德國歐司朗公司開發(fā)出高性能藍(lán)白光LED原型硅芯片
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4.6
德國歐司朗公司(OSRAM)光電半導(dǎo)體研發(fā)人員地制造出高性能藍(lán)白光LED原型硅芯片,氮化鎵發(fā)光材料層被置于直徑為150mm硅晶圓基板上。這是首次成功利用硅晶圓基板取代藍(lán)寶石基板制作LED芯片,并保持了相同的照明質(zhì)量和效率。目前,該款LED芯片已經(jīng)進(jìn)入試點階段,在實際條件下接受測試。歐司朗公司表示首批硅晶圓LED芯片有望在兩年內(nèi)投放市場。
德國歐司朗公司開發(fā)出高性能藍(lán)白光LED原型硅芯片
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德國歐司朗公司(osram)光電半導(dǎo)體研發(fā)人員地制造出高性能藍(lán)白光led原型硅芯片,氮化鎵發(fā)光材料層被置于直徑為150mm硅晶圓基板上。這是首次成功利用硅晶圓基板取代藍(lán)寶石基板制作led芯片,并保持了相同的照明質(zhì)量和效率。目前,該款led
德國歐司朗公司開發(fā)出高性能藍(lán)白光LED原型硅芯片
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德國歐司朗公司(osram)光電半導(dǎo)體研發(fā)人員地制造出高性能藍(lán)白光led原型硅芯片,氮化鎵發(fā)光材料層被置于直徑為150毫米硅晶圓基板上。這是首次成功利用硅晶圓基板取代藍(lán)寶石基板制作led芯片,并保持了相同的照明質(zhì)量和效率。
四芯片色溫可調(diào)白光LED的研究
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為了實現(xiàn)高光效、高顯色性且色溫可調(diào)的白光led,對四種單基色藍(lán)、綠、黃、紅光led的混光進(jìn)行了研究?;趛oshi-單色光模型和光的疊加原理,通過改變四種led芯片的組合方式(峰值波長、相對光功率配比),對不同色溫區(qū)的混合白光的顯色指數(shù)(ra)、色品質(zhì)數(shù)(qa)和光視效能(k)進(jìn)行了仿真計算和光譜優(yōu)化選擇。結(jié)果表明:在2700~6500k色溫范圍內(nèi),峰值波長為445nm,500nm,560nm,620nm的組合可以得到高ra值和高qa值;峰值波長為445nm,535nm,590nm,615nm的組合可以得到較高k值。此外還分析了組合白光led光譜參數(shù)對ra、qa、k及相關(guān)色溫的影響。
三芯片集成高顯色指數(shù)白光LED的研究
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運(yùn)用基于蒙特卡羅的光線追跡方法,對采用"光轉(zhuǎn)換"兼"多色混合"技術(shù)的白光led的顯色指數(shù)、相關(guān)色溫、光通量、光輻射功率、熒光粉顆粒密度和色坐標(biāo)進(jìn)行了仿真計算和優(yōu)化選擇。通過改變紅、綠、藍(lán)三種led芯片的組合方式和紅、綠、黃三種熒光粉的混合方式及各色熒光粉的密度,在保證有合理的光通量輸出的條件下,得到了不同色溫區(qū)的高顯色指數(shù)白光led。從顯色指數(shù)角度看,冷白、正白和暖白光應(yīng)分別選擇bbb芯片+綠、紅色熒光粉、bbb芯片+黃、紅色熒光粉和rbb芯片+黃色熒光粉組合。實驗上測試了采用這幾種組合方式的白光led光譜、顯色指數(shù)、色溫、光通量和色坐標(biāo),實驗數(shù)據(jù)與仿真結(jié)果基本吻合。
三基色芯片白光LED光譜的光視效能研究
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該文測量了基于三基色芯片的白光led光譜及其隨溫度的變化,提出利用雙高斯模型擬合測量光譜,并基于此研究了光譜參數(shù)變化對光視效能如s/p與ler參數(shù)的影響規(guī)律。結(jié)果表明,三基色白光led中綠光波長的選取對于獲得高s/p光源最為重要,藍(lán)光峰值波長紅移引起s/p和ler的同時上升,適度優(yōu)化對同時獲得高光學(xué)質(zhì)量和高視覺質(zhì)量有益,藍(lán)光和紅光半高寬變化較綠光而言對光視效能的影響更加明顯。同時,該文還研究了s/p和ler的溫度敏感特性,發(fā)現(xiàn)s/p和ler隨溫度變化呈相反變化趨勢。
多芯片集成大功率白光LED照明光源
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第20卷 第3期 2005年6月 液 晶 與 顯 示 chinesejournalofliquidcrystalsanddisplays vol120,no13 jun.,2005 文章編號:100722780(2005)0320250204 多芯片集成大功率白光led照明光源 吳海彬1,2,葉 光2,王昌鈴2 (11福州大學(xué)機(jī)械工程學(xué)院,福建福州 350002,e2mail:wuhb@fzu.edu.cn; 21福建省蒼樂電子企業(yè)有限公司,福建福州 350007) 摘 要:通過對自行設(shè)計的集成功率型1w白光led進(jìn)行測試,發(fā)現(xiàn)當(dāng)持續(xù)點亮900h時,其 光通量衰減只有12%,比傳統(tǒng)支架型封裝的白光led明顯慢,而色溫飄移也不明顯。1w白 光led的色溫可以覆蓋
近紫外芯片激發(fā)三基色熒光粉制作的白光LED
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4.5
使用發(fā)射波長為395~400nm的近紫外led芯片來激發(fā)發(fā)射峰值波長分別在615,505和445nm的紅綠藍(lán)三基色熒光粉,建立三基色熒光粉混光理論模型,制作不同色溫下高顯色指數(shù)白光發(fā)光二極管,研究其光電特性。實驗結(jié)果表明,采用近紫外激發(fā)的三基色白光器件色溫為3000~9000k范圍內(nèi),其顯色指數(shù)均能保持在80~90之間;當(dāng)色溫大于5000k時,顯色指數(shù)可以達(dá)到85;測試結(jié)果與理論計算吻合良好。最后,實驗證明加入tio2粉末可消除白光led中殘余近紫外線,三基色熒光粉白光led色度參數(shù)受工作電流變化的影響較小。
近紫外芯片激發(fā)三基色熒光粉制作的白光LED
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近紫外芯片激發(fā)三基色熒光粉制作的白光LED
近紫外芯片激發(fā)三基色熒光粉制作的白光LED
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使用近紫外半導(dǎo)體芯片激發(fā)紅綠藍(lán)三基色熒光粉,制作了白光發(fā)光二極管(led),并研究了其光電特性。結(jié)果表明,采用發(fā)射峰值波長分別在613、495和451nm的紅綠藍(lán)熒光粉,在波長400nm左右半導(dǎo)體芯片激發(fā)下的白光led,其顯色指數(shù)ra最大為82;使用yag熒光粉代替綠色熒光粉后,ra提高到93。測試結(jié)果還表明,當(dāng)工作電流從5ma增加到60ma時,制備的白光led的相關(guān)色溫(tc)ra的變化率分別為+9.7%和-1.0%。
全集成的可調(diào)光白光LED驅(qū)動芯片的設(shè)計
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4.4
為了實現(xiàn)led驅(qū)動電路的無色偏高集成度要求,提出一種新型全集成的可調(diào)光白光led驅(qū)動芯片。該芯片在無需外部電感、電容的同時完成了白光led的驅(qū)動,并實現(xiàn)了片內(nèi)集成的調(diào)光功能,可用于需要高集成度或避免電磁干擾的場合;芯片采用脈沖寬度調(diào)制(pwm)的方式來實現(xiàn)調(diào)光功能,在獲得大范圍亮度調(diào)節(jié)的同時可以避免色彩偏移現(xiàn)象的發(fā)生;芯片內(nèi)部采用一種無外置電容的低壓差線性穩(wěn)壓器(ldo)作為功率變換單元,具有較高的穩(wěn)定性和轉(zhuǎn)換速度。采用csmc0.5μm混合信號模型進(jìn)行了仿真,結(jié)果表明,該芯片可以提供占空比在0到100%之間固定變換的峰值為350ma的輸出電流,實現(xiàn)了大范圍的亮度調(diào)節(jié)功能。
一種基于升壓DC-DC變換器的白光LED驅(qū)動芯片
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4.5
設(shè)計了一種升壓型恒流led驅(qū)動芯片,驅(qū)動電流可由外接電阻從15~300ma任意調(diào)整,輸入電壓為2.8~5.5v,輸出電壓最高可達(dá)38v。設(shè)計固定開關(guān)頻率為1mhz,應(yīng)用時只需很小的外接電感即可。相對于其他驅(qū)動器電路,該驅(qū)動器增加了過壓保護(hù)電路,無需外接穩(wěn)壓二極管,降低了應(yīng)用成本。采用上華0.5μmbcd工藝完成芯片的設(shè)計,傳輸效率高達(dá)94%。
TPS6106X:白光LED電源管理芯片
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新型tps6106x系列專業(yè)dc/dc轉(zhuǎn)換器不僅可支持2.7v至6v的輸入電壓.而且能夠為多達(dá)3、4以及5個串行l(wèi)ed供電。tps61060、tps61061以及tps61062器件集成了電流為400ma的mosfet及同步整流器.從而消除了采用外部串行肖特基二極管的麻煩。此外.1mhz電固定開關(guān)頻率使轉(zhuǎn)換器能夠使用更小、低數(shù)值(iowvalue)的外部組件.如10mh的電感器與220nf的輸出電容器。
歐司朗暖白光LED光效刷新記錄
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4.7
歐司朗光電半導(dǎo)體成功地將暖白光led光源的發(fā)光效率提高到142lm/w,創(chuàng)下了新的實驗室記錄。在2755k的相關(guān)色溫(cct)下,led的顯色指數(shù)(cri)高達(dá)81。這些數(shù)值均在標(biāo)準(zhǔn)條件下測得:室溫下,采用脈沖模式,工作電流密度為350ma/mm2。
LED基礎(chǔ)知識-白光LED封裝
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4.4
LED基礎(chǔ)知識-白光LED封裝
歐司朗成功在硅襯底上制程GaN LED芯片
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4.4
歐司朗光電半導(dǎo)體公司的研究人員經(jīng)過研究,現(xiàn)已成功在硅襯底上生產(chǎn)出了氮化鎵led芯片,取代了目前普遍使用的較為昂貴的藍(lán)寶石襯底。這種新的制造技術(shù)有望大幅降低發(fā)光二極管(led)的生產(chǎn)成本,進(jìn)一步推動其普及進(jìn)程。硅是一種標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體材料,作為led襯底具有尺寸大、成本低、易加工、導(dǎo)電好等優(yōu)異性能。但技術(shù)難點在于硅與氮化鎵的熱膨脹系數(shù)不同,在制造過程
白光LED-封裝工藝
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4.7
白光led—封裝工藝 發(fā)布時間:2007-4-6來源:led導(dǎo)航網(wǎng) 一、led封裝工藝 led器件的封裝工藝是一個十分重要的工作。否則,led器件光損失嚴(yán)重,光通和光效低,光色不均勻,使用壽命短, 封裝工藝決定器件使用的成敗。當(dāng)前所發(fā)展的白色led的典型的傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)難以適應(yīng)作為照明光源的要求,模粒、支架、封裝 用的樹脂,光學(xué)結(jié)構(gòu)等有待采用新設(shè)計思想、新工藝和新材料,以臻工藝完善,適合固體照明光源的發(fā)展。人們一方面繼承, 更重要的是擯棄舊的框框,創(chuàng)新性推出有自己特色的照明用新白光led光源。以下幾個問題應(yīng)優(yōu)先發(fā)展: 1、取光率。外量子效率低,折射率物理屏障難以克服。 2、導(dǎo)熱。 3、光色均勻和光通高的封裝工藝; 4、封裝樹脂,高透過率,耐熱,高熱導(dǎo)率,耐uv和日光輻射及抗潮的封裝樹脂。 5、涂敷熒光粉膠工藝,目前滴膠工藝落后,成品率低,一致性差,勞動強(qiáng)度
白光LED封裝技術(shù)
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4.7
第1頁共12頁 白光led,白光led封裝技術(shù) 對于普通照明而言,人們需要的主要是白色的光源。1998年發(fā)白光的led開發(fā)成功。這種led是將gan芯片和釔鋁石榴石(yag) 封裝在一起做成。gan芯片發(fā)藍(lán)光(λp=465nm,wd=30nm),高溫?zé)Y(jié)制成的含ce3+的yag熒光粉受此藍(lán)光激發(fā)后發(fā)出黃色 光,峰值550nm。藍(lán)光led基片安裝在碗形反射腔中,覆蓋以混有yag的樹脂薄層,約200-500nm。led基片發(fā)出的藍(lán)光部分 被熒光粉吸收,另一部分藍(lán)光與熒光粉發(fā)出的黃光混合,可以得到得白光?,F(xiàn)在,對于ingan/yag白色led,通過改變yag熒光粉 的化學(xué)組成和調(diào)節(jié)熒光粉層的厚度,可以獲得色溫3500-10000k的各色白光。 白光就是有各種顏色光組成的,平常的太陽光,日光燈都屬于白光 白
白光LED燈用藍(lán)色熒光粉的發(fā)光性能和結(jié)構(gòu)(英文)
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4.5
按2(sr0.99,eu2+0.01)o-0.16b2o3-0.84p2o5配料以固相法合成藍(lán)色熒光粉。該熒光粉在還原性氣氛中,分別在1100,1150,1200℃和1250℃下進(jìn)行焙燒。對不同溫度下制成的樣品進(jìn)行x射線衍射分析,確定樣品的晶體結(jié)構(gòu)及晶相組成。通過測定樣品的激發(fā)光譜和發(fā)射光譜,研究了焙燒溫度對熒光粉結(jié)構(gòu)的影響。結(jié)果表明:在1200℃下合成的熒光粉sr6bp5o20為單一相,屬四方晶系,p4/mmm空間群,晶胞參數(shù)分別為a=0.9794nm;c=0.9516nm,對應(yīng)發(fā)射譜中478nm的發(fā)射峰;在低于1200℃下合成的熒光粉中含有α-sr3(po4)2和α-sr2p2o72個晶相,對應(yīng)發(fā)射譜中420nm的發(fā)射峰。
自制高亮度白光LED燈
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4.4
自制高亮度白光led燈 上傳者:jackwang瀏覽次數(shù):1252 高亮度白光led燈(以下簡稱白光燈)具有光色好(與日光接近),節(jié)能(電光轉(zhuǎn)換效率遠(yuǎn)高于白熾 燈,也高于熒光燈,是一種冷光源),壽命長(壽命是熒光燈的幾倍(白熾燈的幾十倍),環(huán)保無污 染的特點成為白熾燈和熒光燈的有力挑戰(zhàn)者。但其不足之處是目前價格較高。目前,白光燈已 發(fā)展到第二代;第一代白光燈的價格已大幅下降,φ5白光燈的價格已降到0.25/只,拆機(jī)φ5 白光燈的價格為0.2/只,此價格已經(jīng)可以接受。筆者不久前以每只0.16元的價格郵購了幾十 只拆機(jī)件φ5白光燈,用它制作了幾只照明燈,效果不錯,現(xiàn)向愛好者作一介紹。 市電220v1.2w白光led照明燈 用一只易拉罐的球形罐底,用剪刀修圓,在上面鉆出20個小孔,小孔的分布呈圓形,盡量 制作得美觀些,孔的大
電子束輻照對GaN基白光LED發(fā)光性能的影響
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4.8
研究了低能電子束輻照對gan基白光led發(fā)光性能的影響。利用電子束模擬空間電子輻射,對白光led燈板進(jìn)行電子束輻照,并與輻照前的燈板比較,研究其光學(xué)性能,尤其是色度學(xué)性能的變化。試驗結(jié)果表明,在電子束輻照后,led的光效退化,色溫增強(qiáng),藍(lán)光峰值波長藍(lán)移,熒光粉激發(fā)作用增強(qiáng)。最后總結(jié)了輻照前后的平均藍(lán)光峰值波長、黃光相對峰強(qiáng)以及色溫的變化值與輻照劑量的對應(yīng)關(guān)系。同時對實驗結(jié)果進(jìn)行機(jī)理分析和討論。本實驗對照明用白光gan基led的輻照研究以及改性實驗有指導(dǎo)作用。
提升白光LED發(fā)光效率的研究
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4.7
??????????????led?????????????????????????????????????;???20090501 ????led?????????????????????????????http://d.g.wanfangdata.com.cn/thesis_y1674930.aspx
W級大功率白光LED發(fā)光效率研究
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1w級大功率白光led發(fā)光效率研究 摘要:研究了1w級大功率白光發(fā)光二極管(led)發(fā)光效率隨功率變化的關(guān)系。實驗結(jié)果 表明,功率在0~0.11w的范圍里,發(fā)光效率隨功率迅速增加;功率達(dá)到0.11w時,發(fā)光效率 為15.6lm/w;當(dāng)功率大于0.11w時,發(fā)光效率隨功率增加開始減小,功率繼續(xù)增加時,發(fā)光 效率降低的速度越來越快。在器件額定功率1w附近,發(fā)光效率為13lm/w。發(fā)光效率隨功 率增加而下降主要是由于芯片溫度升高、電流泄漏等導(dǎo)致的載流子有效復(fù)合幾率下降引起的。 關(guān)鍵詞:大功率白光發(fā)光二極管;半導(dǎo)體照明;光通量;發(fā)光效率 文章編號:1001-5868(2005)04-0314-03 中圖分類號:tn383.1文獻(xiàn)標(biāo)識碼::a lumenefficiency
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職位:雙證監(jiān)理工程師
擅長專業(yè):土建 安裝 裝飾 市政 園林