噶米集成電路制造技術(shù)原理與工藝

《集成電路工藝原理(芯片制造)》課程試題庫(kù)

盡信書(shū)不如無(wú)書(shū)-------#16---504 1、封裝工藝屬于集成電路制造工藝的（）工序。 2、按照器件與電路板連接方式，封裝可分為引腳插入型（pth）和（）兩大類(lèi)。 3、芯片封裝所使用的材料有許多，其中金屬主要為（）材料。 4、（）技術(shù)的出現(xiàn)解決了芯片小而封裝大的矛盾。 5、在芯片貼裝工藝中要求：已切割下來(lái)的芯片要貼裝到引腳架的中間焊盤(pán)上，焊盤(pán)的尺寸 要與芯片的大小要（）。 6、在倒裝焊接后的芯片下填充，由于毛細(xì)管虹吸作用，填料被吸入并向芯片基板的中心流 動(dòng)，一個(gè)12.7mm見(jiàn)方的芯片，（）分鐘可完全充滿(mǎn)縫隙，用料大約0.031ml。 7、用溶劑來(lái)去飛邊毛刺通常只適用于（）的毛刺。 8、如果厚膜漿料的有效物質(zhì)是一種絕緣材料，則燒結(jié)后的膜是一種介電體，通常可用于制 作（）。 9、能級(jí)之間電位差越大，噪聲越（）。 10、薄膜電路的頂層材料一般是（）。

從電路設(shè)計(jì)到芯片完成離不開(kāi)集成電路的制備工藝，本章主要介紹硅襯底上的 cmos集成電路制造的工藝過(guò)程。有些cmos集成電路涉及到高壓mos器件 （例如平板顯示驅(qū)動(dòng)芯片、智能功率cmos集成電路等），因此高低壓電路的兼 容性就顯得十分重要，在本章最后將重點(diǎn)說(shuō)明高低壓兼 容的cmos工藝流程。 1.1基本的制備工藝過(guò)程 cmos集成電路的制備工藝是一個(gè)非常復(fù)雜而又精密的過(guò)程，它由若干單項(xiàng) 制備工藝組合而成。下面將分別簡(jiǎn)要介紹這些單項(xiàng)制備工藝。 1.1.1襯底材料的制備 任何集成電路的制造都離不開(kāi)襯底材料——單晶硅。制備單晶硅有兩種方法： 懸浮區(qū)熔法和直拉法，這兩種方法制成的單晶硅具有不同的性質(zhì)和不同的集成電路 用途。 1懸浮區(qū)熔法 懸浮區(qū)熔法是在20世紀(jì)50年代提出并很快被應(yīng)用到晶體制備技術(shù)中。在懸浮 區(qū)熔法中，使圓柱形硅棒固定于垂直方向，用高頻感應(yīng)線圈在氬氣氣

在上海市人保局、上海市經(jīng)信委的持續(xù)支持下,上海市集成電路行業(yè)協(xié)會(huì)已成功舉辦九次\"集成電路產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展高級(jí)研修班\

根據(jù)現(xiàn)有的教學(xué)平臺(tái)、微電子技術(shù)人才的培養(yǎng)要求,整合優(yōu)勢(shì)資源,構(gòu)建集半導(dǎo)體工藝原理、器件模擬與仿真和半導(dǎo)體工藝實(shí)踐為一體的集成電路工藝原理與實(shí)踐課程體系。在不斷整合、修正和完善課程體系教學(xué)內(nèi)容、制定合理規(guī)范考核機(jī)制的基礎(chǔ)上,有效地提升任課教師的理論、實(shí)踐教學(xué)能力,為培養(yǎng)具有提出問(wèn)題、分析問(wèn)題和解決問(wèn)題能力及創(chuàng)新思維的微電子技術(shù)專(zhuān)業(yè)人才打下堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。

圍繞應(yīng)用型、創(chuàng)新型集成電路相關(guān)人才的培養(yǎng)目標(biāo),本文詳細(xì)闡述了\"集成電路原理與應(yīng)用\"課程實(shí)踐教學(xué)所存在的主要問(wèn)題,并結(jié)合自身實(shí)踐,介紹了該課程教學(xué)內(nèi)容和教學(xué)方法的改革措施.實(shí)踐證明,通過(guò)按照全定制模擬集成電路設(shè)計(jì)流程進(jìn)行強(qiáng)化訓(xùn)練和實(shí)驗(yàn)考核等措施,能夠有效地提高學(xué)生的實(shí)踐能力、創(chuàng)新能力和綜合能力.

本文主要結(jié)合集成電路原理應(yīng)用要點(diǎn)，開(kāi)展應(yīng)用型人才培養(yǎng)原則，并且探究課堂教學(xué)中存在的不足之處，結(jié)合實(shí)踐發(fā)展要求，介紹必要的改革方式以及改革措施，通過(guò)優(yōu)化課程教學(xué)內(nèi)容、創(chuàng)新教學(xué)方法、加設(shè)前沿性知識(shí)內(nèi)容，最終提升學(xué)生對(duì)專(zhuān)業(yè)的認(rèn)知和理解能力。

本文介紹16nmfinfet工藝下集成電路的物理集成流程,分析了先進(jìn)工藝下物理集成工程師所面臨的問(wèn)題和挑戰(zhàn)。為了更好地適應(yīng)新的要求,對(duì)我國(guó)高校ic人才培養(yǎng)的相關(guān)環(huán)節(jié)提出了探索性的建議。

圍繞應(yīng)用型、創(chuàng)新型集成電路相關(guān)人才的培養(yǎng)目標(biāo),本文詳細(xì)闡述了＂集成電路原理與應(yīng)用＂課程實(shí)踐教學(xué)所存在的主要問(wèn)題,并結(jié)合自身實(shí)踐,介紹了該課程教學(xué)內(nèi)容和教學(xué)方法的改革措施.實(shí)踐證明,通過(guò)按照全定制模擬集成電路設(shè)計(jì)流程進(jìn)行強(qiáng)化訓(xùn)練和實(shí)驗(yàn)考核等措施,能夠有效地提高學(xué)生的實(shí)踐能力、創(chuàng)新能力和綜合能力.

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集成電路論文第1頁(yè) 智能配電網(wǎng)中電力變壓器的應(yīng)用研究 摘要 為應(yīng)對(duì)電力系統(tǒng)在新世紀(jì)面臨的分布式電源并網(wǎng)、電網(wǎng)利用系數(shù)低，高可靠性，高 電能質(zhì)量要求以及數(shù)字化技術(shù)應(yīng)用等諸多挑戰(zhàn)，智能電網(wǎng)成為未來(lái)電網(wǎng)的主要發(fā)展方向。 智能電網(wǎng)的建設(shè)離不開(kāi)高級(jí)電力電子裝置，因此電力電子變壓器的研究對(duì)于建設(shè)綠色電 網(wǎng)，智能電網(wǎng)具有重要的意義。論文首先對(duì)智能電網(wǎng)的概念及功能特點(diǎn)進(jìn)行了介紹，其 次，論文分析了電力電子變壓器的基本原理和拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，最后，論文就ac／ac和ac ／dc/ac這兩種典型的電力電子變壓器在智能配電網(wǎng)上的應(yīng)用進(jìn)行了研究。首先提出 了應(yīng)用在配電網(wǎng)的基于ac／ac型電力電子變壓器的自動(dòng)電壓穩(wěn)壓器。其次，論文分析 了應(yīng)用在智能配電網(wǎng)中的基于ac／dc／ac型電力電子變壓器的電能質(zhì)量控制方案，構(gòu) 建了系統(tǒng)的數(shù)學(xué)模型，詳細(xì)分析了電力電子變壓器輸入級(jí)、中間隔離級(jí)和輸出級(jí)的控制 策略。

第一章 集成電路的測(cè)試 1.集成電路測(cè)試的定義 集成電路測(cè)試是對(duì)集成電路或模塊進(jìn)行檢測(cè)，通過(guò)測(cè)量對(duì)于集成電路的輸出回應(yīng)和預(yù)期 輸出比較，以確定或評(píng)估集成電路元器件功能和性能的過(guò)程，是驗(yàn)證設(shè)計(jì)、監(jiān)控生產(chǎn)、保證 質(zhì)量、分析失效以及指導(dǎo)應(yīng)用的重要手段。 .2.集成電路測(cè)試的基本原理 輸入x輸出回應(yīng)y 被測(cè)電路dut（deviceundertest）可作為一個(gè)已知功能的實(shí)體，測(cè)試依據(jù)原始輸入x 和網(wǎng)絡(luò)功能集f（x），確定原始輸出回應(yīng)y，并分析y是否表達(dá)了電路網(wǎng)絡(luò)的實(shí)際輸出。因 此，測(cè)試的基本任務(wù)是生成測(cè)試輸入，而測(cè)試系統(tǒng)的基本任務(wù)則是將測(cè)試輸人應(yīng)用于被測(cè)器 件，并分析其輸出的正確性。測(cè)試過(guò)程中，測(cè)試系統(tǒng)首先生成輸入定時(shí)波形信號(hào)施加到被測(cè) 器件的原始輸入管腳，第二步是從被測(cè)器件的原始輸出管腳采樣輸出回應(yīng)，最后經(jīng)過(guò)分析處 理得到測(cè)試結(jié)果。 3.集成電路故障與測(cè)

在納米工藝的數(shù)字集成電路電源版圖設(shè)計(jì)中，根據(jù)芯片布局合理進(jìn)行電源布局、電源個(gè)數(shù)以及電源布線等方面設(shè)計(jì)，確保每一個(gè)電壓域都有完整的電源網(wǎng)絡(luò)。在電源分析時(shí)從電壓降、功耗及電遷移評(píng)估分析，使設(shè)計(jì)好的電源網(wǎng)絡(luò)符合電源預(yù)算規(guī)劃。在可靠性設(shè)計(jì)時(shí)采取布線優(yōu)化、添加去耦電容、優(yōu)化封裝設(shè)計(jì)等方法，提高電源抗干擾能力，從而降低電壓降、提高電源的完整性和可靠性。

分別采用流體力學(xué)模型和漂移擴(kuò)散模型對(duì)不同溝道長(zhǎng)度的nmosfet進(jìn)行襯底電流的提取,并以nmosfet溝道長(zhǎng)度和ldd注入峰值綜合對(duì)器件特性的影響為研究?jī)?nèi)容,介紹了集成電路可制造性設(shè)計(jì)中器件參數(shù)的優(yōu)化與提取。

隨著電子產(chǎn)品技術(shù)含量的不斷升級(jí),對(duì)于厚膜混合集成電路的制造工藝提出了更高的要求,從而產(chǎn)生了孔金屬化的制造工藝。文章主要闡述了孔金屬化的原理和制造工藝,并結(jié)合多年的生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn),對(duì)影響孔金屬化制造的因素進(jìn)行探討和總結(jié)。

集成電路（ｉｃ）可制造性工程與設(shè)計(jì)是近年來(lái)發(fā)展很快的研究領(lǐng)域，它集ｉｃ設(shè)計(jì)、制造、封裝和測(cè)試過(guò)程為一體，在統(tǒng)一框架（即產(chǎn)品制造成本和成品率驅(qū)動(dòng)）下，對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行規(guī)劃和設(shè)計(jì)。應(yīng)用該技術(shù)可以大大縮短ｉｃ產(chǎn)品研制周期、降低制造成本、提高成品率和可靠性，本文將綜述該領(lǐng)域的研究進(jìn)展，并闡述進(jìn)一步的研究方向。

集成電路產(chǎn)業(yè)“十二五”發(fā)展規(guī)劃 i 目錄 前言................................................................................................................................1 一、“十一五”回顧....................................................................................................1 （一）產(chǎn)業(yè)規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大.....................................................................................2 （二）創(chuàng)新能力顯著提升..................

雙極型集成電路

集成電路引線成形原本是集成電路封裝的后道工序,成形質(zhì)量將直接影響電子裝聯(lián)產(chǎn)品的可靠性,其關(guān)鍵工藝點(diǎn)在于成形的肩寬、站高、焊接長(zhǎng)度和共面度等關(guān)鍵工藝參數(shù)的選擇以及成形工藝裝備的合理配置與優(yōu)化。論述了目前表面貼裝密腳間距qfp封裝器件在應(yīng)用中遇到的引線成形問(wèn)題,介紹了該類(lèi)器件成形中的相關(guān)技術(shù)要求及目前國(guó)內(nèi)外器件成形的現(xiàn)狀,提出了引線手工成形的解決方案。

加州圣何塞——siliconintegrationinitiative(si2)和semi日前宣布一項(xiàng)合作協(xié)議，旨在應(yīng)對(duì)日益復(fù)雜的集成電路可制造性設(shè)計(jì)以及不斷增長(zhǎng)的成本問(wèn)題。

2016年10月9日下午,中共中央政治局就實(shí)施網(wǎng)絡(luò)強(qiáng)國(guó)戰(zhàn)略進(jìn)行第三十六次集體學(xué)習(xí)。中共中央總書(shū)記習(xí)近平在主持學(xué)習(xí)時(shí)強(qiáng)調(diào),要緊緊牽住核心技術(shù)自主創(chuàng)新這個(gè)＂牛鼻子＂,抓緊突破網(wǎng)絡(luò)發(fā)展的前沿技術(shù)和具有國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵核心技術(shù),加快推進(jìn)國(guó)產(chǎn)自主可控替代計(jì)劃,構(gòu)建安全可控的信息技術(shù)體系。習(xí)近平總書(shū)記在網(wǎng)絡(luò)安全和信息化工作座談會(huì)上指出,核心技術(shù)是國(guó)之重器，最關(guān)鍵最核心的技術(shù)要立足自主創(chuàng)新、自立自強(qiáng)。

以synopsys推出的tcad軟件tsuprem-ⅳ和medici為藍(lán)本,結(jié)合100nm柵長(zhǎng)pmosfet的可制造性聯(lián)機(jī)仿真與優(yōu)化實(shí)例,闡述了超大規(guī)模集成電路dfm階段所進(jìn)行的工藝級(jí)、器件物理特性級(jí)優(yōu)化及工藝參數(shù)的提取。