更新日期: 2025-03-22

一種帶熱滯回功能的CMOS溫度保護(hù)電路

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一種帶熱滯回功能的CMOS溫度保護(hù)電路 4.7

基于CSMC 0.5μm CMOS工藝設(shè)計了一種帶熱滯回功能的高精度溫度保護(hù)電路,利用晶體管PN結(jié)和PTAT電流相反的溫度特性,極大地提高了溫差鑒別的靈敏度。Cadence Spectre仿真結(jié)果表明,該電路對溫度靈敏度高,功耗低,且其熱滯回功能可有效防止熱振蕩。比普通單PN結(jié)的溫度保護(hù)電路具有更高的靈敏度和精度,可廣泛用于各種功率芯片內(nèi)部。

高性能快速啟動CMOS帶隙基準(zhǔn)及過溫保護(hù)電路 高性能快速啟動CMOS帶隙基準(zhǔn)及過溫保護(hù)電路 高性能快速啟動CMOS帶隙基準(zhǔn)及過溫保護(hù)電路

高性能快速啟動CMOS帶隙基準(zhǔn)及過溫保護(hù)電路

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設(shè)計了一種新穎的具有快速啟動的高性能cmos帶隙基準(zhǔn),利用pn結(jié)正向?qū)▔航稻哂胸?fù)溫度系數(shù),偏置電路提供的偏置電流具有正溫度系數(shù),實(shí)現(xiàn)了過溫保護(hù)。采用上華0.5μm的cmos工藝模型進(jìn)行設(shè)計和仿真,cadencespectre模擬結(jié)果表明帶隙基準(zhǔn)電壓為1.242v。該電路溫度系數(shù)低,電源抑制比高,啟動速度快(啟動時間僅10μs),過溫保護(hù)性能良好。

一種高精度CMOS帶隙基準(zhǔn)和過溫保護(hù)電路 一種高精度CMOS帶隙基準(zhǔn)和過溫保護(hù)電路 一種高精度CMOS帶隙基準(zhǔn)和過溫保護(hù)電路

一種高精度CMOS帶隙基準(zhǔn)和過溫保護(hù)電路

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在分析標(biāo)準(zhǔn)的cmos帶隙基準(zhǔn)原理的基礎(chǔ)上,設(shè)計了高精度、高電源抑制比的cmos帶隙基準(zhǔn)電壓發(fā)生器。其特點(diǎn)是采用內(nèi)部電壓減小電源噪聲的影響;通過兩個串聯(lián)的二極管提高,減小運(yùn)放失調(diào)的影響。該電路基于csmc0.35umdptm工藝,使用spectre仿真該電路得到結(jié)果為,常溫下輸出電壓為1.23v,在-20℃~80℃溫度范圍內(nèi)溫漂為10ppm/℃,在4v到7v范圍內(nèi)電源抑制比為0.01v/v,達(dá)到了設(shè)計的預(yù)期目標(biāo)。

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一種嵌入Bicmos帶隙電路的過溫保護(hù)電路 一種嵌入Bicmos帶隙電路的過溫保護(hù)電路 一種嵌入Bicmos帶隙電路的過溫保護(hù)電路

一種嵌入Bicmos帶隙電路的過溫保護(hù)電路

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一種嵌入Bicmos帶隙電路的過溫保護(hù)電路 4.3

提出一種集成于帶隙電路中的過溫保護(hù)電路。該電路結(jié)構(gòu)簡單,在正常溫度工作情況下不消耗額外功耗,具有低功耗的特性,同時電路不受電源電壓變化的影響。電路采用jazz0.5umbicmos工藝庫模型,對電路進(jìn)行仿真表明,電路對電源電壓變化的抑制能力強(qiáng)、對閾值溫度和遲滯溫度差的精度高。

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具有CAN總線功能的輸送帶溫度保護(hù)系統(tǒng)的設(shè)計 具有CAN總線功能的輸送帶溫度保護(hù)系統(tǒng)的設(shè)計 具有CAN總線功能的輸送帶溫度保護(hù)系統(tǒng)的設(shè)計

具有CAN總線功能的輸送帶溫度保護(hù)系統(tǒng)的設(shè)計

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具有CAN總線功能的輸送帶溫度保護(hù)系統(tǒng)的設(shè)計 4.7

針對礦井帶式輸送機(jī)的火災(zāi)問題并分析其原因,設(shè)計了輸送機(jī)的溫度監(jiān)測系統(tǒng)。本文著重介紹輸送帶的常見故障形式及原因、can總線、測速和測溫原理,以及保護(hù)系統(tǒng)、軟硬件設(shè)計。本系統(tǒng)結(jié)構(gòu)簡單、成本低、實(shí)用性能好,經(jīng)實(shí)驗達(dá)到預(yù)期設(shè)計期望。

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帶熱滯回功能的CMOS溫度保護(hù)電路热门文档

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CMOS集成電路中電源和地之間的ESD保護(hù)電路設(shè)計 4.5

討論了3種常用的cmos集成電路電源和地之間的esd保護(hù)電路,分別介紹了它們的電路結(jié)構(gòu)以及設(shè)計考慮,并用hspice對其中利用晶體管延時的電源和地的保護(hù)電路在esd脈沖和正常工作兩種情況下的工作進(jìn)行了模擬驗證。結(jié)論證明:在esd脈沖下,該保護(hù)電路的導(dǎo)通時間為380ns;在正常工作時,該保護(hù)電路不會導(dǎo)通,因此這種利用晶體管延時的保護(hù)電路完全可以作為cmos集成電路電源和地之間的esd保護(hù)電路。

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基于CMOS集成溫度傳感器的電路設(shè)計與仿真 基于CMOS集成溫度傳感器的電路設(shè)計與仿真 基于CMOS集成溫度傳感器的電路設(shè)計與仿真

基于CMOS集成溫度傳感器的電路設(shè)計與仿真

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基于CMOS集成溫度傳感器的電路設(shè)計與仿真 4.6

為提高溫度傳感器的測量精度,同時縮小其面積和功耗,文中設(shè)計了一種使用npn晶體管進(jìn)行溫度測量的完全集成互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體傳感器。該傳感器主要由偏置電路,運(yùn)算放大器和熱傳感器電路組成。偏置電路為傳感器提供偏置條件,其由啟動電路和β乘法器電路組成。文中采用ltspiceandmatlab進(jìn)行電路設(shè)計,并在50nm工藝下對傳感器電路進(jìn)行仿真,得到所設(shè)計的溫度傳感器在-30~125℃范圍內(nèi),溫度系數(shù)為5.9mv/℃。

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基于PLC控制的電動機(jī)溫度保護(hù) 基于PLC控制的電動機(jī)溫度保護(hù) 基于PLC控制的電動機(jī)溫度保護(hù)

基于PLC控制的電動機(jī)溫度保護(hù)

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基于PLC控制的電動機(jī)溫度保護(hù) 4.7

電動機(jī)的溫度保護(hù)與按照電動機(jī)定子電流的大小規(guī)定允許過載時間的長短的保護(hù)方式相比,具有更加全面的優(yōu)點(diǎn)。在工廠普遍使用plc的情況下,其保護(hù)的控制方法能夠方便地實(shí)現(xiàn)。

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一種帶溫度保護(hù)和曲率補(bǔ)償?shù)膸峨妷夯鶞?zhǔn)結(jié)構(gòu) 一種帶溫度保護(hù)和曲率補(bǔ)償?shù)膸峨妷夯鶞?zhǔn)結(jié)構(gòu) 一種帶溫度保護(hù)和曲率補(bǔ)償?shù)膸峨妷夯鶞?zhǔn)結(jié)構(gòu)

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一種帶溫度保護(hù)和曲率補(bǔ)償?shù)膸峨妷夯鶞?zhǔn)結(jié)構(gòu) 4.5

介紹了帶隙電壓基準(zhǔn)的一種改進(jìn)設(shè)計,該結(jié)構(gòu)通過引入mos管亞閾值區(qū)電流特性的曲率補(bǔ)償和溫度保護(hù)的特性,不僅使電路在規(guī)定溫度范圍內(nèi)具有更低的溫度系數(shù)(10ppm/℃),而且能保證在溫度升高至超出此溫度范圍的時候,基準(zhǔn)電路的溫度保護(hù)部分將輸出邏輯電平信號,以達(dá)到外部電路控制的目的.同時溫度保護(hù)電路具有遲滯效應(yīng),避免電路在溫度t時產(chǎn)生震蕩效應(yīng).

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干式變壓器溫度保護(hù)研究 干式變壓器溫度保護(hù)研究 干式變壓器溫度保護(hù)研究

干式變壓器溫度保護(hù)研究

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干式變壓器溫度保護(hù)研究 4.6

介紹了3種干式變壓器溫度保護(hù)系統(tǒng):接觸式熱電阻溫度保護(hù)系統(tǒng)、紅外傳感溫度保護(hù)系統(tǒng)、光纖傳感溫度保護(hù)系統(tǒng)。對于使用較為普遍的熱電阻溫度保護(hù)系統(tǒng)和紅外溫度保護(hù)系統(tǒng),重點(diǎn)分析了其溫度測量技術(shù)、工作原理、優(yōu)缺點(diǎn)和適用對象。研究并指出現(xiàn)有溫度保護(hù)系統(tǒng)存在的測量速度較低的不足,提出通過預(yù)測控制算法來提高干式變壓器溫度保護(hù)的反應(yīng)速度。

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通大氣閥雙重保護(hù)電路原理及功能擴(kuò)展 4.4

本文從軋花廠外吸籽棉管道通大氣閥工作原理入手,結(jié)合生產(chǎn)實(shí)際現(xiàn)狀及存在的安全隱患,談控制電路的安全性、可靠性和規(guī)范性,提出了較完善的設(shè)計方案并繪制了電氣工作原理圖供大家參考。

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熱電偶溫度表測量電路的設(shè)計

熱電偶溫度表測量電路的設(shè)計

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熱電偶溫度表測量電路的設(shè)計 4.6

熱電偶溫度表測量電路的設(shè)計 熱電偶溫度表由配套熱電偶、外殼和核心測量電路等組成,其核心電路由三大部分組成: (1)測量放大電路;(2)a/d轉(zhuǎn)換電路;(3)顯示電路。一般用單片機(jī)作為信號處理和控制的核 心,圖10.6.1所示為市場上常見的熱電偶測溫表。若對電路稍作改進(jìn)也可變成溫度控制器或 兼具溫度控制與報警雙重功能。 圖10.6.1熱電偶溫度表 1溫度表硬件電路設(shè)計 1.1熱電偶溫度傳感器及其冷端補(bǔ)償方法的選擇 可根據(jù)測量溫度高低來選擇,盡量選用賤金屬型熱電偶,以降低成本。如鐵—康銅型熱 電偶,被測溫度范圍可達(dá)-100~1100℃,冷端補(bǔ)償采用補(bǔ)償電橋法,采用不平衡電橋產(chǎn)生 的電勢來補(bǔ)償熱電偶因冷端溫度變化而引起的熱電勢變化值。不平衡電橋由電阻r1、r2、 r3(錳銅絲繞制)、rcu(銅絲繞制)四橋臂和橋路穩(wěn)壓源組成,串聯(lián)在熱電偶回路中。rcu 與

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干式變壓器快速溫度保護(hù)研究 干式變壓器快速溫度保護(hù)研究 干式變壓器快速溫度保護(hù)研究

干式變壓器快速溫度保護(hù)研究

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干式變壓器快速溫度保護(hù)研究 4.3

本文中作者利用溫升加速度算法,研究了干式變壓器在短路故障和正常工作狀態(tài)時溫升的加速度,得出了判別變壓器故障的判據(jù)。

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多通閥智能保護(hù)電路的改進(jìn) 多通閥智能保護(hù)電路的改進(jìn) 多通閥智能保護(hù)電路的改進(jìn)

多通閥智能保護(hù)電路的改進(jìn)

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多通閥智能保護(hù)電路的改進(jìn) 4.5

多通閥控制電路中由于無對稱性故障(如過載、堵轉(zhuǎn)、過壓、欠壓等)及非對稱性故障(如斷相、電流不平衡)保護(hù)功能,在出現(xiàn)上述故障時,燒毀電機(jī),無法實(shí)現(xiàn)計量選井功能,造成了設(shè)備損壞和無法正常使用.本文提出在多通閥控制電路中采用無源化、穿芯式結(jié)構(gòu)智能保護(hù)器,取消熱繼電器,替代熱繼電器與交流接觸器配合使用能對多通閥電動執(zhí)行器起到可靠的保護(hù).

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納米/CMOS電路單元的快速映射 納米/CMOS電路單元的快速映射 納米/CMOS電路單元的快速映射

納米/CMOS電路單元的快速映射

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納米/CMOS電路單元的快速映射 4.6

針對納米/cmos混合電路(cmol)單元映射問題,提出一種基于混合遺傳算法的映射算法.將任意布爾電路轉(zhuǎn)換為適于cmol映射的基于或非門的電路,讀入該電路進(jìn)行染色體編碼,形成初始種群;每一代種群經(jīng)過二維交叉算子、變異算子進(jìn)行解空間全局搜索,并引入模擬退火算法進(jìn)行局部搜索使種群個體得以改進(jìn).對iscas和mcnc標(biāo)準(zhǔn)電路的實(shí)驗結(jié)果表明,采用該算法進(jìn)行求解不僅使電路面積小、時延短,且具有求解速度快、能處理規(guī)模較大電路的特點(diǎn).

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溫度保護(hù)套管材質(zhì)選擇和溫度壓力補(bǔ)償

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溫度保護(hù)套管材質(zhì)選擇和溫度壓力補(bǔ)償 4.3

保護(hù)套管選用材質(zhì)參考表 標(biāo)記材質(zhì) 國外對應(yīng) 鋼號 最高使用 溫度 特點(diǎn)用途 a1cr18ni9ti321800抗晶間腐蝕好,焊接性能良好 核動力及反應(yīng)堆構(gòu)件石油化工設(shè) 備造紙制皂食品加工 bgh30301100 鎳基高溫合金.抗氧化性耐腐 蝕優(yōu)良,焊接性能良好. 燃燒爐設(shè)備在高溫低壓力下工 作. cgh30391150 鎳基高溫合金.抗氧化性比 gh3030更好,使用溫度更高. 同上 dptrh61300 氧化條件下耐高溫,在鹵素 酸等溶液中耐腐蝕性能好,但 易受碳硅硫等污染 玻璃行業(yè)代工熔爐退火等爐窯 e20500 易氧化不耐腐蝕,但價格便 宜 一般低溫?zé)o腐蝕場合 f1cr25ti4461100 抗大氣氧化,抗硫化氣氛性能 好,焊接性能好 石油化工,冶金電力熱處理爐 焚燒

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右江水電廠溫度保護(hù)系統(tǒng)優(yōu)化改造 4.4

為避免機(jī)組溫度保護(hù)誤動作導(dǎo)致機(jī)組非計劃停運(yùn),右江水電廠對溫度保護(hù)元器件、動作邏輯進(jìn)行了優(yōu)化改造,取得了良好效果,改造后未發(fā)生機(jī)組溫度保護(hù)誤動及拒動現(xiàn)象,希望該溫度保護(hù)改造措施對設(shè)計單位及同行業(yè)電廠有所借鑒。

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XPC分流器保護(hù)電路 XPC分流器保護(hù)電路 XPC分流器保護(hù)電路

XPC分流器保護(hù)電路

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XPC分流器保護(hù)電路 4.8

p&h4100xpc電鏟運(yùn)行中,當(dāng)電樞電流達(dá)到額定電流的140%時,分流器模塊檢測到過流現(xiàn)象,分流器保護(hù)電路開始運(yùn)行。分流電路運(yùn)行分為三個階段:分流器電容充電、過流檢測、關(guān)斷晶閘管以及釋放電機(jī)能量。

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控制保護(hù)電路設(shè)計

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控制保護(hù)電路設(shè)計 4.5

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最新5-6CMOS電路匯總

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最新5-6CMOS電路匯總 4.7

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CMOS光接收機(jī)前端放大電路

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CMOS光接收機(jī)前端放大電路 4.6

利用smic0.18μmcmos工藝設(shè)計了光接收機(jī)前端放大電路.在前置放大器中,設(shè)計了一種高增益有源反饋跨阻放大器,并且可以使輸出共模電平在較大范圍內(nèi)調(diào)解.在限幅放大器中,通過在改進(jìn)的cherry-hooper結(jié)構(gòu)里引入有源電感負(fù)反饋來進(jìn)一步擴(kuò)展帶寬.整個前端放大電路具有較高的靈敏度和較寬的輸入動態(tài)范圍.hspice仿真結(jié)果表明該電路具有119db的中頻跨阻增益,2.02ghz的帶寬,對于輸入電流幅度從1.4μa到170μa變化時,50ω負(fù)載線上的輸出電壓限幅在320mv(v_(pp)),輸出眼圖穩(wěn)定清晰.核心電路靜態(tài)功耗為45.431mw.

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開關(guān)電源的短路保護(hù)電路

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開關(guān)電源的短路保護(hù)電路 4.6

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帶溫度保護(hù)裝置離合器在機(jī)床中的應(yīng)用分析 帶溫度保護(hù)裝置離合器在機(jī)床中的應(yīng)用分析 帶溫度保護(hù)裝置離合器在機(jī)床中的應(yīng)用分析

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帶溫度保護(hù)裝置離合器在機(jī)床中的應(yīng)用分析 4.5

利用感溫磁體在居里點(diǎn)磁矩的排列混亂無序,磁力急劇下降這一特點(diǎn),使得原來永磁體和感溫磁體磁力吸合在一起的傳動輪轂,突然失去磁吸力,在彈簧的彈力作用下沿導(dǎo)向鍵滑動,從而脫開。

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快速穩(wěn)定的CMOS電荷泵電路的設(shè)計 快速穩(wěn)定的CMOS電荷泵電路的設(shè)計 快速穩(wěn)定的CMOS電荷泵電路的設(shè)計

快速穩(wěn)定的CMOS電荷泵電路的設(shè)計

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快速穩(wěn)定的CMOS電荷泵電路的設(shè)計 4.7

基于交叉耦合nmos單元,提出了一種低壓、快速穩(wěn)定的cmos電荷泵電路.一個二極管連接的nmos管與自舉電容相并聯(lián),對電路進(jìn)行預(yù)充電,從而改善了電荷泵電路的穩(wěn)定建立特性.pmos串聯(lián)開關(guān)用于將信號傳輸?shù)较乱患?仿真結(jié)果表明,4級電荷泵的最大輸出電壓為7.41v,建立時間為0.85μs.

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4·2GHz CMOS射頻前端電路設(shè)計 4·2GHz CMOS射頻前端電路設(shè)計 4·2GHz CMOS射頻前端電路設(shè)計

4·2GHz CMOS射頻前端電路設(shè)計

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4·2GHz CMOS射頻前端電路設(shè)計 4.5

設(shè)計并實(shí)現(xiàn)了一個工作在4.2ghz的全集成cmos射頻前端電路,包括可實(shí)現(xiàn)單端輸入到差分輸出變換的低噪聲放大器和電流注入型gilbert有源雙平衡混頻器。電路采用smic0.18μmrf工藝。測試結(jié)果表明,在1.8v電源電壓下,電路的功率增益可達(dá)到26db,1db壓縮點(diǎn)為-27dbm,電路總功耗(含buffer)為21ma。

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涂小兵

职位:房建一級建筑師

擅长专业:土建 安裝 裝飾 市政 園林

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