大功率LED芯片粘結(jié)材料和封裝基板材料的

大功率led封裝技術 導讀:在現(xiàn)在led技術中，封裝技術起 到很關鍵的作用個，作為led產(chǎn)業(yè)中承上 啟下的封裝技術，它的好壞對下游產(chǎn)業(yè)的應 用十分關鍵，現(xiàn)在將對led的封裝技術做 一下介紹。 o關鍵字 o (四)、封裝大生產(chǎn)技術 晶片鍵合(waferbonding)技術是指晶 片結(jié)構(gòu)和電路的制作、封裝都在晶片 (wafer)上進行，封裝完成后再進行切割， 形成單個的晶片(chip);與之相對應的晶片 鍵合(diebonding)是指晶片結(jié)構(gòu)和電路在 晶片上完成后，即進行切割形成晶片(die)， 然后對單個晶片進行封裝(類似現(xiàn)在的 led封裝工藝)，如圖8所示。很明顯，晶 片鍵合封裝的效率和質(zhì)量更高。由于封裝 費用在led器件制造成本中占了很大比 例，因此，改變現(xiàn)有的led封裝形式(從 晶片鍵合到晶片鍵合)，將大大降低封裝制

2009年以現(xiàn)有的cem-3復合材料基板為中心的ccl（覆銅箔層壓板）由于受市場低迷影響，苦于收益惡化，希望薄型覆銅箔層壓板能成為新的扭轉(zhuǎn)這種局面支柱產(chǎn)品。為此，日本住友電木（株）正式開展擴大薄型封裝基板材料“l(fā)＆z”業(yè)務。今年3月1日成立獨立的“l(fā)＆z”事務部。

文章介紹了采用氰酸酯樹脂、雙馬來酰亞胺、環(huán)氧樹脂共混體系研制一種用于ic封裝基板領域的高性能覆銅板。所研制的覆銅板與環(huán)氧樹脂體系覆銅板相比,具有高tg、低介電常數(shù)、低cte的性能。

關于幾種常用芯片的比較 3528芯片：單顆0.06w，單顆流明7-9lm 3528技術穩(wěn)定成熟，發(fā)熱量極低，光衰小，光色一致性好，并廣泛應用于led電腦顯示器， led電視機背光照明使用。 3528芯片因為亮度高，光線柔和，單顆功率低，發(fā)熱量低等特點，完全符合led吸頂燈全 面板光源需求，全面板光源的應用完全彌補了環(huán)形燈管光線不均勻，中間以及外圍有暗區(qū)的 缺陷，真正實現(xiàn)了無暗區(qū)。 5630/6040芯片：單顆功率0.5-0.6w，單顆流明30-50w 新近出現(xiàn)的封裝模式，發(fā)光強度及發(fā)熱量介于中功率和大功率之間，產(chǎn)量低，光色一致性較 差，主要用于燈泡，射燈，筒燈，天花燈等高密度燈具，光強很強，炫光感強，很刺眼，必 須配獨立的全鋁散熱器，否則在很短時間內(nèi)會出現(xiàn)嚴重光衰，嚴重影響燈具壽命。 大功率1w芯片：單顆功率為1w，單顆流明80-90

PCB用基板材料說明

PCB用基板材料

PCB用基板材料介紹

pcb用基板材料簡介 pcb用基材的分類： 1、按增強材料不同（最常用的分類方法） 紙基板（fr-1,fr-2,fr-3) 環(huán)氧玻纖布基板（fr-4,fr-5) 復合基板(cem-1,cem-3) hdi板材（rcc) 特殊基材(金屬類基材、陶瓷類基材、熱塑性基材等) 2、按樹脂不同來分 酚酫樹脂板 環(huán)氧樹脂板 聚脂樹脂板 bt樹脂板 pi樹脂板 3、按阻燃性能來分 阻燃型（ul94-vo,ul94-v1) 非阻燃型（ul94-hb級） 非阻燃型阻燃型（v-0、v-1） 剛性板 紙基板xpc、xxxpcfr-1、fr-2、fr-3 復合基板cem-2、cem-4cem-1、cem-3 cem-5 玻纖布基板 g-10、g-11fr-4、fr-5 pi板、ptfe板、bt板、ppe（ppo）板、ce板等。 涂樹脂銅

pcb用基材的分類： 1、按增強材料不同（最常用的分類方法） 紙基板（fr-1,fr-2,fr-3) 環(huán)氧玻纖布基板（fr-4,fr-5) 復合基板(cem-1,cem-3) hdi板材（rcc) 特殊基材(金屬類基材、陶瓷類基材、熱塑性基材等) 2、按樹脂不同來分 酚酫樹脂板 環(huán)氧樹脂板 聚脂樹脂板 bt樹脂板 pi樹脂板 3、按阻燃性能來分 阻燃型（ul94-vo,ul94-v1) 非阻燃型（ul94-hb級） 非阻燃型阻燃型（v-0、v-1） 剛性板 紙基板xpc、xxxpcfr-1、fr-2、fr-3 復合基板cem-2、cem-4cem-1、cem-3 cem-5 玻纖布基板 g-10、g-11fr-4、fr-5 pi板、ptfe板、bt板、ppe（ppo）板、ce板等。 涂樹脂銅箔（rcc）、金屬基板

【尺寸規(guī)格】開孔：70-75mm外徑：85mm高度：75mm 【電壓】直接220v電，不需配任何配件 【功率】5w 【發(fā)光顏色】正白、暖白、紅、黃、藍、綠 【發(fā)光角度】25/60度 【燈架顏色】黑色/沙銀/金色

半導體封裝用基板材料的未來-論文

共8頁第１頁 大功率led種類及測試標準 一、superflux（4pin，插件式，單顆功率0.2w） 1、單顆測試電壓最大4v,4顆串聯(lián)測試電壓16v,12顆串聯(lián)測試電壓48v測試電流： 紅色，琥珀色為70ma,電流限制為0.07a。藍色，綠色為50ma電流限制為0.05a。 測試前須先調(diào)整好電流，選擇合適的電壓，然后再進行測試。 2、superfluxled識別圖片 二、luxeon&lambert（貼片式，焊接機焊接，單顆功率1w 1、單顆測試電壓最大4v,4顆串聯(lián)測試電壓16v，12顆串聯(lián)測試電8v，測試電流： 紅色，綠色，藍色，琥珀色均為350ma,電流限制為0.35a測試前須先調(diào)整好電流， 選擇合適的電壓。 2、luxeon&lambert識別圖片 三、20masmdled led正極led

大功率led封裝工藝系列之焊線篇 大功率led封裝工藝系列之焊線篇 一、基礎知識 1.目的 在壓力、熱量和超聲波能量的共同作用下，使金絲在芯片電極和外引線 鍵合區(qū)之間形成 良好的歐姆接觸，完成內(nèi)外引線的連接。 2.技術要求 2.1金絲與芯片電極、引線框架鍵合區(qū)間的連接牢固 2.2金絲拉力：25μm金絲f最小>5cn,f平均>6cn:32μm金絲f最 小>8cn,f平均>10cn。 2.3焊點要求 2.3.1金絲鍵合后第一、第二焊點如圖（1）、圖（2） 2.3.2金球及契形大小說明 金球直徑a:ф25um金絲：60-75um，即為ф的2.4-3.0倍； 球型厚度h：ф25um金絲：15-20um，即為ф的0.6-0.8倍； 契形長度d:ф25um金絲：70-85um，即為ф的2.8-3.4倍； 2.3.3金球根部不能有

國內(nèi)外大功率led散熱封裝技術 1、引言 發(fā)光二極管（led）誕生至今，已經(jīng)實現(xiàn)了全彩化和高亮度化，并在藍光led和紫光 led的基礎上開發(fā)了白光led.它為人的總稱照明史又帶來了一次奔騰。與自熾燈和熒光燈相 比，led以其體積小，全固態(tài)，長命命，環(huán)保，省電等一系列優(yōu)點，已廣泛用于汽車照明、 扮飾照明、電話閃光燈、大中尺寸，即nb和lcd.tv等顯示屏光源模塊中。 已經(jīng)成為2l百年最具發(fā)展前景的高技術范疇之一led是一種注入電致發(fā)光器件。由ⅲ~ ⅳ族化合物，如磷化鎵（gap）、磷砷化鎵（gaasp）等半導體制成在~i-dn電場作用下。電 子與空穴的輻射復合而發(fā)生的電致作用將一部分能量轉(zhuǎn)化為光能。即量子效應，而無輻射復 合孕育發(fā)生的晶格振動將其余的能量轉(zhuǎn)化為熱能。今朝，高亮度白光led在實驗室中已經(jīng)達 到1001m/w的水平，501m/

highpowerled 封裝工藝 一.封裝的任務 是將外引線連接到led芯片的電極上,同時保護好led芯片,并且起到提高光 取出效率的作用。 二.封裝形式 led封裝形式可以說是五花八門,主要根據(jù)不同的應用場合采用相應的外形尺 寸,散熱對策和出光效果。led按封裝形式分類有l(wèi)amp-led、top-led、 side-led、smd-led、high-power-led等。 三.封裝工藝說明 1.芯片檢驗 鏡檢:材料表面是否有機械損傷及麻點麻坑(lockhill,芯片尺寸及電極大小是否 符合工藝要求,電極圖案是否完等。 2.擴晶 由于led芯片在劃片后依然排列緊密間距很小(約0.1mm,不利于后工序的操 作。我們采用擴片機對黏結(jié)芯片的膜進行擴張,是led芯片的間距拉伸到

大功率led的應用越來越廣泛,大功率led恒流驅(qū)動器對于開拓大功率led的相信應用至關重要,本文以lm2596芯片為例,介紹了普通的恒流驅(qū)動電路以及高效率改進型恒流驅(qū)動電路,最后給出相應設計結(jié)果。

大功率led封裝工藝系列之焊線篇 一、基礎知識 1.目的 在壓力、熱量和超聲波能量的共同作用下，使金絲在芯片電極和外引線鍵合 區(qū)之間形成 良好的歐姆接觸，完成內(nèi)外引線的連接。 2.技術要求 2.1金絲與芯片電極、引線框架鍵合區(qū)間的連接牢固 2.2金絲拉力：25μm金絲f最小>5cn,f平均>6cn:32μm金絲f最小 >8cn,f平均>10cn。 2.3焊點要求 2.3.1金絲鍵合后第一、第二焊點如圖（1）、圖（2） 2.3.2金球及契形大小說明 金球直徑a:ф25um金絲：60-75um，即為ф的2.4-3.0倍； 球型厚度h：ф25um金絲：15-20um，即為ф的0.6-0.8倍； 契形長度d:ф25um金絲：70-85um，即為ф的2.8-3.4倍； 2.3.3金球根部不能有明顯的損傷或變細的現(xiàn)象，契形處不

大功率led的應用越來越廣泛，大功率led恒流驅(qū)動器對于開拓大功率led相信應用至關重要，本文以lm2596芯片為例，介紹了普通的恒流驅(qū)動電路以及高效率改進型恒流驅(qū)動電路，最后給出相應設計結(jié)果。

日前，在重慶市級科技攻關計劃項目“l(fā)ed手術無影燈研發(fā)”的支持下，重慶天海醫(yī)療設備有限公司攻克了矩陣陣列式大功率led（半導體）芯片技術，成功開發(fā)出色溫連續(xù)可調(diào)的大功率led芯片手術無影燈，標志著重慶市l(wèi)ed醫(yī)療照明技術的研究和應用水平達到了國際先進水平。

大功率led的結(jié)構(gòu)與特性 大功率led的結(jié)構(gòu)特點和應用： 相對于傳統(tǒng)的白紙燈泡，大功率led因具備了更省電，使用壽命更長壽命更長及反應 時間更快等主要優(yōu)點，因此很快搶占了lcd背光板，交通號志，汽車照明和廣告照明等多 個市場。采用次黏著基臺進階封裝方式，可有效提高led的照明效果。大功率led的主流 生產(chǎn)技術是ingan,但此技術仍有一些瓶頸需要克服，目前針對這些瓶頸（靜電釋放敏感性和 膨脹系數(shù)）提出新的解決方案。 由于大功率led制造工藝，器件設計，組裝技術三方面的進展，led發(fā)光器的性能一 直在提高，其成本一直在降低。pn結(jié)設計，再輻射鱗片體和透鏡結(jié)構(gòu)都有助于提高效率， 因此也有助于提高可獲得的光輸出。 目前多數(shù)的封裝方式已明顯無法滿足應用需求。對于大功率led的封裝廠商來說，一 個主要的調(diào)漲來自于熱處理課題。這是因為在高熱下，晶格會產(chǎn)

大功率led和led燈具的熱性能測試 近年來，由于功率型led光效提高和價格下降使led應用于照明領域數(shù)量迅猛增長， 從各種景觀照明、戶外照明到普通家庭照明，應用日益廣泛。led應用于照明除了節(jié)能外， 長壽命也是其十分重要的優(yōu)勢。目前由于led熱性能原因，led及其燈具不能達到理想的 使用壽命；led在工作狀態(tài)時的結(jié)溫直接關系到其壽命和光效；熱阻則直接影響led在同等 使用條件下led的結(jié)溫；led燈具的導熱系統(tǒng)設計是否合理也直接影響燈具的壽命。因此 功率型led及其燈具的熱性能測試，對于led的生產(chǎn)和應用研發(fā)都有十分直接的意義。以 下將簡述led及其燈具的主要熱性能指標，電壓溫度系數(shù)k、結(jié)溫和熱阻的測試原理、測 試設備、測試內(nèi)容和測試方法，以供led研發(fā)、生產(chǎn)和應用企業(yè)參考。 一、電壓法測量led

多芯大功率led集成與單芯led燈優(yōu)缺點對比 項目集成led燈具單顆led燈具備注 散熱優(yōu) 散熱器可采用拉伸件，也可采用壓鑄件，兩者相比相同散熱器，單顆 led的燈具散熱性能要高于集成led燈具，因為集成的led燈具 led芯片集中在一塊，容易形成熱堆積，造成led光衰嚴重，影響 燈具壽命，而單顆led燈具由于led燈芯分散，熱量不容易堆積在 一起，光衰沒有那么嚴重，所以燈具壽命相對而言長一些。 穩(wěn)定性優(yōu)由于單顆led燈具散熱性比較好，led燈工作比較穩(wěn)定一點 光效優(yōu)由于散熱好，單顆led燈具芯片激發(fā)比較完全一些 封裝優(yōu)相比較而言，單顆led燈具用料比較多，但確保每顆led穩(wěn)定性 組裝優(yōu)集成的led比較簡便些 防水性能優(yōu)由于集成的led外漏觸點比較少，相對而言防水處理更為簡單一下 配光優(yōu) 由于