晶體管開關(guān)特性與擊穿電壓

根據(jù)雙極型靜電感應(yīng)晶體管的通斷特性,提出了開關(guān)特性的測試方法。測試和給出了gji2d雙極型靜電感應(yīng)晶體管的開關(guān)參數(shù)、曲線和反偏參數(shù)。將gji2d與國外的雙極型晶體管和功率場效應(yīng)管進行了比較。

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從長間隙真空開關(guān)的擊穿特性出發(fā),理論推導(dǎo)得到雙斷口及多斷口真空開關(guān)的擊穿電壓最大可能增益倍數(shù)kn,同時引入"擊穿弱點"概念和概率統(tǒng)計方法,分析建立了雙斷口及多斷口真空開關(guān)的靜態(tài)擊穿統(tǒng)計分布模型,發(fā)現(xiàn)無論是雙斷口真空開關(guān)還是n個斷口串聯(lián)起來,其擊穿的統(tǒng)計概率都要比單斷口的擊穿統(tǒng)計概率要小.為了進行實驗論證,建立了三斷口真空開關(guān)實驗?zāi)Ｐ?對單斷口真空滅弧室模型和三斷口真空開關(guān)實驗?zāi)Ｐ瓦M行了大量的沖擊擊穿特性實驗.研究表明,三斷口真空滅弧室相比單斷口真空滅弧室具有更低的擊穿概率.試驗數(shù)據(jù)與理論分布曲線基本吻合,證明理論研究結(jié)果正確.

設(shè)計了應(yīng)用于感應(yīng)電壓疊加器中的水介質(zhì)主開關(guān)與峰化開關(guān),主開關(guān)的電極結(jié)構(gòu)為"平板-環(huán)型",峰化開關(guān)的電極結(jié)構(gòu)為"環(huán)型"。研究了開關(guān)在300ns脈沖電壓下的自擊穿特性,給出了不同工作電壓下開關(guān)的間隙距離。實驗結(jié)果表明,主開關(guān)與峰化開關(guān)的結(jié)構(gòu)合理、擊穿特性穩(wěn)定、相互配合良好,峰化開關(guān)可以有效地峰化主脈沖,降低預(yù)脈沖的幅值。主開關(guān)的實驗結(jié)果同時驗證了martin經(jīng)驗公式的適用性。

第四章雙極型晶體管功率特性

武漢市華天電力自動化有限責任公司 1 高壓開關(guān)特性測試儀說明書 由于輸入輸出端子、測試柱等均有可能帶電壓，在 插拔測試線、電源插座時，會產(chǎn)生電火花，小心電擊， 避免觸電危險，注意人身安全！ 安全要求 請閱讀下列安全注意事項，以免人身傷害，為了避免可能發(fā)生 的危險，只可在規(guī)定的范圍內(nèi)使用。 只有合格的技術(shù)人員才可執(zhí)行維修。 —防止火災(zāi)或人身傷害 使用適當?shù)碾娫淳€。只可使用專用并且符合規(guī)格的電源線。 正確地連接和斷開。當測試導(dǎo)線與帶電端子連接時，請勿隨意連接 或斷開測試導(dǎo)線。 注意所有終端的額定值。為了防止火災(zāi)或電擊危險，請注意所有額定 值和標記。在進行連接之前，請閱讀使用說明書，以便進一步了解有 關(guān)額定值的信息。 使用適當?shù)谋ｋU絲。只可使用符合規(guī)定類型和額定值的保險絲。 避免接觸裸露電路和帶電金屬。有電時，請勿觸摸裸露的接點和 部位。 武漢市華天電力自動化有限責任公司 2

圖1所示電路采用最少的外部元件,就可使0.5a補償型開關(guān)穩(wěn)壓集成電路的最大輸出電流提高到6a以上。該電路適用于15v～60v輸入電壓,根據(jù)所選開關(guān)穩(wěn)壓集成電路的不同,可提供3.3v、5v或12v三種輸出電壓。圖2是在高達60v的輸入電壓范圍內(nèi)繪制的三種標準輸出電壓的轉(zhuǎn)換效率曲線。該電路適用于要求輸出電流、輸入電壓比標準集成電路高,或

制作了底柵極頂接觸有機薄膜晶體管器件,60nm的pentacene被用作有源層,120nm熱生長的sio2作為柵極絕緣層.通過采用不同自組裝修飾材料對器件的有源層與柵極絕緣層之間的界面進行修飾,如octadecyltrichlorosilane(ots),phenyltrimethoxysilane(phtms),來比較界面修飾層對器件性能的影響.同時對帶有phtms修飾層的otfts器件低柵極電壓調(diào)制下的場效應(yīng)行為及其載流子的傳輸機理進行研究.結(jié)果得到,當|vgs|<0.1v時,載流子在如此小的柵極電壓調(diào)制下已經(jīng)不能過多在半導(dǎo)體有源層與柵極絕緣層之間的界面處積聚,使otfts器件的輸出電流保持相對的平衡.但是,器件的調(diào)制柵壓在-0.001v時,器件仍然有好的輸出特性,當vds為-20v時,器件的場效應(yīng)遷移率為3.22×10-3cm2/vs,開關(guān)電流比為1.43×102,閾值電壓為0.66v.

晶體管制造一般是用玻璃作基底材料。這有利于在多變的環(huán)境下保持穩(wěn)定，從而保證用電設(shè)備所需的電流。據(jù)美國物理學家組織網(wǎng)報道，美國佐治亞理工大學研究人員最近開發(fā)出一種雙層界面新型晶體管，性能極為穩(wěn)定，還能在可控的環(huán)境中。

設(shè)計了典型參數(shù)下的偽火花放電開關(guān),進行了空氣介質(zhì)下的電壓特性實驗,詳細研究了氣體壓力,電極間隙距離,電極孔徑和電極材料對偽火花開關(guān)耐受電壓的影響;給出了偽火花開關(guān)放電電壓與氣壓變化的關(guān)系曲線;測量了產(chǎn)生偽火花放電的氣壓范圍和單間隙偽火花開關(guān)耐受電壓的最大值,測得了偽火花放電與輝光放電的轉(zhuǎn)折點氣壓,并對實驗結(jié)果進行了理論分析。研究了偽火花開關(guān)電壓跌落時間與放電電壓的關(guān)系,首次將開關(guān)電壓跌落過程分為暫態(tài)階段和穩(wěn)態(tài)階段,討論了放電電路參數(shù),氣體壓力,開關(guān)結(jié)構(gòu)和放電電壓對電壓跌落時間的影響。實驗表明,在氣壓和開關(guān)結(jié)構(gòu)不變的條件下,暫態(tài)過程時間由放電電壓決定,電壓越高,則所需時間就越短;穩(wěn)態(tài)過程時間由放電電路參數(shù)決定,而與放電電壓無關(guān)。最后討論了真空潔凈程度和開關(guān)加工與裝配工藝對偽火花開關(guān)耐受電壓的影響。

本文較詳細地介紹了高反壓晶體管玻璃鈍化的生產(chǎn)工藝。該工藝操作簡單、成本低,生產(chǎn)出的產(chǎn)品一致性好,可靠性高。

空氣開關(guān)特性及選用.

第07章薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)與設(shè)計

精品文檔 精品文檔 雙極性三極管開關(guān)特性 晶體三極管工作于截止區(qū)時，內(nèi)阻很大，相當于開關(guān)斷開狀態(tài)；工作于飽和區(qū)時，內(nèi)阻很低，相當于 開關(guān)接通狀態(tài)。三極管開關(guān)電路如圖2.2.2(a)示。輸入控制信號為矩形電壓脈沖，電源電壓, 輸出信號為,三極管開關(guān)電路輸入輸出波形如圖2.2.2(b)。 下實例中為12v的開關(guān)控制信號，為單片機可接收的ttl信號，為了與輸入控制信號一致，加入反 相器74ls14。 精品文檔 精品文檔 精品文檔 精品文檔 精品文檔 精品文檔 transistors atransistorisasolid-statedevicedesignedtocontroldccurrent.transistors aremostcommonlyfoundinlowdcpoweredsensorsastheout

雙極性三極管開關(guān)特性 晶體三極管工作于截止區(qū)時，內(nèi)阻很大，相當于開關(guān)斷開狀態(tài)；工作于飽和區(qū)時，內(nèi)阻很低，相當于 開關(guān)接通狀態(tài)。三極管開關(guān)電路如圖2.2.2(a)示。輸入控制信號為矩形電壓脈沖，電源電壓, 輸出信號為,三極管開關(guān)電路輸入輸出波形如圖2.2.2(b)。 下實例中為12v的開關(guān)控制信號，為單片機可接收的ttl信號，為了與輸入控制信號一致，加入反 相器74ls14。 transistors atransistorisasolid-statedevicedesignedtocontroldccurrent.transistors aremostcommonlyfoundinlowdcpoweredsensorsastheoutputswitch. therearetwotypesoftr

　采用8只ixlf19n250a絕緣柵雙極型晶體管串聯(lián)研制成功了10kv固體開關(guān)。試驗表明:該固體開關(guān)最高輸出電壓為14kv,最高輸出脈沖電流為20a、輸出脈沖寬度可在2112μs之間以1μs步長變化,脈沖重復(fù)頻率范圍為1hz4khz,短時間可以工作到8.6khz。

www.***.*** -1- 高壓開關(guān)的開距和超程，其定義是機械結(jié)構(gòu)方面的。由于開關(guān)結(jié)構(gòu)的多樣性及滅弧性能 的要求，開關(guān)動、靜觸頭的兩個平面重合時，電性能上還沒有構(gòu)成導(dǎo)通回路。而開關(guān)測試儀 的剛分（和）點及開距超程的判斷依據(jù)是完全依賴于是否構(gòu)成導(dǎo)電回路（或是否斷開導(dǎo)電回 路）。由于兩者定義上的不同，導(dǎo)致測試結(jié)果的偏差。我們認為，依賴測試儀器來測試開距 和超程是沒有太大的意義的，一方面是不可能測試準確；另一方面，用常規(guī)方式測試其準確 度和可靠性更高。也比較方便。 高壓開關(guān)測試儀可用于各種電壓等級的真空、六氟化硫、少油、多油等電力系統(tǒng)高壓開 關(guān)的機械特性參數(shù)測試與測量。測量數(shù)據(jù)穩(wěn)定，接線方便，操作簡單，是高壓開關(guān)檢修試驗 最方便的工具。 1.儀器可自動識別斷口分、合閘狀態(tài)，并根據(jù)參考斷口狀態(tài)提示相對應(yīng)的合、分操作。 2.可檢測并提示6斷口的連接狀態(tài)，

在復(fù)合式晶體開關(guān)中晶體管IGBT的并聯(lián)

雙極型功率開關(guān)晶體管的新結(jié)構(gòu)

s波段500wrf器件2729gn～500越于碳化硅襯底氮化鎵（ganonsic）技術(shù)，新器件瞄準大功率空中交通管制機場監(jiān)視雷達（asr）應(yīng)用，asr用于監(jiān)視和控制在機場大約100英里范圍的飛機。

從理論和實驗兩方面對靜電感應(yīng)晶體管（ｂｓｉｔ）的開關(guān)時間進行了分析和測量，提出了簡單的分析方法，將影響ｂｓｉｔ開關(guān)時間的各個因素歸結(jié)為結(jié)構(gòu)因子和材料因子，從而簡化了分析影響ｂｓｉｔ開關(guān)時間的因素，對于ｂｓｉｔ的實際工藝、結(jié)構(gòu)設(shè)計有指導(dǎo)意義。

應(yīng)用價值工程 降低晶體管成本