HgCdTe長波光伏探測器的表面漏電流及1/f噪聲研究
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4.5
在同一Hg1-xCdxTe晶片上(x=0.217)制備了單層ZnS鈍化和雙層(CdTe+ZnS)鈍化的兩種器件,對器件烘烤前后的暗電流和1f噪聲進行了測試,烘烤前發(fā)現(xiàn),ZnS鈍化的器件在反偏較大時具有較大的表面隧道電流,而這種表面漏電流是ZnS鈍化器件具有較大1f噪聲電流的原因,通過高分辨x射線衍射中的倒易點陣技術(reciprocal spacemapping,RSM)研究了單雙層鈍化對HgCdTe外延層晶格完整性的影響,發(fā)現(xiàn)單層ZnS鈍化的HgCdTe外延層產(chǎn)生了大量缺陷,而這些缺陷正是ZnS鈍化器件具有較大表面漏電流和1f噪聲的原因.經(jīng)過高溫烘烤后,ZnS鈍化的器件暗電流和1f噪聲增加,而雙層鈍化器件經(jīng)過高溫烘烤后性能提高.RSM的研究表明,高溫烘烤后ZnS鈍化的HgCdTe外延層產(chǎn)生大量缺陷,這些缺陷正是單層鈍化器件表面漏電流和1f噪聲電流增加的原因.
Hg_(1-x)Cd_xTe光伏探測器的表面漏電流機制及其鈍化
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表面漏電流能對hg1-xcdxte光伏探測器性能產(chǎn)生很大的影響,因此選擇合適的鈍化工藝尤其重要。本文主要論述了hg1-xcdxte光伏探測器表面漏電流機制及其鈍化技術的發(fā)展狀況。
銻化銦光伏探測器中的應力感應漏電問題
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用一個柵極可控二極管器件來研究外加應力對銻化銦(insb)p~+/n光伏紅外探測器的漏電影響。通過實驗證實了外加應力與柵極之間在其對電流-電壓(i-v)特性的影響方面是等效的。在p~+/n結附近,外加柵電壓與感應電荷載流子密度之間引入一個顯式解析關系式,并在液氮溫度下、在一種柵電壓和適宜應力下,利用瞬時測量i-v特性技術,取得了相當于某一給定應力下的局部感應表面及體內(nèi)電荷載流子密度。對在壓電-半導體器件中因柵電壓或因應力感應所致的漏電位置也作了討論。
CdSe核輻射探測器的噪聲與漏電流
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4.4
對具有金屬-半導體-金屬(msm)結構的cdse探測器的噪聲進行了實驗觀測,并對探測器中光生載流子的輸運過程進行了分析,結果表明探測器的噪聲是由從正極注入的空穴電流引起的.因此只有改變正極接觸,才能有效地阻止空穴注入,從而消除探測器噪聲.
CdSe核輻射探測器的噪聲與漏電流
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4.4
對具有金屬-半導體-金屬(msm)結構的cdse探測器的噪聲進行了實驗觀測,并對探測器中光生載流子的輸運過程進行了分析,結果表明探測器的噪聲是由從正極注入的空穴電流引起的。因此只有改變正極接觸,才能有效地阻止空穴注入,從而消除探測器噪聲。
3-4光伏探測器
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4.5
3.4光伏探測器(pv——photovoltaic) 光伏探測器——利用光生伏特效應制成的光電探測器,是結型探測器。 原理:在內(nèi)建電場的作用下,電子——空穴對漂移至兩端,形成電壓。 §3.4.1光伏探測器的工作原理 一、熱平衡下的pn結 1.幾個物理參數(shù) 勢壘高度 2ln ad d i nn qvkt n ? = 結區(qū)寬度 1/22[()()]adl ad nn wv qnn v εε+ =?- ? pn結電容1/20 1 [()()] 2 ad j add qnn ca nnvv εε? =? +- 2.pn結電流方程(伏安特性曲線) 1:正向導通部分2:反向截止部分3:反向擊穿部分 / 00 qvkt diiei=- id:流過pn結的電流 i0:pn結的反向飽和電流 v:加在pn結上的正
多通道Si—PIN探測器漏電流測量系統(tǒng)的設計和實現(xiàn)??
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4.6
中能望遠鏡是硬x射線望遠鏡衛(wèi)星三大載荷之一,其探測器采用的是大面積si—pin探測器陣列。探測器的漏電流是影響x射線譜儀能量分辨率的一個關鍵因素。中能望遠鏡項目組在研發(fā)si—pin探測器的常溫篩選環(huán)節(jié)中,將探測器漏電流作為一項重要考核指標。為了對探測器漏電流實現(xiàn)高精度、快速的測量,研制了多通道si—pin探測器漏電流測量系統(tǒng)。測量結果表明,使用該系統(tǒng)得到的漏電流結果精度較高,可直接應用到項目研制中去。
鈍化處理對CdZnTe Γ射線探測器漏電流的影響
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4.3
表面漏電流引起的噪聲會限制cdznte探測器的性能,尤其對于共面柵探測器,漏電噪聲的大小與器件的電極設計和表面處理工藝密切相關。研究了化學鈍化的工藝條件對cdznte表面狀態(tài)的影響,借助原子力顯微鏡、電子探針和微電流測試儀等手段,研究了czt表面形貌、組成等特性與器件電學性能之間的關系,有效地降低了器件的表面漏電流
基于LabVIEW的窄隙室探測器漏電流自動監(jiān)測系統(tǒng)
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4.5
利用圖形化編程環(huán)境labview和數(shù)據(jù)采集卡ni4351,建立了一套tgc探測器高電壓測試的漏電流自動監(jiān)測系統(tǒng),實現(xiàn)了漏電流的自動監(jiān)測和記錄,實時地顯示了產(chǎn)生漏電流的時刻和漏電流的大小,獲得了較好的監(jiān)測效率和精度。
激光對光伏探測器真空破壞的實驗研究
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4.5
為了進一步研究激光對光電探測器的損傷破壞特性,以損傷面積和開路電壓的變化為判斷標準,實驗研究了真空環(huán)境與大氣環(huán)境中,脈沖激光輻照對光伏型探測器的破壞特性。選用無覆蓋層的2cr10×2.5四象限硅光電池作為探測器試件,輻照光源為波長1064nm的nd∶yag脈沖激光器。分析討論了真空及大氣環(huán)境下,單脈沖及多脈沖激光打擊時,光伏型探測器的破壞閾值及破壞形貌的區(qū)別及其成因。實驗分析比較了不同環(huán)境下的破壞面積異同及其對光伏型探測器的影響。結果表明,真空環(huán)境中的破壞閾值明顯低于大氣環(huán)境,在本文中的實驗條件下,其實際閾值約為大氣中的40%。該研究在光電對抗及有效防護等方面有重要意義。
PbTe中紅外光伏探測器
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4.7
利用自主的分子束外延(mbe)技術在cdznte(111)基底上生長pbte半導體探測器材料,通過在pbte薄膜上沉積in2o3透明導電薄膜、zns絕緣保護層和in薄膜做電極,制成pbte結型中紅外光伏探測器.在77k溫度下,器件響應波長為1.5~5.5μm,實驗測量的探測率為2×1010cm.hz1/2w-1,由r0a值計算的探測器峰值探測率達到4.35×1010cm.hz1/2w-1.隨著溫度的升高,截止波長發(fā)生藍移,探測率降低.分析了影響探測器探測率和r0a值的主要因素.
基于MOSFET漏電流溫度特性的室溫紅外探測器
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4.7
基于mosfet的漏電流溫度特性,提出了一種可與cmos工藝兼容的新型室溫紅外探測器。它采用在soi襯底上實現(xiàn)的mosfet作為探測紅外靈敏元,在mosfet的鈍化層上制作可提高紅外吸收率的光學諧振腔,并利用硅微機械加工技術將soi的隱埋氧化層懸空,形成熱絕緣微橋結構。mosfet在擔當探測紅外輻射靈敏元的同時,又作為放大處理電路的一部分,簡化了電路。分析表明,探測器的探測率可高達109~1010cmhz1/2w-1。
直接測量法測定CZT探測器漏電流與結電容
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4.5
為彌補czt探測器漏電流與結電容間接測量法的不足,采用直接測量法重新設計了測試方案。通過對czt探測器的測試,給出了更精確的漏電流與結電容的數(shù)值,并將之與間接測量法的數(shù)據(jù)作了相應的對比,為czt探測器的應用提供了更可靠的依據(jù)。
探測電纜老化的光纖直流漏電流法
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4.7
電力電纜絕緣可靠性直接影響電氣化鐵道及其設備供電的安全穩(wěn)定運行。合理選擇故障測試設備,準確、快速查找電纜老化故障已經(jīng)引起國內(nèi)外專家學者的廣泛關注。本文在分析電力電纜老化現(xiàn)象的基礎上,探討當前常用的老化探測方法,提出了光纖直流漏電流探測法,通過與以往的探測方法進行比較,表明光纖直流漏電流探測法能夠有效降低環(huán)境干擾,提高測量精度。
離子注入減小條形射線探測器表面漏電的研究
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4.3
選擇高阻n型〈100〉單晶硅材料,x射線探測器為pin管結構.為了減少器件表面缺陷對暗電流的影響,在器件p區(qū)的兩側使用離子注入形成淺層低濃度n區(qū),以減小器件的暗電流.通過對比實驗發(fā)現(xiàn),當n區(qū)的注量增大時,在相同反向偏壓條件下,器件的暗電流密度隨之減小,同時擊穿電壓也相應減小.為了減小器件的工作電壓并進一步減小工作時的暗電流密度,還將器件的背面進行厚度減薄、拋光和ausb/au合金形成歐姆接觸.對減薄后的器件進行iv特性測量,由于工作電壓大幅降低,器件正常工作時的暗電流密度大幅度減小.同時在實驗中發(fā)現(xiàn)溫度對暗電流的影響非常大,將器件溫度降低到-15℃時,暗電流密度可降低到1na·mm-2以下.
懸式瓷制絕緣子泄漏電流與表面污穢的關系
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4.7
為研究泄漏電流與相對空氣濕度和污穢度的關系,以人工霧室內(nèi)的大量人工污穢試驗為依據(jù),試驗研究了瓷制絕緣子表面泄漏電流隨相對空氣濕度及污穢程度的逐步提升而不斷增長的規(guī)律。結果表明,泄漏電流同空氣相對濕度和污穢度之間存在著非線性關系;隨著相對空氣濕度和絕緣子表面污穢度的增加,表面放電現(xiàn)象明顯加劇,泄漏電流隨之增大,泄漏電流中3次諧波占基波比例也隨之增加;濕度達到≥55%時,泄漏電流增幅明顯。
漏電流傳感器 (2)
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4.7
漏電流傳感器 一、漏電流傳感器的原理: 漏電流傳感器用于直流ma級微小電流的隔離、穿孔式測量,可按用戶需求定制不同可定制。 漏電流傳感器環(huán)繞安裝在直流回路的正負出線上,當裝置運行時,實時檢測各支路傳感器輸 出的信號,當支路絕緣情況正常時,流過傳感器的電流大小相等,方向相反,其輸出信號為 零;當支路有接地時,漏電流傳感器有差流流過,傳感器的輸出不為零。因此通過檢測各支 路傳感器的輸出信號,就可以判斷直流系統(tǒng)接地支路。該原理選線精度高,不受線路分布電 容的影響。漏電流傳感器零七五五三六六一五六零一 二、漏電流傳感器的特點 1.可測量漏電流、小電流(微安、毫安級電流測量) 2.快速響應,無擊穿現(xiàn)象 3.初級和次級高度隔離 4.極低的功耗 5.靈敏度高 6.穿孔式測量,安裝簡單,使用方便 三、漏電流傳感器的應用 漏電流傳感器廣泛適用于電力、通信、氣象、鐵路、油田、建筑
漏電流互感器
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4.7
1 ldct漏電流互感器 一.概述 此款傳感器是專為各種電力設備的絕緣在線監(jiān)測系統(tǒng)的交流泄漏電流采樣而設計的。由于泄 漏電流通常為ma級,且必須用一匝穿芯結構,用常規(guī)互感器在如此小的安匝數(shù)下根本無法 測量。此款傳感器采用“零磁通技術”自動補償設計。使互感器始終處于理想的“零磁通” 工作狀態(tài),保證了其比值差和相位差的最高精度。自動補償?shù)脑O計幾乎不受溫度、振動及磁 滯回線的影響。由于采用無源結構,除有幾個電阻外,再無任何電子部件,工作穩(wěn)定可靠。 采用高導磁率的鐵鎳材料,其線性度、穩(wěn)定性更高,性能更好。采用標準化設計,具有很好 的互換性。無需現(xiàn)場整定,只要安裝完畢就可投入使用。 二。電氣參數(shù): 工作頻率:50hz高頻:0~100k 額定電流:300ma、500ma、1000ma 測量范圍:0.5~2000ma(ac) 輸出信號類型:1、mv/ma;2、變比電流輸
漏電流傳感器 (3)
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4.5
漏電流傳感器 一、漏電流傳感器的介紹 信瑞達漏電流傳感器依據(jù)互感器電磁隔離、磁調(diào)制工作原理將被測交流微電流、直流微 電流轉換成直流電流、直流電壓并隔離輸出標準模擬信號或數(shù)字信號的裝置,執(zhí)行標準:gb/t 13850-1998。廣泛應用于直流及交流供電系統(tǒng)的母線及各支路絕緣情況實時監(jiān)測。 傳感器通用技術條件:漏電流傳感器的引用標準及規(guī)則是gb/t13850-1998,它的相對濕 度是≤93%,準確度等級是0.5、1.0級,貯藏條件是溫度-40~70℃相對濕度是20~90%, 無凝露,工作溫度是-10~55℃,平均無故障時間是≥80000h。 二、漏電流傳感器的原理: 漏電流傳感器用于直流ma級微小電流的隔離、穿孔式測量,可按用戶需求定制不同可 定制。漏電流傳感器環(huán)繞安裝在直流回路的正負出線上,當裝置運行時,實時檢測各支路傳 感器輸出的信號,當支
泄漏電流的測量(三)——關于家用電器標準泄漏電流測量的探討
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4.8
泄漏電流的測量(三)——關于家用電器標準泄漏電流測量的探討
通過降低表面漏泄電流提高InAs/GaSb應變層超晶格探測器性能
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4.8
基于ⅱ型中波紅外和長波紅外inas/gasb應變層超晶格的光電二極管可以用于民用和軍用領域的各個方面。目前,這些領域最常用的探測器都是碲鎘汞探測器。但是,碲鎘汞合金的電子質量較小(約為0.009m_0),由于隧道效應的關系,它們會產(chǎn)生過多的暗電流。況且,大面積空間均勻性不足對于碲鎘汞探測器來說依然是個
避雷器泄漏電流表異常分析
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4.4
避雷器是保證電力系統(tǒng)安全運行的重要保護設備之一,主要用于限制由線路傳來的雷電過電壓或由操作引起的內(nèi)部過電壓,而泄露電流又是考核避雷器好壞的一個非常重要的參考指標。本文對避雷器泄露電流表異常狀況進行了分析,并總結了一些經(jīng)驗和教訓。
氧化鋅避雷器泄漏電流在線檢測的研究
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4.5
近些年來,作者在對氧化鋅避雷器運行調(diào)查中發(fā)現(xiàn),氧化鋅避雷器在運行的過程中,通過避雷器泄漏電流的在線檢測,能及時了解避雷器的運行狀況,發(fā)現(xiàn)避雷器的存在的問題,分析判斷出問題發(fā)展趨勢,從而及時做好相關的處理措施,維護電力系統(tǒng)安全運行。對此,本文主要對氧化鋅避雷器泄漏電流在線檢測進行分析。氧化鋅避雷器是一種能吸收釋放過電壓能量、限制過電壓幅值的保護設備,主要是保護電力設備絕緣免受瞬時過電壓能量破壞,是目前電力系統(tǒng)中性能最好、發(fā)展最快的過電壓保護裝置,成為電力系統(tǒng)消除各種過電壓的主要設備。
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職位:水利水電工程勘察設計人員
擅長專業(yè):土建 安裝 裝飾 市政 園林