大功率單刀四擲收發(fā)開關的設計

巧用單刀雙擲開關

采用pin二極管工藝技術,設計、制作了一種微波單端匹配式pin單刀單擲功率開關芯片,并給出了詳細測試曲線。該開關由四級pin二極管組成,采用單端匹配結構。工作頻率8～10ghz,整個帶內插入損耗小于0.7db,輸出端口駐波比小于1.4:1,輸入端口開關態(tài)駐波比均小于1.4:1,在9ghz點頻下測得1db壓縮點輸入功率大于31dbm,芯片內部集成偏置電路,采用+5v/-5v供電,在+5v工作條件下,電流20ma。該芯片面積為2.0mm×1.4mm。

采用兩個pin二極管設計、仿真,制作了一個8～20ghz并聯(lián)結構的高功率容量的單刀雙擲開關。首先通過采用一個新的電路結構,該電路結構除了傳統(tǒng)的并聯(lián)pin單刀雙擲開關結構外,還有微帶線匹配電路部分,克服了并聯(lián)結構單刀雙擲開關難以實現(xiàn)大的帶寬的缺點。然后選擇合適的二極管,根據(jù)其參數(shù),建立開路、短路等效電路模型;利用ansoftdesigner軟件對電路進行了仿真和優(yōu)化。最后根據(jù)優(yōu)化結果制作并測試了單刀雙擲開關。該單刀雙擲開關插入損耗在頻率8～20ghz內小于1.7db,在頻率8～15ghz內小于1.5db;開關隔離度在整個頻帶內大于21db;在14ghz耐功率容量大于10w(cw)。

本文介紹了一種利用單驅動電壓控制通路選擇的新型rfmems單刀雙擲開關,利用三維仿真軟件ansofthfss和ansys進行仿真和優(yōu)化設計該開關的性能。仿真結果表明:驅動電壓為22v,開關時間為22μs,在中心頻率30ghz處,開關處于down狀態(tài)下的插入損耗為0.42db,回波損耗為43db,隔離度為29db;而當開關處于up狀態(tài)的插入損耗為0.53db,回波損耗為19db,隔離度為28db,該開關的性能仿真和優(yōu)化設計達到理想情況。。

設計并實現(xiàn)了5mm(u頻段)單刀雙擲(singlepoledoublethrow,spdt)開關模塊。該開關模塊采用鰭線并聯(lián)pin二極管電路結構形式,通過采用一種全新的高隔離度措施,獲得高隔離、低插損開關特性。經(jīng)加工測試,開關模塊在50~56ghz頻帶內隔離度大于50db,插損小于2.3db。該模塊已應用于5mm射頻組件中。

射頻開關作為一個系統(tǒng)的重要組成部分其性能直接影響整個系統(tǒng)的指標和功能。其中插入損耗和隔離度以及開關速度是射頻開關最重要的幾個指標。在實際測試中,s波段脈沖信號源需要產(chǎn)生快前沿的窄脈沖信號。在此基于上述需求,利用了射頻開關模塊設計的基本原理,并結合了pcb上微帶線的特性阻抗分析,且設計了合適的開關驅動電路,最終設計出一種高隔離度,低插入損耗,高速射頻開關,開關控制電壓為(0,-5v)。在頻率2～4ghz的條件下,插入損耗小于1.7db,隔離度大于48db,結果滿足設計要求。

采用gaaspin二極管,完成1~26.5ghz的單刀單擲開關單片的設計、制作。spst開關單片帶內插損小于0.5db,駐波優(yōu)于1.1,隔離度大于27db,在10~26.5ghz,隔離度大于37db。開關單片采用mocvd生長的gaas縱向pin二極管材料結構,76mmgaas圓片工藝加工制作。

單刀雙開關 開關中單刀雙擲與單刀單擲有什么區(qū)別？ 船形開關分類:單刀單擲:1個動觸點和1個靜觸點。只有1通道／— 單刀雙擲:1個動觸點和2個靜觸點，—／—(可分別接通兩邊的靜觸 點)雙刀單擲，2個動觸點和2個靜觸點，有2個通道‖雙刀雙擲，2 個動觸點和4個靜觸點，有4個通道〓(可分別接通兩邊的2個靜觸 點))參考:... 單刀雙擲開關怎么接 首先要認清單刀雙擲開關的動端和不動端，動端就是所謂的“刀”， 它應該連接電源的進線，也就是來電的一端，一般也是與開關的手柄 相連的一端；另外的兩端就是電源輸出的兩端，也就是所謂的不動端， 它們是與用電設備相連的。單刀雙擲開關的作用，一是可以控制電源 向兩個不同的方向... 單刀雙擲開關初中物理題 你問對我啦。單刀開關的兩端分別接r0和rx，r0,rx另兩端接在一 起把電流表接在干路，總開關接在

東芝公司推出一種新的小型低斷面gaasmesfet、單刀雙擲開關。這種小型開關非常適用于多波段/多模蜂窩天線開關組件、藍牙組件和無線局域網(wǎng)。上述gaasmesfetmmic1ghz下插損0.35db(2ghz下0.40db),1ghz和2ghz下隔離24db。其功率性能優(yōu)良,25ghz下1db壓縮功率(p1db)為17dbm,對于極小型低斷面封裝而言,上述功率性能是非常之好了。這種tg2217ctb型單刀雙擲開關采用甚小低斷面無引線6針芯片級封

對單刀雙擲射頻同軸繼電器的工作原理和主要技術指標進行了介紹,重點闡述了產(chǎn)品結構、ttl電路控制系統(tǒng)、電磁系統(tǒng)及射頻傳輸切換系統(tǒng)的設計方法,對同類產(chǎn)品的設計具有一定的參考意義。

采用階躍阻抗傳輸線和扇形微帶短截線,實現(xiàn)了單刀雙擲開關的直流偏置,使直流支路與毫米波支路之間的隔離度大于30db,帶寬超過25%,在中心頻率30ghz附近回波損耗大于40db。采用這種直流偏置電路和pin梁式引線二極管,基于ltcc工藝對單刀雙擲開關串聯(lián)結構進行仿真。設計結果表明在28.5～31.5ghz頻率范圍內,串聯(lián)開關的插入損耗小于1.5db,回波損耗大于15db,隔離度大于20db。

本文介紹了基于top249y的250w開關電源,結合pi公司的piexpert7.0軟件設計出了該單片開關電源的關鍵元件變壓器,并對該電源進行了分析和相關測試。

本設計實例介紹了對某種舊設計的增強措施(參考資料1)。圖1中的電路使用常開型單刀單擲按鈕開關s1,它代替了原始設計要求的單刀雙擲開關。您可以使用膜片開關來大大簡化該器件的工業(yè)設計并增強它的人機控制特性。另外,該電路消除了流過未動作開關的電流,由此略微減少了工作模式中的泄漏電流。

單刀雙擲（也稱單開雙控）開關 在照明電路中的應用 江蘇省泗陽縣李口中學沈正中 照明電路中的墻面板開關，一般有單（一）開單（一）控開關 （也稱單刀單擲開關）、雙（兩）開單（一）控開關、三開單（一） 控開關、四開單（一）控開關、單（一）開雙控開關（也稱單刀 雙擲開關）、雙（兩）開雙（兩）控開關、三開雙（兩）控開關、 四開雙（兩）控開關，這里的“單（一）開、雙（兩）開、三開、 四開”是指開關的個數(shù)。 雙控開關可以作單控開關用，但單控開關不能作雙控開關用。 單開雙控開關接線原理圖如下： 單開雙控實物接線圖如下： 下圖是單開雙控開關的實物圖 下圖是雙開雙控開關的實物： 注意，雙控開關有3、6、9、12、,,個接線孔的，買開關時 要看清楚。 一開雙控開關有四種接法，見下圖。 上圖中的四種接法雖然能達到控制燈的開與關，但前兩種不太安 全，不建議使用這兩種方法。因為燈關掉后，燈的兩邊（有可能）

2016屆畢業(yè)設計方案 課題名稱：《大功率開關電源的設計》 所在學院牽引與動力學院 班級動車134班 姓名 學號 指導老師 i 畢業(yè)設計評分標準與答辯記錄 班級學號姓名總得分 課題名稱 考核項目及分 值 考核內容 分 值 評分標準得分 設計過程20 選題的應用性、工藝性、綜合性、 先進性、和經(jīng)濟性。查閱文獻資料、 參考書、使用工具書的能力。 55432 分析和解決問題方面的能力，創(chuàng)造 性，獨立工作能力。 55432 工作態(tài)度與遵守紀律情況。1010864 設計結果40 文字的簡潔性、通暢性，條理性與 邏輯性。 1010864 論據(jù)正確充分、分析計算準確、使 用公式與引用數(shù)據(jù)的正確性。 1010864 完成設計任務，貫徹國家標準，圖 樣、數(shù)據(jù)表格、說明書質量。 1010864 設計方案比較選擇

在分析國際上通用的各種報警音源的基礎上,提出了一種以開關方式調節(jié)音量的大功率報警器設計方法.此種報警器無論功率放大器的輸出量有多大,音量總能處于工作開關狀態(tài),因此可以大大提高效率,并可減少散熱片的面積且也便于安裝.

為通過研究多單元并聯(lián)技術來增大脈沖功率開關rsd(reverselyswitcheddynistor)的功率容量,基于rsd的等離子體雙極漂移模型,建立主回路和預充回路的rlc方程,采用四階龍格-庫塔方法迭代計算,得到兩支路并聯(lián)的rsd電流曲線。在一定的仿真條件下,rsd器件參數(shù)不同和支路電阻不同引起的電流不平衡率分別為3.56%和19.82%。在rsd并聯(lián)實驗中,內阻1.642mω的分流器和非對稱連接引起的電流不平衡率分別為12.82%和20.71%。在3000μf主電容、2kv主電壓下對并聯(lián)的兩個直徑45mm的rsd堆體進行了大電流開通實驗,得到了330μs脈寬下32.7ka的峰值電流。仿真和實驗結果均表明,在高功率電流的快速開通機制中并聯(lián)支路分流大小主要由回路參數(shù)決定,受rsd動態(tài)電阻影響很小。

介紹了大功率pin開關的設計原理。采用這一原理設計了vhf波段大功率單刀三擲開關。開關在小信號下插入損耗小于0.3db,施加脈沖功率2000w時插入損耗小于0.6db。

采用gaaspin工藝設計和制作了毫米波超寬帶大功率單刀雙擲開關單片集成電路。在gaaspin二極管建模階段充分考慮寄生效應對模型的影響,獲得高精度模型;在電路設計階段采用gaaspin二極管單級并聯(lián)結構,提高功率特性;在工藝加工階段調整p+層、n+層的摻雜濃度和i層的厚度,獲得低損耗、高功率特性的gaaspin二極管;最終制備的單刀雙擲開關芯片在片測試表明,在25～40ghz范圍內插入損耗小于1.0db,隔離度大于25db,輸入輸出電壓駐波比小于2.0∶1,具有優(yōu)異的寬帶小信號特性;35ghz下承受功率高達34dbm,具有非常好的功率特性。

設計了一款工作頻率為dc～35ghz的超寬帶單刀四擲開關單片集成電路,其單片電路內部集成了驅動2∶4譯碼器。通過ads軟件對多種開關電路拓撲進行優(yōu)化,設計出了一種合理的開關結構。采用先進的e/dphemt工藝進行版圖設計并進行了版圖電磁場仿真驗證,在gaasphemt工藝線上進行了流片,對制作的芯片進行了在片測試,測試結果表明,在dc～35ghz頻率范圍內,單刀四擲單片開關的插入損耗(il)小于3.5db,隔離度大于30db,回波損耗小于-10db,易于控制,滿足設計要求,在微波電路t/r組件中有很好的應用前景。目前未見同類超寬帶單刀四擲單片開關的相關報道。

本文將詳細介紹大功率翹板開關在建設工程領域的應用。首先，我們將介紹大功率翹板開關的原理和結構。然后，我們將探討其在建設工程中的各種應用場景，包括電氣設備的控制、安全保護和能源管理等方面。最后，我們將總結大功率翹板開關的優(yōu)勢和注意事項。

業(yè)界領先的射頻、微波及毫米波產(chǎn)品供應商美國pasternack公司推出一系列適用于發(fā)射和接收信號路由應用的單刀雙擲(spdt)高功率pin二極管射頻開關新產(chǎn)品。這些產(chǎn)品的典型用途包括雷達系統(tǒng)、電子戰(zhàn)、基站基礎設施、中繼器、軍用/微波無線電、公共安全/陸地移動無線電、uhf/vhf無線電以及測試測量。