的信號(hào)處理電路設(shè)計(jì) 半導(dǎo)體磁阻式電流傳感器的信號(hào)處理電路設(shè)計(jì) 半導(dǎo)體磁阻式電流傳感器的信號(hào)處理電路設(shè)計(jì)

半導(dǎo)體磁阻式電流傳感器的信號(hào)處理電路設(shè)計(jì)

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半導(dǎo)體磁阻式電流傳感器的信號(hào)處理電路設(shè)計(jì) 4.6

設(shè)計(jì)了一種可以對(duì)微變信號(hào)進(jìn)行提取與放大的信號(hào)處理電路,它適用于insb-in共晶體磁阻元件(mr)制成的半導(dǎo)體薄膜型電流傳感器(mrcs)。通過實(shí)驗(yàn),研究了此種電流傳感器的工作特性,其通頻帶為7hz-1800hz,并從理論上對(duì)其進(jìn)行了分析

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等離子體斷路開關(guān)和電感負(fù)載間的功率流特性 等離子體斷路開關(guān)和電感負(fù)載間的功率流特性 等離子體斷路開關(guān)和電感負(fù)載間的功率流特性

等離子體斷路開關(guān)和電感負(fù)載間的功率流特性

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等離子體斷路開關(guān)和電感負(fù)載間的功率流特性 4.8

利用pic(particleincell)方法,結(jié)合實(shí)驗(yàn)裝置的幾何結(jié)構(gòu)和實(shí)驗(yàn)結(jié)果,采用動(dòng)態(tài)開關(guān)模型,對(duì)微秒等離子體斷路開關(guān)和電感負(fù)載間的功率流特性進(jìn)行了研究。模擬得到了與實(shí)驗(yàn)結(jié)果符合較好的開關(guān)電壓和負(fù)載電流波形,并給出了開關(guān)下游出現(xiàn)的稀薄等離子體的密度(約1012cm-3)和速度(約1cm/ns),同時(shí)也得到了開關(guān)下游的空間電流分布。模擬結(jié)果表明,開關(guān)下游的結(jié)構(gòu)應(yīng)避免阻抗突變以減少電流損失,同時(shí)提高開關(guān)阻抗可有利于提高負(fù)載上的最大功率。

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ALE動(dòng)網(wǎng)格法在流固耦合數(shù)值模擬中的應(yīng)用

ALE動(dòng)網(wǎng)格法在流固耦合數(shù)值模擬中的應(yīng)用

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ALE動(dòng)網(wǎng)格法在流固耦合數(shù)值模擬中的應(yīng)用 4.7

為了解決流固耦合問題中的物體大幅度運(yùn)動(dòng)帶來的困難,采用ale(arbitrarylagrange-euler)動(dòng)網(wǎng)格方法跟蹤自由表面上浮體的運(yùn)動(dòng)。計(jì)算表明:浮體在無粘流體中的垂蕩與彈簧-物體的振動(dòng)模型理論解符合得較好;浮體在粘性流體中的自由橫搖為阻尼運(yùn)動(dòng),其橫搖角度隨時(shí)間的增加而減小,且在不同初始角度下運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)的固有周期相當(dāng)。在有外力力矩激勵(lì)時(shí),外力力矩的周期與系統(tǒng)的固有周期相當(dāng)時(shí)浮體橫搖運(yùn)動(dòng)趨于共振狀態(tài),運(yùn)動(dòng)幅度最大。計(jì)算結(jié)果驗(yàn)證了計(jì)算程序的可靠性與精度。本文方法為ale方法應(yīng)用于流體-多浮體耦合運(yùn)動(dòng)分析奠定了基礎(chǔ)。

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脈沖半導(dǎo)體激光測(cè)距接收電路與計(jì)時(shí)方法研究

脈沖半導(dǎo)體激光測(cè)距接收電路與計(jì)時(shí)方法研究

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脈沖半導(dǎo)體激光測(cè)距接收電路與計(jì)時(shí)方法研究 4.6

脈沖半導(dǎo)體激光測(cè)距接收電路與計(jì)時(shí)方法研究 pulsesemiconductorlaserrangefinder receivingcircuitandtimingmethod 摘要 本論文詳細(xì)討論了一種可實(shí)現(xiàn)高速激光測(cè)距的接收電路和計(jì)時(shí)電 路。實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)采用apd作為光電傳感器,將激光脈沖信號(hào)轉(zhuǎn)變?yōu)槲⑷?電流脈沖,經(jīng)過兩級(jí)放大后,信號(hào)變?yōu)榉容^大的電壓脈沖,經(jīng)過時(shí)點(diǎn) 鑒別電路分別確定計(jì)時(shí)起點(diǎn)和終點(diǎn)后,由計(jì)時(shí)電路來精確測(cè)量?jī)蓚€(gè)時(shí)間 點(diǎn)之間的時(shí)間間隔。基于傳遞延時(shí)插入法和cpld的工作原理,對(duì)快速 測(cè)距技術(shù)進(jìn)行了研究,研制了一種能實(shí)現(xiàn)收到回波脈沖后80ns內(nèi)完成 測(cè)距,測(cè)距精度士0.2m的計(jì)時(shí)電路,并將該電路集成于一片可編程邏 輯器件中,減小了電路面積和功耗,增強(qiáng)了抗干擾能力。 關(guān)鍵詞:高速測(cè)距邏輯器件傳遞延時(shí)apd激光測(cè)距 abstract at

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電力半導(dǎo)體器件

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電力半導(dǎo)體器件 4.4

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半導(dǎo)體斷路開關(guān)電路流體耦合數(shù)值模擬相關(guān)

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劉建欣

職位:巖土工程師

擅長(zhǎng)專業(yè):土建 安裝 裝飾 市政 園林

半導(dǎo)體斷路開關(guān)電路流體耦合數(shù)值模擬文輯: 是劉建欣根據(jù)數(shù)聚超市為大家精心整理的相關(guān)半導(dǎo)體斷路開關(guān)電路流體耦合數(shù)值模擬資料、文獻(xiàn)、知識(shí)、教程及精品數(shù)據(jù)等,方便大家下載及在線閱讀。同時(shí),造價(jià)通平臺(tái)還為您提供材價(jià)查詢、測(cè)算、詢價(jià)、云造價(jià)、私有云高端定制等建設(shè)領(lǐng)域優(yōu)質(zhì)服務(wù)。手機(jī)版訪問: 半導(dǎo)體斷路開關(guān)電路流體耦合數(shù)值模擬