基于MMIC技術(shù)的S波段GaAs單刀單擲開(kāi)關(guān)

巧用單刀雙擲開(kāi)關(guān)

東芝公司推出一種新的小型低斷面gaasmesfet、單刀雙擲開(kāi)關(guān)。這種小型開(kāi)關(guān)非常適用于多波段/多模蜂窩天線(xiàn)開(kāi)關(guān)組件、藍(lán)牙組件和無(wú)線(xiàn)局域網(wǎng)。上述gaasmesfetmmic1ghz下插損0.35db(2ghz下0.40db),1ghz和2ghz下隔離24db。其功率性能優(yōu)良,25ghz下1db壓縮功率(p1db)為17dbm,對(duì)于極小型低斷面封裝而言,上述功率性能是非常之好了。這種tg2217ctb型單刀雙擲開(kāi)關(guān)采用甚小低斷面無(wú)引線(xiàn)6針芯片級(jí)封

設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)了5mm(u頻段)單刀雙擲(singlepoledoublethrow,spdt)開(kāi)關(guān)模塊。該開(kāi)關(guān)模塊采用鰭線(xiàn)并聯(lián)pin二極管電路結(jié)構(gòu)形式,通過(guò)采用一種全新的高隔離度措施,獲得高隔離、低插損開(kāi)關(guān)特性。經(jīng)加工測(cè)試,開(kāi)關(guān)模塊在50~56ghz頻帶內(nèi)隔離度大于50db,插損小于2.3db。該模塊已應(yīng)用于5mm射頻組件中。

custommmic公司是單片微波集成電路開(kāi)發(fā)商,最近在其標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品序列中又添加了一種新的單刀雙擲開(kāi)關(guān)-cmd230。據(jù)稱(chēng),這是該公司單刀雙擲開(kāi)關(guān)中插入損耗最小的,為1.4db。cmd230是以芯片形式存在的通用寬帶高隔離反射的mmicspdt。帶寬涵蓋dc-26ghz,具有低的插入損耗(1.4db),輸入ip3為37dbm,13ghz時(shí)具

介紹了大功率pin開(kāi)關(guān)的設(shè)計(jì)原理。采用這一原理設(shè)計(jì)了vhf波段大功率單刀三擲開(kāi)關(guān)。開(kāi)關(guān)在小信號(hào)下插入損耗小于0.3db,施加脈沖功率2000w時(shí)插入損耗小于0.6db。

采用pin二極管工藝技術(shù),設(shè)計(jì)、制作了一種微波單端匹配式pin單刀單擲功率開(kāi)關(guān)芯片,并給出了詳細(xì)測(cè)試曲線(xiàn)。該開(kāi)關(guān)由四級(jí)pin二極管組成,采用單端匹配結(jié)構(gòu)。工作頻率8～10ghz,整個(gè)帶內(nèi)插入損耗小于0.7db,輸出端口駐波比小于1.4:1,輸入端口開(kāi)關(guān)態(tài)駐波比均小于1.4:1,在9ghz點(diǎn)頻下測(cè)得1db壓縮點(diǎn)輸入功率大于31dbm,芯片內(nèi)部集成偏置電路,采用+5v/-5v供電,在+5v工作條件下,電流20ma。該芯片面積為2.0mm×1.4mm。

以0.25μmgaasphemt為基礎(chǔ),介紹了微波單片集成電路開(kāi)關(guān)模型的設(shè)計(jì)、測(cè)試及建模過(guò)程,并以此平臺(tái)開(kāi)展了單刀雙擲開(kāi)關(guān)芯片的設(shè)計(jì)與研制。討論了phemt開(kāi)關(guān)建模的重要性,解決了建模中的關(guān)鍵問(wèn)題,包括開(kāi)關(guān)的設(shè)計(jì)、測(cè)試系統(tǒng)的校準(zhǔn)、模型參數(shù)的提取,建立了毫米波范圍內(nèi)高精度的等效電路模型。單刀雙擲開(kāi)關(guān)的設(shè)計(jì)采用了并聯(lián)式反射型電路拓?fù)?開(kāi)關(guān)的測(cè)試采用了微波探針在片測(cè)試系統(tǒng),在18~30ghz獲得了優(yōu)異的電性能,插入損耗il≤1.5db,輸入/輸出駐波比vswr≤1.5∶1,關(guān)斷狀態(tài)下的隔離度iso≥30db,芯片尺寸為1.2mm×1.8mm×0.1mm。

西安電子科技大學(xué) 碩士學(xué)位論文 雙通道單刀雙擲模擬開(kāi)關(guān)的設(shè)計(jì) 姓名：黃麗芳 申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別：碩士 專(zhuān)業(yè)：微電子學(xué)與固體電子學(xué) 指導(dǎo)教師：賈護(hù)軍 20090101 雙通道單刀雙擲模擬開(kāi)關(guān)的設(shè)計(jì) 作者：黃麗芳 學(xué)位授予單位：西安電子科技大學(xué) 本文鏈接：http://d.g.wanfangdata.com.cn/thesis_y1556615.aspx 下載時(shí)間：2010年4月14日

單刀雙擲開(kāi)關(guān)是生產(chǎn)、生活中常用的一種開(kāi)關(guān),也是初中學(xué)段一種較為復(fù)雜的開(kāi)關(guān).學(xué)生對(duì)這種開(kāi)關(guān)的設(shè)計(jì)原理往往理解不透,對(duì)接線(xiàn)方法容易搞錯(cuò).本文從學(xué)生熟悉的單刀單擲開(kāi)關(guān)入手,通過(guò)一系列問(wèn)題設(shè)計(jì),逐步遷移到單刀雙擲開(kāi)關(guān),從而使學(xué)生對(duì)為什么要設(shè)計(jì)單刀雙擲開(kāi)關(guān)、單刀雙擲開(kāi)關(guān)如何接線(xiàn)有了深刻的理解,便于學(xué)生掌握.

單刀雙擲開(kāi)關(guān)是生產(chǎn)、生活中常用的一種開(kāi)關(guān),也是初中學(xué)段一種較為復(fù)雜的開(kāi)關(guān).學(xué)生對(duì)這種開(kāi)關(guān)的設(shè)計(jì)原理往往理解不透,對(duì)接線(xiàn)方法容易搞錯(cuò).本文從學(xué)生熟悉的單刀單擲開(kāi)關(guān)入手,通過(guò)一系列問(wèn)題設(shè)計(jì),逐步遷移到單刀雙擲開(kāi)關(guān),從而使學(xué)生對(duì)為什么要設(shè)計(jì)單刀雙擲開(kāi)關(guān)、單刀雙擲開(kāi)關(guān)如何接線(xiàn)有了深刻的理解,便于學(xué)生掌握.

單刀雙開(kāi)關(guān) 開(kāi)關(guān)中單刀雙擲與單刀單擲有什么區(qū)別？ 船形開(kāi)關(guān)分類(lèi):單刀單擲:1個(gè)動(dòng)觸點(diǎn)和1個(gè)靜觸點(diǎn)。只有1通道／— 單刀雙擲:1個(gè)動(dòng)觸點(diǎn)和2個(gè)靜觸點(diǎn)，—／—(可分別接通兩邊的靜觸 點(diǎn))雙刀單擲，2個(gè)動(dòng)觸點(diǎn)和2個(gè)靜觸點(diǎn)，有2個(gè)通道‖雙刀雙擲，2 個(gè)動(dòng)觸點(diǎn)和4個(gè)靜觸點(diǎn)，有4個(gè)通道〓(可分別接通兩邊的2個(gè)靜觸 點(diǎn)))參考:... 單刀雙擲開(kāi)關(guān)怎么接 首先要認(rèn)清單刀雙擲開(kāi)關(guān)的動(dòng)端和不動(dòng)端，動(dòng)端就是所謂的“刀”， 它應(yīng)該連接電源的進(jìn)線(xiàn)，也就是來(lái)電的一端，一般也是與開(kāi)關(guān)的手柄 相連的一端；另外的兩端就是電源輸出的兩端，也就是所謂的不動(dòng)端， 它們是與用電設(shè)備相連的。單刀雙擲開(kāi)關(guān)的作用，一是可以控制電源 向兩個(gè)不同的方向... 單刀雙擲開(kāi)關(guān)初中物理題 你問(wèn)對(duì)我啦。單刀開(kāi)關(guān)的兩端分別接r0和rx，r0,rx另兩端接在一 起把電流表接在干路，總開(kāi)關(guān)接在

利用高襯底電阻率的180nm絕緣體硅(soi)cmos工藝設(shè)計(jì)了一種全集成的可用于手機(jī)和無(wú)線(xiàn)手持設(shè)備的多模多頻單刀十六擲(sp16t)天線(xiàn)開(kāi)關(guān)。由于襯底電阻率高達(dá)1kω·cm,且在器件選取和電路結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)方面采用了多種技巧,實(shí)測(cè)結(jié)果顯示,十六路開(kāi)關(guān)分支的插損0~3ghz頻段內(nèi)均小于2db,隔離度平均大于35db,回波損耗小于-20db,功率處理能力超過(guò)36dbm,完全滿(mǎn)足設(shè)計(jì)要求。

as1747兼具0．4ω的超低通態(tài)電阻與小于0．03ω的通道間匹配，從而使通道間的信號(hào)差異降至最低。另外，as1747還具有0．25ω的導(dǎo)通電阻平坦度。綜合上述優(yōu)勢(shì)，該器件使總諧波失真（thd＋n）降至僅0．01％，可獲得優(yōu)異的音頻信號(hào)品質(zhì)。

本設(shè)計(jì)實(shí)例介紹了對(duì)某種舊設(shè)計(jì)的增強(qiáng)措施(參考資料1)。圖1中的電路使用常開(kāi)型單刀單擲按鈕開(kāi)關(guān)s1,它代替了原始設(shè)計(jì)要求的單刀雙擲開(kāi)關(guān)。您可以使用膜片開(kāi)關(guān)來(lái)大大簡(jiǎn)化該器件的工業(yè)設(shè)計(jì)并增強(qiáng)它的人機(jī)控制特性。另外,該電路消除了流過(guò)未動(dòng)作開(kāi)關(guān)的電流,由此略微減少了工作模式中的泄漏電流。

單刀雙擲（也稱(chēng)單開(kāi)雙控）開(kāi)關(guān) 在照明電路中的應(yīng)用 江蘇省泗陽(yáng)縣李口中學(xué)沈正中 照明電路中的墻面板開(kāi)關(guān)，一般有單（一）開(kāi)單（一）控開(kāi)關(guān) （也稱(chēng)單刀單擲開(kāi)關(guān)）、雙（兩）開(kāi)單（一）控開(kāi)關(guān)、三開(kāi)單（一） 控開(kāi)關(guān)、四開(kāi)單（一）控開(kāi)關(guān)、單（一）開(kāi)雙控開(kāi)關(guān)（也稱(chēng)單刀 雙擲開(kāi)關(guān)）、雙（兩）開(kāi)雙（兩）控開(kāi)關(guān)、三開(kāi)雙（兩）控開(kāi)關(guān)、 四開(kāi)雙（兩）控開(kāi)關(guān)，這里的“單（一）開(kāi)、雙（兩）開(kāi)、三開(kāi)、 四開(kāi)”是指開(kāi)關(guān)的個(gè)數(shù)。 雙控開(kāi)關(guān)可以作單控開(kāi)關(guān)用，但單控開(kāi)關(guān)不能作雙控開(kāi)關(guān)用。 單開(kāi)雙控開(kāi)關(guān)接線(xiàn)原理圖如下： 單開(kāi)雙控實(shí)物接線(xiàn)圖如下： 下圖是單開(kāi)雙控開(kāi)關(guān)的實(shí)物圖 下圖是雙開(kāi)雙控開(kāi)關(guān)的實(shí)物： 注意，雙控開(kāi)關(guān)有3、6、9、12、,,個(gè)接線(xiàn)孔的，買(mǎi)開(kāi)關(guān)時(shí) 要看清楚。 一開(kāi)雙控開(kāi)關(guān)有四種接法，見(jiàn)下圖。 上圖中的四種接法雖然能達(dá)到控制燈的開(kāi)與關(guān)，但前兩種不太安 全，不建議使用這兩種方法。因?yàn)闊絷P(guān)掉后，燈的兩邊（有可能）

設(shè)計(jì)了一款工作頻率為dc～35ghz的超寬帶單刀四擲開(kāi)關(guān)單片集成電路,其單片電路內(nèi)部集成了驅(qū)動(dòng)2∶4譯碼器。通過(guò)ads軟件對(duì)多種開(kāi)關(guān)電路拓?fù)溥M(jìn)行優(yōu)化,設(shè)計(jì)出了一種合理的開(kāi)關(guān)結(jié)構(gòu)。采用先進(jìn)的e/dphemt工藝進(jìn)行版圖設(shè)計(jì)并進(jìn)行了版圖電磁場(chǎng)仿真驗(yàn)證,在gaasphemt工藝線(xiàn)上進(jìn)行了流片,對(duì)制作的芯片進(jìn)行了在片測(cè)試,測(cè)試結(jié)果表明,在dc～35ghz頻率范圍內(nèi),單刀四擲單片開(kāi)關(guān)的插入損耗(il)小于3.5db,隔離度大于30db,回波損耗小于-10db,易于控制,滿(mǎn)足設(shè)計(jì)要求,在微波電路t/r組件中有很好的應(yīng)用前景。目前未見(jiàn)同類(lèi)超寬帶單刀四擲單片開(kāi)關(guān)的相關(guān)報(bào)道。

采用gaaspin工藝設(shè)計(jì)和制作了毫米波超寬帶大功率單刀雙擲開(kāi)關(guān)單片集成電路。在gaaspin二極管建模階段充分考慮寄生效應(yīng)對(duì)模型的影響,獲得高精度模型;在電路設(shè)計(jì)階段采用gaaspin二極管單級(jí)并聯(lián)結(jié)構(gòu),提高功率特性;在工藝加工階段調(diào)整p+層、n+層的摻雜濃度和i層的厚度,獲得低損耗、高功率特性的gaaspin二極管;最終制備的單刀雙擲開(kāi)關(guān)芯片在片測(cè)試表明,在25～40ghz范圍內(nèi)插入損耗小于1.0db,隔離度大于25db,輸入輸出電壓駐波比小于2.0∶1,具有優(yōu)異的寬帶小信號(hào)特性;35ghz下承受功率高達(dá)34dbm,具有非常好的功率特性。

對(duì)單刀雙擲射頻同軸繼電器的工作原理和主要技術(shù)指標(biāo)進(jìn)行了介紹,重點(diǎn)闡述了產(chǎn)品結(jié)構(gòu)、ttl電路控制系統(tǒng)、電磁系統(tǒng)及射頻傳輸切換系統(tǒng)的設(shè)計(jì)方法,對(duì)同類(lèi)產(chǎn)品的設(shè)計(jì)具有一定的參考意義。

單刀雙擲（也稱(chēng)單開(kāi)雙控）開(kāi)關(guān) 在照明電路中的應(yīng)用 江蘇省泗陽(yáng)縣李口中學(xué)沈正中 照明電路中的墻面板開(kāi)關(guān)，一般有單（一）開(kāi)單（一）控開(kāi)關(guān) （也稱(chēng)

本文介紹了一種利用單驅(qū)動(dòng)電壓控制通路選擇的新型rfmems單刀雙擲開(kāi)關(guān),利用三維仿真軟件ansofthfss和ansys進(jìn)行仿真和優(yōu)化設(shè)計(jì)該開(kāi)關(guān)的性能。仿真結(jié)果表明:驅(qū)動(dòng)電壓為22v,開(kāi)關(guān)時(shí)間為22μs,在中心頻率30ghz處,開(kāi)關(guān)處于down狀態(tài)下的插入損耗為0.42db,回波損耗為43db,隔離度為29db;而當(dāng)開(kāi)關(guān)處于up狀態(tài)的插入損耗為0.53db,回波損耗為19db,隔離度為28db,該開(kāi)關(guān)的性能仿真和優(yōu)化設(shè)計(jì)達(dá)到理想情況。。

自動(dòng)增益控制電路(agc)是微波接收機(jī)中常用的一種電路。為了提高器件使用效率,優(yōu)化端口駐波匹配,可以使用單刀雙擲開(kāi)關(guān)來(lái)實(shí)現(xiàn)agc電路。單刀雙擲開(kāi)關(guān)采用pin二極管制作,其插入損耗小、隔離度較高、并且端口駐波較好。該開(kāi)關(guān)采用串并聯(lián)電路方式,并利用ansoft公司的serenade軟件對(duì)其進(jìn)行仿真優(yōu)化,電路基板使用rogers的rt5880板材。經(jīng)過(guò)實(shí)際測(cè)試,該agc電路的工作頻率為9.5～10.5ghz,正常支路插損小于4db,帶內(nèi)平坦度0.5db,輸入輸出駐波比小于1.6。

業(yè)界領(lǐng)先的射頻、微波及毫米波產(chǎn)品供應(yīng)商美國(guó)pasternack公司推出一系列適用于發(fā)射和接收信號(hào)路由應(yīng)用的單刀雙擲(spdt)高功率pin二極管射頻開(kāi)關(guān)新產(chǎn)品。這些產(chǎn)品的典型用途包括雷達(dá)系統(tǒng)、電子戰(zhàn)、基站基礎(chǔ)設(shè)施、中繼器、軍用/微波無(wú)線(xiàn)電、公共安全/陸地移動(dòng)無(wú)線(xiàn)電、uhf/vhf無(wú)線(xiàn)電以及測(cè)試測(cè)量。