單刀雙擲開(kāi)關(guān)在自動(dòng)增益控制電路中的應(yīng)用

以0.25μmgaasphemt為基礎(chǔ),介紹了微波單片集成電路開(kāi)關(guān)模型的設(shè)計(jì)、測(cè)試及建模過(guò)程,并以此平臺(tái)開(kāi)展了單刀雙擲開(kāi)關(guān)芯片的設(shè)計(jì)與研制。討論了phemt開(kāi)關(guān)建模的重要性,解決了建模中的關(guān)鍵問(wèn)題,包括開(kāi)關(guān)的設(shè)計(jì)、測(cè)試系統(tǒng)的校準(zhǔn)、模型參數(shù)的提取,建立了毫米波范圍內(nèi)高精度的等效電路模型。單刀雙擲開(kāi)關(guān)的設(shè)計(jì)采用了并聯(lián)式反射型電路拓?fù)?開(kāi)關(guān)的測(cè)試采用了微波探針在片測(cè)試系統(tǒng),在18~30ghz獲得了優(yōu)異的電性能,插入損耗il≤1.5db,輸入/輸出駐波比vswr≤1.5∶1,關(guān)斷狀態(tài)下的隔離度iso≥30db,芯片尺寸為1.2mm×1.8mm×0.1mm。

東芝公司推出一種新的小型低斷面gaasmesfet、單刀雙擲開(kāi)關(guān)。這種小型開(kāi)關(guān)非常適用于多波段/多模蜂窩天線開(kāi)關(guān)組件、藍(lán)牙組件和無(wú)線局域網(wǎng)。上述gaasmesfetmmic1ghz下插損0.35db(2ghz下0.40db),1ghz和2ghz下隔離24db。其功率性能優(yōu)良,25ghz下1db壓縮功率(p1db)為17dbm,對(duì)于極小型低斷面封裝而言,上述功率性能是非常之好了。這種tg2217ctb型單刀雙擲開(kāi)關(guān)采用甚小低斷面無(wú)引線6針芯片級(jí)封

單刀雙擲（也稱單開(kāi)雙控）開(kāi)關(guān) 在照明電路中的應(yīng)用 江蘇省泗陽(yáng)縣李口中學(xué)沈正中 照明電路中的墻面板開(kāi)關(guān)，一般有單（一）開(kāi)單（一）控開(kāi)關(guān) （也稱單刀單擲開(kāi)關(guān)）、雙（兩）開(kāi)單（一）控開(kāi)關(guān)、三開(kāi)單（一） 控開(kāi)關(guān)、四開(kāi)單（一）控開(kāi)關(guān)、單（一）開(kāi)雙控開(kāi)關(guān)（也稱單刀 雙擲開(kāi)關(guān)）、雙（兩）開(kāi)雙（兩）控開(kāi)關(guān)、三開(kāi)雙（兩）控開(kāi)關(guān)、 四開(kāi)雙（兩）控開(kāi)關(guān)，這里的“單（一）開(kāi)、雙（兩）開(kāi)、三開(kāi)、 四開(kāi)”是指開(kāi)關(guān)的個(gè)數(shù)。 雙控開(kāi)關(guān)可以作單控開(kāi)關(guān)用，但單控開(kāi)關(guān)不能作雙控開(kāi)關(guān)用。 單開(kāi)雙控開(kāi)關(guān)接線原理圖如下： 單開(kāi)雙控實(shí)物接線圖如下： 下圖是單開(kāi)雙控開(kāi)關(guān)的實(shí)物圖 下圖是雙開(kāi)雙控開(kāi)關(guān)的實(shí)物： 注意，雙控開(kāi)關(guān)有3、6、9、12、,,個(gè)接線孔的，買(mǎi)開(kāi)關(guān)時(shí) 要看清楚。 一開(kāi)雙控開(kāi)關(guān)有四種接法，見(jiàn)下圖。 上圖中的四種接法雖然能達(dá)到控制燈的開(kāi)與關(guān)，但前兩種不太安 全，不建議使用這兩種方法。因?yàn)闊絷P(guān)掉后，燈的兩邊（有可能）

單刀雙擲（也稱單開(kāi)雙控）開(kāi)關(guān) 在照明電路中的應(yīng)用 江蘇省泗陽(yáng)縣李口中學(xué)沈正中 照明電路中的墻面板開(kāi)關(guān)，一般有單（一）開(kāi)單（一）控開(kāi)關(guān) （也稱

采用階躍阻抗傳輸線和扇形微帶短截線,實(shí)現(xiàn)了單刀雙擲開(kāi)關(guān)的直流偏置,使直流支路與毫米波支路之間的隔離度大于30db,帶寬超過(guò)25%,在中心頻率30ghz附近回波損耗大于40db。采用這種直流偏置電路和pin梁式引線二極管,基于ltcc工藝對(duì)單刀雙擲開(kāi)關(guān)串聯(lián)結(jié)構(gòu)進(jìn)行仿真。設(shè)計(jì)結(jié)果表明在28.5～31.5ghz頻率范圍內(nèi),串聯(lián)開(kāi)關(guān)的插入損耗小于1.5db,回波損耗大于15db,隔離度大于20db。

采用兩個(gè)pin二極管設(shè)計(jì)、仿真,制作了一個(gè)8～20ghz并聯(lián)結(jié)構(gòu)的高功率容量的單刀雙擲開(kāi)關(guān)。首先通過(guò)采用一個(gè)新的電路結(jié)構(gòu),該電路結(jié)構(gòu)除了傳統(tǒng)的并聯(lián)pin單刀雙擲開(kāi)關(guān)結(jié)構(gòu)外,還有微帶線匹配電路部分,克服了并聯(lián)結(jié)構(gòu)單刀雙擲開(kāi)關(guān)難以實(shí)現(xiàn)大的帶寬的缺點(diǎn)。然后選擇合適的二極管,根據(jù)其參數(shù),建立開(kāi)路、短路等效電路模型;利用ansoftdesigner軟件對(duì)電路進(jìn)行了仿真和優(yōu)化。最后根據(jù)優(yōu)化結(jié)果制作并測(cè)試了單刀雙擲開(kāi)關(guān)。該單刀雙擲開(kāi)關(guān)插入損耗在頻率8～20ghz內(nèi)小于1.7db,在頻率8～15ghz內(nèi)小于1.5db;開(kāi)關(guān)隔離度在整個(gè)頻帶內(nèi)大于21db;在14ghz耐功率容量大于10w(cw)。

本文介紹了一種利用單驅(qū)動(dòng)電壓控制通路選擇的新型rfmems單刀雙擲開(kāi)關(guān),利用三維仿真軟件ansofthfss和ansys進(jìn)行仿真和優(yōu)化設(shè)計(jì)該開(kāi)關(guān)的性能。仿真結(jié)果表明:驅(qū)動(dòng)電壓為22v,開(kāi)關(guān)時(shí)間為22μs,在中心頻率30ghz處,開(kāi)關(guān)處于down狀態(tài)下的插入損耗為0.42db,回波損耗為43db,隔離度為29db;而當(dāng)開(kāi)關(guān)處于up狀態(tài)的插入損耗為0.53db,回波損耗為19db,隔離度為28db,該開(kāi)關(guān)的性能仿真和優(yōu)化設(shè)計(jì)達(dá)到理想情況。。

隨著國(guó)民經(jīng)濟(jì)的迅速發(fā)展,冶金、化工等各部門(mén)對(duì)氣體大流量的準(zhǔn)確測(cè)量要求日益迫切,為了滿足氣體流量測(cè)量準(zhǔn)確度不斷提高的要求,超聲波氣體流量計(jì)被廣泛應(yīng)用于氣體流量的檢測(cè)與標(biāo)定中。在超聲波氣體流量計(jì)的測(cè)量方法中應(yīng)用最廣泛的是時(shí)

西安電子科技大學(xué) 碩士學(xué)位論文 雙通道單刀雙擲模擬開(kāi)關(guān)的設(shè)計(jì) 姓名：黃麗芳 申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別：碩士 專(zhuān)業(yè)：微電子學(xué)與固體電子學(xué) 指導(dǎo)教師：賈護(hù)軍 20090101 雙通道單刀雙擲模擬開(kāi)關(guān)的設(shè)計(jì) 作者：黃麗芳 學(xué)位授予單位：西安電子科技大學(xué) 本文鏈接：http://d.g.wanfangdata.com.cn/thesis_y1556615.aspx 下載時(shí)間：2010年4月14日

對(duì)單刀雙擲射頻同軸繼電器的工作原理和主要技術(shù)指標(biāo)進(jìn)行了介紹,重點(diǎn)闡述了產(chǎn)品結(jié)構(gòu)、ttl電路控制系統(tǒng)、電磁系統(tǒng)及射頻傳輸切換系統(tǒng)的設(shè)計(jì)方法,對(duì)同類(lèi)產(chǎn)品的設(shè)計(jì)具有一定的參考意義。

為了滿足目前ccd測(cè)量領(lǐng)域中高速、高精度的測(cè)量要求,設(shè)計(jì)了tcd1304傳感器的專(zhuān)用驅(qū)動(dòng)電路。該驅(qū)動(dòng)電路的一大特性就是電子快門(mén),其將光積分時(shí)間縮短了一個(gè)數(shù)量級(jí),至幾個(gè)微秒,極大地提高了測(cè)量速度;同時(shí),通過(guò)對(duì)ccd輸出信號(hào)a/d采樣分析,實(shí)時(shí)調(diào)節(jié)電子快門(mén)時(shí)間,實(shí)現(xiàn)自動(dòng)調(diào)節(jié)控制,提高了測(cè)量精度。經(jīng)實(shí)驗(yàn)證明,該測(cè)量方法在高速實(shí)時(shí)在線測(cè)量領(lǐng)域有很好的應(yīng)用前景。

1：蜂鳴器控制電路無(wú)源蜂鳴器。當(dāng)buzz為高電平時(shí)，三極管t1（三極管n型）導(dǎo)通，蜂 鳴器響，低電平蜂鳴器不響。r5作用是限流。 圖：1.1 下面電路增加了電容c18和反向二極管d2.作用是濾波和阻止反向。二極管的反向擊穿電壓 很高。一般小功率三極管觸發(fā)電壓很低，0.7v，電流也很小，一般不到1ua. 圖1.2： 2:io控制電源開(kāi)關(guān)是否導(dǎo)通。利用三極管和mos管。 mos：mosfet管式fet的一種，可以被制作成增強(qiáng)型或耗盡型，p溝道或n溝道共四種， 但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的n溝道m(xù)os管和增強(qiáng)型的p溝道m(xù)os管，nmos，pmos。 對(duì)于這兩種增強(qiáng)型的mos管，常用的是nmos，特點(diǎn)是導(dǎo)通電阻小，開(kāi)關(guān)電源和馬達(dá)驅(qū)動(dòng) 的引用都是它。 導(dǎo)通條件： nmos：當(dāng)vgs大于一定的數(shù)值時(shí)，就導(dǎo)通；pmos：當(dāng)vgs小于一定的數(shù)值時(shí)，

提供了一種自動(dòng)換氣扇控制電路,具有自動(dòng)向外抽煙,并向室內(nèi)送入新鮮空氣等功能.能夠較好地保持室內(nèi)空氣的清新,從而保證人們的身體健康,在家庭、辦公室都有較高的實(shí)用價(jià)值.

采用電磁場(chǎng)分析方法,研究在大功率工作條件下臺(tái)面結(jié)構(gòu)pin二極管管芯的工作模式,提取相應(yīng)的s參數(shù),以優(yōu)化并聯(lián)式開(kāi)關(guān)電路的阻抗匹配網(wǎng)絡(luò),分析開(kāi)關(guān)導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)的電性能,以及大信號(hào)下的功率損耗,研制出了c波段大功率單刀四擲開(kāi)關(guān)。在5.1~5.7ghz頻帶內(nèi),測(cè)得開(kāi)關(guān)小信號(hào)插損小于0.67db、駐波比小于1.2、隔離度優(yōu)于55db、開(kāi)通時(shí)間優(yōu)于380ns、關(guān)斷時(shí)間優(yōu)于230ns;大信號(hào)插損小于1.1db、檢波延遲時(shí)間優(yōu)于118ns,設(shè)計(jì)指標(biāo)滿足了工程應(yīng)用的要求。

1 附錄2 主程序 #include #defineucharunsignedchar #defineuintunsignedint sbitkeyon=p2^0;//開(kāi)始鍵 sbitkeyoff=p2^1;//關(guān)閉鍵 sbitkeyset=p2^2;//預(yù)約鍵 sbitkeyinc=p2^3;//加1鍵 sbitkeydec=p2^4;//減1鍵 sbitkeyfree=p2^5;//預(yù)留鍵 sbitpower=p3^6;//電源開(kāi)關(guān)指示燈 sbitled=p3^3;//按鍵指示燈 ucharcodedispcode[]={0x3f,0x06,0x05b,0x4f,0x66, 0x6d,0x7d,0x07,0x7f,0x6f,0x40};//0-9的字型碼 uchardata

采用pin二極管工藝技術(shù),設(shè)計(jì)、制作了一種微波單端匹配式pin單刀單擲功率開(kāi)關(guān)芯片,并給出了詳細(xì)測(cè)試曲線。該開(kāi)關(guān)由四級(jí)pin二極管組成,采用單端匹配結(jié)構(gòu)。工作頻率8～10ghz,整個(gè)帶內(nèi)插入損耗小于0.7db,輸出端口駐波比小于1.4:1,輸入端口開(kāi)關(guān)態(tài)駐波比均小于1.4:1,在9ghz點(diǎn)頻下測(cè)得1db壓縮點(diǎn)輸入功率大于31dbm,芯片內(nèi)部集成偏置電路,采用+5v/-5v供電,在+5v工作條件下,電流20ma。該芯片面積為2.0mm×1.4mm。

采用gaaspin二極管,完成1~26.5ghz的單刀單擲開(kāi)關(guān)單片的設(shè)計(jì)、制作。spst開(kāi)關(guān)單片帶內(nèi)插損小于0.5db,駐波優(yōu)于1.1,隔離度大于27db,在10~26.5ghz,隔離度大于37db。開(kāi)關(guān)單片采用mocvd生長(zhǎng)的gaas縱向pin二極管材料結(jié)構(gòu),76mmgaas圓片工藝加工制作。

custommmic公司是單片微波集成電路開(kāi)發(fā)商,最近在其標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品序列中又添加了一種新的單刀雙擲開(kāi)關(guān)-cmd230。據(jù)稱,這是該公司單刀雙擲開(kāi)關(guān)中插入損耗最小的,為1.4db。cmd230是以芯片形式存在的通用寬帶高隔離反射的mmicspdt。帶寬涵蓋dc-26ghz,具有低的插入損耗(1.4db),輸入ip3為37dbm,13ghz時(shí)具

文章從設(shè)計(jì)ｚｂｆ４１２２干線放大器的實(shí)踐出發(fā)，對(duì)ｃａｔｖ自動(dòng)增益控制干線放大器的設(shè)計(jì)進(jìn)行了探討。

設(shè)計(jì)了一款工作頻率為dc～35ghz的超寬帶單刀四擲開(kāi)關(guān)單片集成電路,其單片電路內(nèi)部集成了驅(qū)動(dòng)2∶4譯碼器。通過(guò)ads軟件對(duì)多種開(kāi)關(guān)電路拓?fù)溥M(jìn)行優(yōu)化,設(shè)計(jì)出了一種合理的開(kāi)關(guān)結(jié)構(gòu)。采用先進(jìn)的e/dphemt工藝進(jìn)行版圖設(shè)計(jì)并進(jìn)行了版圖電磁場(chǎng)仿真驗(yàn)證,在gaasphemt工藝線上進(jìn)行了流片,對(duì)制作的芯片進(jìn)行了在片測(cè)試,測(cè)試結(jié)果表明,在dc～35ghz頻率范圍內(nèi),單刀四擲單片開(kāi)關(guān)的插入損耗(il)小于3.5db,隔離度大于30db,回波損耗小于-10db,易于控制,滿足設(shè)計(jì)要求,在微波電路t/r組件中有很好的應(yīng)用前景。目前未見(jiàn)同類(lèi)超寬帶單刀四擲單片開(kāi)關(guān)的相關(guān)報(bào)道。

1．改變電路連接方式 例1向陽(yáng)中學(xué)廣播室想借助于雙刀雙擲開(kāi)關(guān)控制南北兩教學(xué)樓的喇叭：開(kāi)關(guān)擲向a端時(shí)南面的三只喇叭接通，擲向b端時(shí)南北六只喇叭全部接通．請(qǐng)你用筆畫(huà)線代替導(dǎo)線按上述要求完成圖1中的電路圖．（2006年全國(guó)初物競(jìng)）

本設(shè)計(jì)實(shí)例介紹了對(duì)某種舊設(shè)計(jì)的增強(qiáng)措施(參考資料1)。圖1中的電路使用常開(kāi)型單刀單擲按鈕開(kāi)關(guān)s1,它代替了原始設(shè)計(jì)要求的單刀雙擲開(kāi)關(guān)。您可以使用膜片開(kāi)關(guān)來(lái)大大簡(jiǎn)化該器件的工業(yè)設(shè)計(jì)并增強(qiáng)它的人機(jī)控制特性。另外,該電路消除了流過(guò)未動(dòng)作開(kāi)關(guān)的電流,由此略微減少了工作模式中的泄漏電流。