大功率IGBT模塊串聯(lián)動態(tài)均壓

實用標準 文案大全 大功率igbt模塊變流器用水冷散熱器介紹 水冷散熱器服務對象： ?各類型igbt模塊、晶閘管是在變頻、變流領域的實現(xiàn)變頻、變流功能的核心元器件。 ?水冷散熱器主要功能是對各類igbt變頻器型igbt模塊、晶閘管、以及部分電阻進行 水冷散熱保護。 為何需要散熱？ ?單個大功率igbt模塊、晶閘管在工作中發(fā)熱量最大可達到2kw以上。 ?igbt中核心溫度在達到150°（新型180°）時將被燒毀，甚至爆炸。 ?必要對功率元件進行散熱保護！ 工業(yè)運用中的散熱方式： 實用標準 文案大全 各種散熱形式效能比較： 基于對流換熱系數(shù)的不同散熱方案效果比較： 冷板工藝與分類介紹： 水冷板常用加工工藝分類： 實用標準 文案大全 ?埋管式 工藝： —折彎銅管或不銹鋼管 —鑄造工藝將水管埋入 —cnc外型加工 特點： —工藝簡單 —批量生產(chǎn)低成本 —性能低下

介紹了龐巴迪運輸裝備公司（bombardiertransportation）生產(chǎn)的mitractc3300大功率牽引變流器及其變型產(chǎn)品的結構、工作原理以及在不同種類機車上的應用情況。

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基于結構函數(shù)理論,對同一管殼與基板的不同界面熱性能進行研究,發(fā)現(xiàn)積分結構函數(shù)曲線出現(xiàn)分離,通過分離點可確定igbt模塊內部pn結與基板外殼之間的熱阻值;通過此方法,還可確定同一管殼采用不同接觸面材料的熱特性,并可依此對igbt所用涂覆導熱材料進行選型。研究表明,結構函數(shù)理論是分析大功率igbt器件熱特性的一種有效方法。

大功率集成模塊化LED路燈演示

測試方法（晶川）：萬用表只能測量不全面：若igbt損壞一般可以測 出；但是若igbt是好的，它無法肯定是好的。 igbt損壞：ge,eg,ce,gc,cg任意一組出現(xiàn)二極管檔有讀數(shù)，即損壞。 （ge表示g接正表筆，e接負表筆；其他雷同） igbt的ec之間接有二極管，所以為導通態(tài)，電壓為0.34v左右。 若想完整測試igbt需要用晶體管圖示儀。 igbt損壞：ge,eg,ce,gc,cg任意一組出現(xiàn)電阻檔有讀數(shù)，即損壞。（ge 表示g接正表筆，e接負表筆；其他雷同） 新igbt 紅表筆-黑表筆電阻檔二極管檔 1-2無窮大斷路 2-1無窮大斷路 4-3無窮大斷路 3-4無窮大斷路 8-10無窮大斷路 10-80.447mω0.324 9-8無窮大斷路 8-90.448mω0.324 5-4無窮大斷路 4-5無窮

25kA12kV兩單元IGBT模塊

國際整流器公司推出全新mtp隔離式開關模塊系列,專為大電流工業(yè)電源而設計,適用于高頻弧焊機及不間斷電源。它以氮化鋁陶瓷層進行絕緣,在結點與外殼間發(fā)揮更佳導熱性能。該絕緣層的熱傳導性(冷卻能力)比用于同類器件的氧化鋁基板高出7倍之多。新模塊系列的額定電壓為600v和1200v,把高速igbt和優(yōu)化的二極管結合在同一封裝內,有助于節(jié)省空間和降低組裝成本,可取代分立式解決方案。在該系列器件中,50mt060uls是一款全絕緣低側斬波模塊,內含一個ir超快igbt和一個具超軟逆恢復電流特性的hexfred二極管;50mtobowh是一款全絕緣半橋式模式,雙igbt設計可有效控制功率耗散和電流分配。此外,ir還提供兩款1200vmtp開關模塊:全絕緣的20mt120uf全橋式及40mt120uh半橋式模塊。它們可直接連接到大多數(shù)三相系統(tǒng)的直流總線。

大功率igbt(絕緣柵雙極晶體管)在現(xiàn)代廣播、雷達發(fā)射機,特別是全固態(tài)調制器、高壓開關電源中得到廣泛應用。本文介紹了一種用于大功率psm短波發(fā)射機全固態(tài)調制器的雙功率模塊測量與控制電路,該雙功率模塊控制采用微處理器和可編程邏輯芯片設計,因此具有工作電壓低、損耗小等特點。

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大功率電源模塊的散熱設計 摘要：用傳統(tǒng)的熱設計理論及經(jīng)驗公式對電源模塊內的四個50w大功率管進行了散熱設計，應用熱分 析軟件icepak對理論計算進行了校核,并對方案進行了優(yōu)化設計。 關鍵詞：功率管散熱；散熱器；熱分析軟件；icepak 1引言 電源模塊內有四個功率管（在同一平面上，分成兩排），其兩兩間距為60mm，管徑φ20mm，每一功率 管的發(fā)熱功率為50w。周圍環(huán)境溫度：+50℃。要求設計一150mm×200mm的平板肋片式散熱器。?? 根據(jù)熱設計基本理論，功率器件耗散的熱量為： 式中，δt為功率管結溫與周圍環(huán)境溫度之差，℃；rt為總熱阻，℃/w。 其中，rtj為功率管的內熱阻；rtp為器件殼體直接向周圍環(huán)境的換熱熱阻；rtc為功率管與散熱器安裝面之間 的接觸熱阻；rtf為散熱器熱阻。旨在盡量減小rtc和r

介紹一種工業(yè)用2.5ka/1.2kv兩單元igbt模塊。在該大電流器件中,p端到n端的內部連線電感非常小。半導體硅片的巧妙布局有效地提高了模塊的散熱能力,采用鋁底板直接連接絕緣基板來提高熱循環(huán)能力。對于這種底板面積較大的器件,為了獲得更好的底板和散熱片之間的熱接觸,底板被分成幾段。2.5ka/1.2kv兩單元igbt模塊的封裝同樣適用于1.8ka/1.7v兩單元igbt模塊。

英飛凌公司生產(chǎn)的3.3kvigbt模塊已被客戶廣泛使用,其驅動電路的設計在許多方面都有別于1.7kv和1.2kvigbt模塊,文章對該驅動電路的設計細節(jié)進行分析,以助于更好地應用該款igbt模塊。

由于線路雜散電感的存在,igbt(insulatedgatebipolartransistor)開通關斷時將在開關管兩端產(chǎn)生電壓尖峰。為了研究其的影響,需要對線路雜散電感進行抽取。為此,本文提出一種基于igbt開關瞬態(tài)電壓、電流波形的雜散參數(shù)抽取方法。在igbt的開通過程中,考慮了igbt反并聯(lián)二極管的反向恢復過程,并且利用由該過程引起電壓尖峰進行線路的雜散電感的抽取;在igbt的關斷過程中,通過對關斷波形進行了更詳細的分析,給出更精確的線路雜散電感的抽取方法。最后,將該方法應用于一臺75kva的單相逆變器,實驗結果證明了本方法的有效性與正確性。

copyright?2012aptelectronicsltd. allrightsreserved. 內容更新恕不另行通知. 晶科電子（廣州）有限公司www.***.*** 廣州市南沙區(qū)環(huán)市大道南33號 tel:020-34684299fax:020-346849771 apt-pak-ds37v2.0. 目錄 產(chǎn)品特點...................................................................................................................................................................1 產(chǎn)品介紹...........................................

根據(jù)808nm大功率半導體激光列陣(lda)的遠場光場的分布特點,利用多模光纖柱透鏡和光束轉換裝置對808nm半導體激光列陣的發(fā)散角進行壓縮整形,通過聚焦準直透鏡將激光束耦合進入芯徑為400μm的光纖,實現(xiàn)了30w的功率輸出,其中最大耦合效率大于80%,光纖的數(shù)值孔徑(na)為0.22。通過分析其輸出光斑和輸出曲線,表明lda與光纖耦合系統(tǒng)不僅從各個方向同時壓縮了激光束的發(fā)散角,有效地實現(xiàn)了對激光束的整形、壓縮,而且性能穩(wěn)定,可靠實用。

模塊化高精度大功率高壓電源并聯(lián)技術 呂富勇1,李永新1,王　芹2,金　江3,劉　偉1 (1.南京理工大學機械工程學院,南京210094;2.南京航空航天大學材料科學與技術學院,南京210016; 3.華中科技大學電子與信息工程系,武漢430074) 摘　要:為實現(xiàn)多模塊大功率高壓電源均流并聯(lián)擴容技術,用固定相對相位偏移的脈沖頻率調制法,將多個高壓 大功率串聯(lián)諧振逆變模塊并聯(lián);并通過優(yōu)化控制補償網(wǎng)絡設計及合理接地設計,解決并聯(lián)系統(tǒng)自激和高壓打火損 壞控制電路難題。實驗表明用該法實現(xiàn)高壓電源的模塊化并聯(lián)擴容,簡單可靠且并聯(lián)模塊越多電源紋波水平越 小;無需內置電流控制環(huán),模塊間也能得到滿意的均流效果;在脈沖負載和電阻負載條件下,均具有好的動態(tài)特性。 關鍵詞:并聯(lián);均流;固定相位偏移;串聯(lián)諧振;高壓

美國銦公司為infineonyectmologiesag專門設計了用于primepackigbt模塊的heat-spring金屬熱界面材料。heat-spring是柔軟的金屬銦粗加工產(chǎn)品，可壓縮、可用于不規(guī)則的安裝表面、不含硅樹脂、無需脫氣、無需pump-out，可與熱油脂和其他粘性材料同時使用。

由動態(tài)電壓不均衡引起的器件擊穿致使串聯(lián)失敗是串聯(lián)的關鍵問題。傳統(tǒng)無源緩沖電路是以犧牲絕緣柵雙極晶體管(igbt)快速性換取電壓均衡,igbt損耗大。建立功率端與驅動端反饋的新型剩余電流動作保護器(rcd)動態(tài)均壓電路替代傳統(tǒng)無源緩沖電路,對電路的均壓效果和串聯(lián)igbt開關損耗進行仿真分析。試驗驗證了該動態(tài)均壓電路在igbt串聯(lián)運行時能很好地抑制其驅動信號不同步造成的動態(tài)電壓不均衡,確保了電壓源換流器的安全運行。

本文分析了開關電源并聯(lián)均流的閉環(huán)控制,通過閉環(huán)控制的理論分析,提出了閉環(huán)控制的規(guī)則,有利于提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性。

介紹了一款針對igbt的使用特點而設計的開關電源，專為igbt驅動芯片供電。重點分析了igbt工作的特點，及對供電電源的特殊要求，以及如何設計一款適用于igbt工作系統(tǒng)的電源模塊，并給出了實測參數(shù)。

IR推出運行于更低溫度的高速隔離式整流器IGBT模塊