可測(cè)定電容器和半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)漏電電流的簡(jiǎn)單夾具
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4.4
圖1a中的電路由一個(gè)電壓跟隨器IC1,和參考電壓源IC2構(gòu)成。IC1是Analog Devices的AD8661運(yùn)算放大器,其輸出偏置電
并聯(lián)電容器容量和電流的估算
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并聯(lián)電容器容量和電流的估算
漏電電流檢測(cè)器接線圖
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hs-l804/08/12/16t 010203040506070809101112 13141516171819202122 tatbtcto nablg 24v rvvsp 2x10. hs-zl02 tctbtatctbta b tatbtcto hszl02- ab++ () a + b a + hs-l801t 010203040506070809101112 13141516171819202122 tatbtcto nablg 24v rvvsp 2x10. hs-zl01 tctbta tatbtcto + () hs-m8p104/08/12/16t iaia’ibib’icic’ 0102030405060
漏電電流保護(hù)器的工作原理
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4.4
文主要介紹漏電電流保護(hù)器的組成,基本工作原理及其常用漏電保護(hù)器的性能參數(shù)。
半導(dǎo)體磁阻式電流傳感器的信號(hào)處理電路設(shè)計(jì)
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4.6
設(shè)計(jì)了一種可以對(duì)微變信號(hào)進(jìn)行提取與放大的信號(hào)處理電路,它適用于insb-in共晶體磁阻元件(mr)制成的半導(dǎo)體薄膜型電流傳感器(mrcs)。通過(guò)實(shí)驗(yàn),研究了此種電流傳感器的工作特性,其通頻帶為7hz-1800hz,并從理論上對(duì)其進(jìn)行了分析
意法半導(dǎo)體新增電流可編程MOSFET電源開(kāi)關(guān)
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4.7
意法半導(dǎo)體(st)推出一款用usb及高側(cè)負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)用的低壓p溝道m(xù)osfet電源開(kāi)關(guān)st890。其工作電壓范圍在2.7到5.5v之間,內(nèi)置具有過(guò)載保護(hù)功能的可編程限流電路,以及限制功耗和結(jié)溫的熱負(fù)載保護(hù)電路。應(yīng)用于pcmcia和其它接入總線的插槽內(nèi),比如,在便攜設(shè)備中,在不斷電的情況下自由插拔的插接卡的卡槽。最大電流為1.2
數(shù)值模擬研究半導(dǎo)體斷路開(kāi)關(guān)的電流截?cái)嗵匦?/p>
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4.5
半導(dǎo)體斷路開(kāi)關(guān)(sos)效應(yīng)的發(fā)現(xiàn),促進(jìn)了全固態(tài)脈沖功率源技術(shù)的發(fā)展和應(yīng)用。采用一維流體模型,利用sos數(shù)值模擬程序?qū)os二極管p+-p-n-n+結(jié)構(gòu)的電流截?cái)嗵匦赃M(jìn)行了數(shù)值模擬研究。研究了sos二極管p區(qū)擴(kuò)散深度、外電路參數(shù)對(duì)sos電流截?cái)嗵匦缘挠绊?。結(jié)果表明:p區(qū)擴(kuò)散深度、次級(jí)儲(chǔ)能電容c2、反向泵浦電感l(wèi)-的大小對(duì)sos的反向電流截?cái)鄷r(shí)間均有較大影響;隨著次級(jí)儲(chǔ)能電容和反向泵浦電感的增大,電流截?cái)鄷r(shí)間增大,反向電流峰值和反向電壓峰值減小。該研究對(duì)sos二極管工藝設(shè)計(jì)和外電路優(yōu)化設(shè)計(jì)具有理論意義和實(shí)用價(jià)值。
防火漏電電流動(dòng)作報(bào)警器
防火漏電電流動(dòng)作報(bào)警器
《防火漏電電流動(dòng)作報(bào)警器》
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4.5
防火漏電電流動(dòng)作報(bào)警器 residualcurrentoperatedalarmdevicesforfireprevention 自??1993-11-1??起執(zhí)行g(shù)b14287-1993 1主題內(nèi)容與適用范圍 本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了防火漏電電流動(dòng)作報(bào)警器的產(chǎn)品分類、技術(shù)要求、試驗(yàn)方法及檢驗(yàn)規(guī)則。 本標(biāo)準(zhǔn)適用于一般工業(yè)與民用建筑中安裝的,被保護(hù)線路額定頻率為交流50hz,額定電壓不大于380v,額定 電流不大于315a的防火漏電電流動(dòng)作報(bào)警器。 2引用標(biāo)準(zhǔn) gb電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)a:低溫試驗(yàn)方法 gb電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)b:高溫試驗(yàn)方法 gb電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)ca:恒定濕熱試驗(yàn)方法 gb電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)ea:沖擊試驗(yàn)方法 gb電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)fc:振動(dòng)
變電站電容器裝置中電容器額定電壓的合理選擇
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4.3
變電站電容器裝置中電容器額定電壓的合理選擇
直接測(cè)量法測(cè)定CZT探測(cè)器漏電流與結(jié)電容
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4.5
為彌補(bǔ)czt探測(cè)器漏電流與結(jié)電容間接測(cè)量法的不足,采用直接測(cè)量法重新設(shè)計(jì)了測(cè)試方案。通過(guò)對(duì)czt探測(cè)器的測(cè)試,給出了更精確的漏電流與結(jié)電容的數(shù)值,并將之與間接測(cè)量法的數(shù)據(jù)作了相應(yīng)的對(duì)比,為czt探測(cè)器的應(yīng)用提供了更可靠的依據(jù)。
電容器.
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4.8
電容器 班級(jí)姓名日期 一、電容器 1.組成:由兩個(gè)彼此________又相互________的導(dǎo)體組成. 2.帶電量:每個(gè)極板所帶電荷量的__________. 3.電容器的充電和放電 充電:使電容器帶電的過(guò)程,充電后電容器兩極板帶上等量的 ____________,電容器中儲(chǔ)存__________. 放電:使充電后的電容器失去電荷的過(guò)程,放電過(guò)程中__________ 轉(zhuǎn)化為其他形式的能. 二、電容 1.定義:電容器所帶的____________與電容器兩極板間的電勢(shì)差u 的比值. 2.定義式:____________ 3.物理意義:表示電容器____________本領(lǐng)大小的物理量. 三、平行板電容器 1.影響因素:平行板電容器的電容與________成正比,與介質(zhì)的 _______成正比,與________成反比. 2.決定式:c=____
電纜半導(dǎo)體層和銅屏蔽的作用
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4.8
電纜半導(dǎo)體層和銅屏蔽的作用 在電纜結(jié)構(gòu)上的所謂“屏蔽”,實(shí)質(zhì)上是一種改善電場(chǎng)分 布的措施。電纜導(dǎo)體由多根導(dǎo)線絞合而成,它與絕緣層之間 易形成氣隙,導(dǎo)體表面不光滑,會(huì)造成電場(chǎng)集中。在導(dǎo)體表 面加一層半導(dǎo)電材料的屏蔽層,它與被屏蔽的導(dǎo)體等電位并 與絕緣層良好接觸,從而避免在導(dǎo)體與絕緣層之間發(fā)生局部 放電,這一層屏蔽為內(nèi)屏蔽層;同樣在絕緣表面和護(hù)套接觸 處也可能存在間隙,是引起局部放電的因素,故在絕緣層表 面加一層半導(dǎo)電材料的屏蔽層,它與被屏蔽的絕緣層有良好 接觸,與金屬護(hù)套等電位,從而避免在絕緣層與護(hù)套之間發(fā) 生局部放電,這一層屏蔽為外屏蔽層;沒(méi)有金屬護(hù)套的擠包 絕緣電纜,除半導(dǎo)電屏蔽層外,還要增加用銅帶或銅絲繞包 的金屬屏蔽層,這個(gè)金屬屏蔽層的作用,在正常運(yùn)行時(shí)通過(guò) 電容電流;當(dāng)系統(tǒng)發(fā)生短路時(shí),作為短路電流的通道,同時(shí) 也起到屏蔽電場(chǎng)的作用。 可見(jiàn),如果電纜中這層外半導(dǎo)體層和銅屏蔽不存在,
漏電開(kāi)關(guān)過(guò)電流脫扣器額定電流的選擇
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4.8
漏電開(kāi)關(guān)過(guò)電流脫扣器額定電流的選擇
半導(dǎo)體、電子設(shè)備:國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備廠商將受益薦5股
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4.7
半導(dǎo)體、電子設(shè)備:國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備廠商將受益薦5股
關(guān)于低壓饋電開(kāi)關(guān)漏電保護(hù)的探討
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4.3
介紹一種新型低壓饋電開(kāi)關(guān)保護(hù)器裝置,通過(guò)對(duì)零序電壓及零序電流的相位關(guān)系來(lái)定性確定是本回路或是其他回路發(fā)生漏電,利用附加直流原理來(lái)定量確定絕緣電阻值是否降低到動(dòng)作規(guī)定值,具有功率方向型選擇性判斷、其精確度高,可靠性好,適宜煤礦井下供電。
半導(dǎo)體探測(cè)器
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4.5
半導(dǎo)體探測(cè)器
安森美半導(dǎo)體推出自保護(hù)電子保險(xiǎn)絲用于侵入電流限制應(yīng)用
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4.4
安森美半導(dǎo)體推出自保護(hù)電子保險(xiǎn)絲用于侵入電流限制應(yīng)用
電器公司電容器檢驗(yàn)作業(yè)指導(dǎo)書(shū)
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4.6
電容器檢驗(yàn)作業(yè)指導(dǎo)書(shū) 制訂日期2003年08月23日 修訂日期2019年3月12日 實(shí)施日期2019年3月12日 批準(zhǔn) 總經(jīng)理 審核制定 工程部生產(chǎn)管理部pe部qa部開(kāi)發(fā)技術(shù)部iqc檢查部tqm部管理小組 電容器檢驗(yàn)作業(yè)指導(dǎo)書(shū) 更改記錄 發(fā)行日期版次更改內(nèi)容 2003/08/23 2006/04/17 2007/05/14 2009/04/10 2019/3/12 1 2 3 5 6 初版發(fā)行 根據(jù)公司組織架構(gòu)圖 1)取消qm推進(jìn)部,新設(shè)制品保證部和部材保證部 (原制品保證課變更為制品保證部,原部材保證課變更為部材保證部)。 2)追加品質(zhì)技術(shù)推進(jìn)室和特化物對(duì)應(yīng)推進(jìn)室。 1.公司組織結(jié)構(gòu)圖變更,取消報(bào)關(guān)物流部,報(bào)關(guān)課與物流課納入生產(chǎn)管理部。 2.根據(jù)公司組織結(jié)構(gòu)圖,品質(zhì)技術(shù)推進(jìn)室變更為制造企畫(huà)室。 1.
電容器參數(shù)大全
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4.8
電容器 電容器通常簡(jiǎn)稱其為電容,用字母c表示。電容是電子設(shè)備中大量使用的電子元件之一,廣泛應(yīng)用于隔直,耦 合,旁路,濾波,調(diào)諧回路,能量轉(zhuǎn)換,控制電路等方面。定義2:電容器,任何兩個(gè)彼此絕緣且相隔很近的 導(dǎo)體(包括導(dǎo)線)間都構(gòu)成一個(gè)電容器。 相關(guān)公式 電容器的電勢(shì)能計(jì)算公式:e=cu^2/2=qu/2 多電容器并聯(lián)計(jì)算公式:c=c1+c2+c3+?+cn 多電容器串聯(lián)計(jì)算公式:1/c=1/c1+1/c2+?+1/cn 三電容器串聯(lián)c=(c1*c2*c3)/(c1*c2+c2*c3+c1*c3) 標(biāo)稱電容量和允許偏差 標(biāo)稱電容量是標(biāo)志在電容器上的電容量。在國(guó)際單位制里,電容的單位是法拉,簡(jiǎn)稱法,符號(hào)是f, 常用的電容單位有毫法(mf)、微法(μf)、納法(nf)和皮法(pf)(皮法又稱微微法)等,換算關(guān)系是: 1法拉(f)=1000毫
安森美半導(dǎo)體推出業(yè)內(nèi)首個(gè)電源開(kāi)關(guān)應(yīng)用的同步整流器
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4.7
全球領(lǐng)先的先進(jìn)電源管理解決方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體公司日前宣布推出業(yè)內(nèi)首個(gè)整裝同步整流器,此集成方案解決設(shè)計(jì)人員需采用分立元件以達(dá)到高功率密度的難題。
礦用饋電開(kāi)關(guān)漏電保護(hù)的探討
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4.7
介紹了煤礦井下饋電開(kāi)關(guān)漏電保護(hù)的原理和特點(diǎn),分析了漏電故障的電氣特征以及饋電開(kāi)關(guān)漏電保護(hù)在使用中不正常工作的原因。
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職位:測(cè)繪技術(shù)員
擅長(zhǎng)專業(yè):土建 安裝 裝飾 市政 園林