86封裝工藝屬于集成電路制造工藝的
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盡信書不如無書 -------#16---504 1、 封裝工藝屬于集成電路制造工藝的()工序。 2、 按照器件與電路板連接方式,封裝可分為引腳插入型( PTH)和()兩大類。 3、 芯片封裝所使用的材料有許多,其中金屬主要為()材料。 4、 ()技術(shù)的出現(xiàn)解決了芯片小而封裝大的矛盾。 5、 在芯片貼裝工藝中要求:已切割下來的芯片要貼裝到引腳架的中間焊盤上,焊盤的尺寸 要與芯片的大小要() 。 6、 在倒裝焊接后的芯片下填充,由于毛細(xì)管虹吸作用,填料被吸入并向芯片基板的中心流 動(dòng),一個(gè) 12.7mm 見方的芯片,()分鐘可完全充滿縫隙,用料大約 0.031ml。 7、 用溶劑來去飛邊毛刺通常只適用于()的毛刺。 8、 如果厚膜漿料的有效物質(zhì)是一種絕緣材料,則燒結(jié)后的膜是一種介電體,通??捎糜谥?作()。 9、 能級(jí)之間電位差越大,噪聲越() 。 10、 薄膜電路的頂層材料一般是() 。
集成電路制造工藝_百度文庫(kù)(精)
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從電路設(shè)計(jì)到芯片完成離不開集成電路的制備工藝,本章主要介紹硅襯底上的 cmos集成電路制造的工藝過程。有些cmos集成電路涉及到高壓mos器件 (例如平板顯示驅(qū)動(dòng)芯片、智能功率cmos集成電路等),因此高低壓電路的兼 容性就顯得十分重要,在本章最后將重點(diǎn)說明高低壓兼 容的cmos工藝流程。 1.1基本的制備工藝過程 cmos集成電路的制備工藝是一個(gè)非常復(fù)雜而又精密的過程,它由若干單項(xiàng) 制備工藝組合而成。下面將分別簡(jiǎn)要介紹這些單項(xiàng)制備工藝。 1.1.1襯底材料的制備 任何集成電路的制造都離不開襯底材料——單晶硅。制備單晶硅有兩種方法: 懸浮區(qū)熔法和直拉法,這兩種方法制成的單晶硅具有不同的性質(zhì)和不同的集成電路 用途。 1懸浮區(qū)熔法 懸浮區(qū)熔法是在20世紀(jì)50年代提出并很快被應(yīng)用到晶體制備技術(shù)中。在懸浮 區(qū)熔法中,使圓柱形硅棒固定于垂直方向,用高頻感應(yīng)線圈在氬氣氣
厚膜混合集成電路孔金屬化制造工藝探討
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隨著電子產(chǎn)品技術(shù)含量的不斷升級(jí),對(duì)于厚膜混合集成電路的制造工藝提出了更高的要求,從而產(chǎn)生了孔金屬化的制造工藝。文章主要闡述了孔金屬化的原理和制造工藝,并結(jié)合多年的生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn),對(duì)影響孔金屬化制造的因素進(jìn)行探討和總結(jié)。
集成電路封裝工藝生產(chǎn)管理系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
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針對(duì)集成電路封裝工藝生產(chǎn)的實(shí)際需要,設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)了一個(gè)基于客戶機(jī)/服務(wù)器模式的集成電路封裝工藝生產(chǎn)管理系統(tǒng)。該系統(tǒng)可以采集大量的生產(chǎn)數(shù)據(jù)信息,并自動(dòng)完成統(tǒng)計(jì)分析,生成各種實(shí)時(shí)的報(bào)表;特別是增加了用戶自定義報(bào)表編緝功能,使得管理者和工程師能夠快速地生成自己所需形式的報(bào)表,統(tǒng)計(jì)分析生產(chǎn)流水?dāng)?shù)據(jù),提高生產(chǎn)的工藝管理水平。目前,系統(tǒng)性能已經(jīng)過測(cè)試優(yōu)化并投入試運(yùn)行。
集成電路芯片封裝第1講
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集成電路芯片封裝第1講
《集成電路工藝原理(芯片制造)》課程試題庫(kù)
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《集成電路工藝原理(芯片制造)》課程試題庫(kù)
集成電路可制造性設(shè)計(jì)中器件參數(shù)的提取
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分別采用流體力學(xué)模型和漂移擴(kuò)散模型對(duì)不同溝道長(zhǎng)度的nmosfet進(jìn)行襯底電流的提取,并以nmosfet溝道長(zhǎng)度和ldd注入峰值綜合對(duì)器件特性的影響為研究?jī)?nèi)容,介紹了集成電路可制造性設(shè)計(jì)中器件參數(shù)的優(yōu)化與提取。
納米工藝下集成電路物理集成設(shè)計(jì)人才的培養(yǎng)探索
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本文介紹16nmfinfet工藝下集成電路的物理集成流程,分析了先進(jìn)工藝下物理集成工程師所面臨的問題和挑戰(zhàn)。為了更好地適應(yīng)新的要求,對(duì)我國(guó)高校ic人才培養(yǎng)的相關(guān)環(huán)節(jié)提出了探索性的建議。
密腳間距QFP集成電路引線成形工藝研究
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集成電路引線成形原本是集成電路封裝的后道工序,成形質(zhì)量將直接影響電子裝聯(lián)產(chǎn)品的可靠性,其關(guān)鍵工藝點(diǎn)在于成形的肩寬、站高、焊接長(zhǎng)度和共面度等關(guān)鍵工藝參數(shù)的選擇以及成形工藝裝備的合理配置與優(yōu)化。論述了目前表面貼裝密腳間距qfp封裝器件在應(yīng)用中遇到的引線成形問題,介紹了該類器件成形中的相關(guān)技術(shù)要求及目前國(guó)內(nèi)外器件成形的現(xiàn)狀,提出了引線手工成形的解決方案。
集成電路論文
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4.5
集成電路論文第1頁(yè) 智能配電網(wǎng)中電力變壓器的應(yīng)用研究 摘要 為應(yīng)對(duì)電力系統(tǒng)在新世紀(jì)面臨的分布式電源并網(wǎng)、電網(wǎng)利用系數(shù)低,高可靠性,高 電能質(zhì)量要求以及數(shù)字化技術(shù)應(yīng)用等諸多挑戰(zhàn),智能電網(wǎng)成為未來電網(wǎng)的主要發(fā)展方向。 智能電網(wǎng)的建設(shè)離不開高級(jí)電力電子裝置,因此電力電子變壓器的研究對(duì)于建設(shè)綠色電 網(wǎng),智能電網(wǎng)具有重要的意義。論文首先對(duì)智能電網(wǎng)的概念及功能特點(diǎn)進(jìn)行了介紹,其 次,論文分析了電力電子變壓器的基本原理和拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),最后,論文就ac/ac和ac /dc/ac這兩種典型的電力電子變壓器在智能配電網(wǎng)上的應(yīng)用進(jìn)行了研究。首先提出 了應(yīng)用在配電網(wǎng)的基于ac/ac型電力電子變壓器的自動(dòng)電壓穩(wěn)壓器。其次,論文分析 了應(yīng)用在智能配電網(wǎng)中的基于ac/dc/ac型電力電子變壓器的電能質(zhì)量控制方案,構(gòu) 建了系統(tǒng)的數(shù)學(xué)模型,詳細(xì)分析了電力電子變壓器輸入級(jí)、中間隔離級(jí)和輸出級(jí)的控制 策略。
集成電路測(cè)試
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4.6
第一章 集成電路的測(cè)試 1.集成電路測(cè)試的定義 集成電路測(cè)試是對(duì)集成電路或模塊進(jìn)行檢測(cè),通過測(cè)量對(duì)于集成電路的輸出回應(yīng)和預(yù)期 輸出比較,以確定或評(píng)估集成電路元器件功能和性能的過程,是驗(yàn)證設(shè)計(jì)、監(jiān)控生產(chǎn)、保證 質(zhì)量、分析失效以及指導(dǎo)應(yīng)用的重要手段。 .2.集成電路測(cè)試的基本原理 輸入x輸出回應(yīng)y 被測(cè)電路dut(deviceundertest)可作為一個(gè)已知功能的實(shí)體,測(cè)試依據(jù)原始輸入x 和網(wǎng)絡(luò)功能集f(x),確定原始輸出回應(yīng)y,并分析y是否表達(dá)了電路網(wǎng)絡(luò)的實(shí)際輸出。因 此,測(cè)試的基本任務(wù)是生成測(cè)試輸入,而測(cè)試系統(tǒng)的基本任務(wù)則是將測(cè)試輸人應(yīng)用于被測(cè)器 件,并分析其輸出的正確性。測(cè)試過程中,測(cè)試系統(tǒng)首先生成輸入定時(shí)波形信號(hào)施加到被測(cè) 器件的原始輸入管腳,第二步是從被測(cè)器件的原始輸出管腳采樣輸出回應(yīng),最后經(jīng)過分析處 理得到測(cè)試結(jié)果。 3.集成電路故障與測(cè)
基于納米工藝的數(shù)字集成電路電源版圖設(shè)計(jì)
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4.7
在納米工藝的數(shù)字集成電路電源版圖設(shè)計(jì)中,根據(jù)芯片布局合理進(jìn)行電源布局、電源個(gè)數(shù)以及電源布線等方面設(shè)計(jì),確保每一個(gè)電壓域都有完整的電源網(wǎng)絡(luò)。在電源分析時(shí)從電壓降、功耗及電遷移評(píng)估分析,使設(shè)計(jì)好的電源網(wǎng)絡(luò)符合電源預(yù)算規(guī)劃。在可靠性設(shè)計(jì)時(shí)采取布線優(yōu)化、添加去耦電容、優(yōu)化封裝設(shè)計(jì)等方法,提高電源抗干擾能力,從而降低電壓降、提高電源的完整性和可靠性。
噶米集成電路制造技術(shù)原理與工藝王蔚習(xí)題解答第4單元
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復(fù)習(xí)題 1.ulsi中對(duì)光刻技術(shù)的基本要求? 答:一般來說,在ulsi中對(duì)光刻技術(shù)的基本要求包括五方面:①高分辨率。隨著集成 電路集成度的不斷提高,加工的線條越來越精細(xì),要求光刻的圖形具有高分辨率。在集成電 路工藝中,通常把線寬作為光刻水平的標(biāo)志,一般也可以用加工圖形線寬的能力來代表集成 電路的工藝水平。②高靈敏度的光刻膠。光刻膠的靈敏度通常是指光刻膠的感光速度。在集 成電路工藝中為了提高產(chǎn)品的產(chǎn)量,希望曝光時(shí)間愈短愈好。為了減小曝光所需的時(shí)間,需 要使用高靈敏度的光刻膠。光刻膠的靈敏度與光刻膠的成份以及光刻工藝條件都有關(guān)系,而 且伴隨著靈敏度的提高往往會(huì)使光刻膠的其它屬性變差。因此,在確保光刻膠各項(xiàng)屬性均為 優(yōu)異的前提下,提高光刻膠的靈敏度已經(jīng)成為了重要的研究課題。③低缺陷。在集成電路芯 片的加工過程中,如果在器件上產(chǎn)生一個(gè)缺陷,即使缺陷的尺
超大規(guī)模集成電路的可制造性設(shè)計(jì)
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4.5
以synopsys推出的tcad軟件tsuprem-ⅳ和medici為藍(lán)本,結(jié)合100nm柵長(zhǎng)pmosfet的可制造性聯(lián)機(jī)仿真與優(yōu)化實(shí)例,闡述了超大規(guī)模集成電路dfm階段所進(jìn)行的工藝級(jí)、器件物理特性級(jí)優(yōu)化及工藝參數(shù)的提取。
基于SEMI標(biāo)準(zhǔn)的集成電路制造裝備控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)
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4.5
隨著集成電路制造裝備的復(fù)雜度越來越高,設(shè)計(jì)一個(gè)符合semi標(biāo)準(zhǔn)的集成電路制造裝置控制系統(tǒng)顯得尤為重要。針對(duì)semi標(biāo)準(zhǔn)的要求,提出了一種控制系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)方法。設(shè)計(jì)的系統(tǒng)定義了semi標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定的控制模型與狀態(tài)模型及其他操作,能夠滿足實(shí)際控制需要與semi標(biāo)準(zhǔn)的要求。
關(guān)于印發(fā)極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝等科技重大專項(xiàng)免稅
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樂稅智庫(kù)文檔 財(cái)稅法規(guī) 策劃樂稅網(wǎng) 樂稅網(wǎng)(http://www.***.***/)郵箱:jiufu@leshui365.com 關(guān)于印發(fā)極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝等科技重大專項(xiàng) 免稅進(jìn)口物資清單的通知 【標(biāo)簽】免稅,大規(guī)模集成電路,制造裝備及成套工藝,進(jìn)口物資清單 【頒布單位】財(cái)政部,海關(guān)總署,國(guó)家稅務(wù)總局 【文號(hào)】財(cái)關(guān)稅﹝2012﹞6號(hào) 【發(fā)文日期】2012-05-29 【實(shí)施時(shí)間】2012-05-29 【有效性】全文有效 【稅種】進(jìn)出口貨物監(jiān)管 各省、自治區(qū)、直轄市、計(jì)劃單列市財(cái)政廳(局)、國(guó)家稅務(wù)局,新疆生產(chǎn)建設(shè)兵團(tuán)財(cái)務(wù)局, 海關(guān)總署廣東分署、各直屬海關(guān): 根據(jù)《財(cái)政部、科技部、國(guó)家發(fā)展改革委、海關(guān)總署、國(guó)家稅務(wù)總局關(guān)于科技重大專項(xiàng) 進(jìn)口稅收政策的通知》(財(cái)關(guān)稅[2010]28號(hào))規(guī)定,
集成電路發(fā)展規(guī)劃
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4.7
集成電路產(chǎn)業(yè)“十二五”發(fā)展規(guī)劃 i 目錄 前言................................................................................................................................1 一、“十一五”回顧....................................................................................................1 (一)產(chǎn)業(yè)規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大.....................................................................................2 (二)創(chuàng)新能力顯著提升..................
集成電路工藝原理與實(shí)踐課程體系改革與探索
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4.4
根據(jù)現(xiàn)有的教學(xué)平臺(tái)、微電子技術(shù)人才的培養(yǎng)要求,整合優(yōu)勢(shì)資源,構(gòu)建集半導(dǎo)體工藝原理、器件模擬與仿真和半導(dǎo)體工藝實(shí)踐為一體的集成電路工藝原理與實(shí)踐課程體系。在不斷整合、修正和完善課程體系教學(xué)內(nèi)容、制定合理規(guī)范考核機(jī)制的基礎(chǔ)上,有效地提升任課教師的理論、實(shí)踐教學(xué)能力,為培養(yǎng)具有提出問題、分析問題和解決問題能力及創(chuàng)新思維的微電子技術(shù)專業(yè)人才打下堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。
電纜的制造工藝
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4.6
電纜的制造工藝 一、電纜的主要工藝 電纜是通過:拉制、絞制、包覆三種工藝來制作完成的,型號(hào) 規(guī)格越復(fù)雜,重復(fù)性越高。 1.拉制 在金屬壓力加工中.在外力作用下使金屬?gòu)?qiáng)行通過模具(壓輪), 金屬橫截面積被壓縮,并獲得所要求的橫截面積形狀和尺寸的技術(shù)加 工方法稱為金屬拉制。 拉制工藝分:?jiǎn)谓z拉制和絞制拉制。 2.絞制 為了提高電纜的柔軟度、整體度,讓2根以上的單線,按著規(guī)定 的方向交織在一起稱為絞制。 絞制工藝分:導(dǎo)體絞制、成纜、編織、鋼絲裝鎧和纏繞。 3.包覆 根據(jù)對(duì)電線電纜不同的性能要求,采用專用的設(shè)備在導(dǎo)體的外面 包覆不同的材料。 二、塑料電線電纜制造的基本工藝流程 a.銅、鋁單絲拉制 電線電纜常用的銅、鋁桿材,在常溫下,利用拉絲機(jī)通過一道或 數(shù)道拉伸模具的模孔,使其截面減小、長(zhǎng)度增加、強(qiáng)度提高。拉絲是 各電線電纜公司的首道工序,拉絲的主要工藝參數(shù)是配模技術(shù)。 b.單絲退火
用于LED封裝的鋁基厚膜混合集成電路板的研制
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4.3
本文主要介紹了鋁基厚膜混合集成電路板的特點(diǎn)優(yōu)勢(shì),并對(duì)其鋁基板材料和基于鋁基板的電子漿料的使用要求、制備工藝流程及其研制過程中的關(guān)鍵問題的解決進(jìn)行了闡述,最后分析了該鋁基厚膜混合集成電路板的應(yīng)用前景。
用于LED封裝的鋁基厚膜混合集成電路板的研制
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本文主要介紹了鋁基厚膜混合集成電路板的特點(diǎn)優(yōu)勢(shì),并對(duì)其鋁基板材料和基于鋁基板的電子漿料的使用要求、制備工藝流程及其研制過程中的關(guān)鍵問題的解決進(jìn)行了闡述,最后分析了該鋁基厚膜混合集成電路板的應(yīng)用前景。
清洗在集成電路封裝過程中對(duì)靜態(tài)電源電流(IDDSB)的影響
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介紹了浸泡清洗、超聲清洗和等離子清洗三種主要封裝清洗的主要工作機(jī)理,及其在封裝過程中的重要作用,通過對(duì)清洗前后集成電路靜態(tài)電源電流變化情況的對(duì)比分析,研究不同的清洗方法對(duì)集成電路靜態(tài)電源電流(iddsb)的影響,為提高封裝產(chǎn)品性能和封裝質(zhì)量提供數(shù)據(jù)支撐及理論依據(jù),其對(duì)于產(chǎn)品可靠性的提升有著重要的意義。
Si2和SEMI宣布聯(lián)手改良集成電路可制造性設(shè)計(jì)
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4.6
加州圣何塞——siliconintegrationinitiative(si2)和semi日前宣布一項(xiàng)合作協(xié)議,旨在應(yīng)對(duì)日益復(fù)雜的集成電路可制造性設(shè)計(jì)以及不斷增長(zhǎng)的成本問題。
“集成電路設(shè)計(jì)與制造技術(shù)研討會(huì)”征文
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4.5
第十屆中國(guó)科協(xié)年會(huì)將于2008年9月17日-19日在鄭州舉行。中國(guó)電子學(xué)會(huì)承擔(dān)中國(guó)科協(xié)年會(huì)\"集成電路設(shè)計(jì)與制造技術(shù)研討會(huì)\"的工作?,F(xiàn)在重點(diǎn)圍繞\"集成電路設(shè)計(jì)與制造技術(shù)\"等
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職位:房建工程標(biāo)準(zhǔn)員
擅長(zhǎng)專業(yè):土建 安裝 裝飾 市政 園林