更新日期: 2025-05-25

基于超聲波的功率半導(dǎo)體高溫封裝技術(shù)介紹

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基于超聲波的功率半導(dǎo)體高溫封裝技術(shù)介紹 4.4

基于超聲波的功率半導(dǎo)體高溫封裝技術(shù)介紹 作者:張曹 天津愛(ài)沐陽(yáng)光科技 一、行業(yè)背景 以碳化硅( SiC)和氮化鎵( GaN)為代表的第三代功率半導(dǎo)體材料,是近些 年發(fā)展起來(lái)的新型半導(dǎo)體材料, 具有更寬的禁帶寬度、 更好的熱導(dǎo)率, 更適合當(dāng) 前高功率器件的需要。 但高功率、高壓的功率器件或模塊會(huì)帶來(lái)一個(gè)芯片散熱的問(wèn)題。 現(xiàn)有的封裝 技術(shù)是基于鉛基合金, 如典型的 92.5Pb/5Sn/2.5Ag合金,在真空共晶爐中實(shí)現(xiàn)芯 片與陶瓷電路板的貼片封裝,很難滿足散熱與耐熱沖擊要求,主要原因如下: (1)鉛基合金的熱導(dǎo)率僅為 30-40W/m.k 左右,耐溫僅到 250℃ (3)鉛基合金還存在含鉛、高污染問(wèn)題。 因此耐高溫、無(wú)鉛化的貼片封裝技術(shù)一直是業(yè)內(nèi)的研發(fā)重點(diǎn)。 一個(gè)技術(shù)路線是納米銀漿,使用納米級(jí)的銀粉末可以低溫融化的特點(diǎn),在 200-300℃左右燒結(jié),在芯片與陶瓷電路板之間形成一個(gè)導(dǎo)熱的銀層,

高功率半導(dǎo)體激光器光纖耦合模塊的可靠性研究 高功率半導(dǎo)體激光器光纖耦合模塊的可靠性研究 高功率半導(dǎo)體激光器光纖耦合模塊的可靠性研究

高功率半導(dǎo)體激光器光纖耦合模塊的可靠性研究

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文章從高功率半導(dǎo)體激光器光纖耦合模塊的組成和各個(gè)部分的機(jī)理出發(fā),詳細(xì)分析了影響其可靠性的因素,主要有以下三個(gè)方面:激光器自身的因素、耦合封裝工藝和電學(xué)因素。通過(guò)優(yōu)化原有工藝與采用新技術(shù),提高了模塊的可靠性,拓寬了其應(yīng)用領(lǐng)域。

高功率半導(dǎo)體激光器列陣光纖耦合模塊 高功率半導(dǎo)體激光器列陣光纖耦合模塊 高功率半導(dǎo)體激光器列陣光纖耦合模塊

高功率半導(dǎo)體激光器列陣光纖耦合模塊

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根據(jù)大功率半導(dǎo)體激光二極管列陣與光纖列陣耦合方式,分別從理論和實(shí)驗(yàn)兩方面討論、分析了大功率半導(dǎo)體激光二極管列陣與微球透鏡光纖列陣耦合。將19根芯徑均為200μm的光纖的端面分別熔融拉錐成具有相同直徑的微球透鏡,利用v形槽精密排列,排列周期等于激光二極管列陣各發(fā)光單元的周期。將微球透鏡光纖列陣直接對(duì)準(zhǔn)半導(dǎo)體激光二極管列陣的19個(gè)發(fā)光單元,精密調(diào)節(jié)兩者之間的距離,使耦合輸出功率達(dá)到最大。半導(dǎo)體激光二極管列陣與微球透鏡光纖列陣直接耦合后,不僅從各個(gè)方向同時(shí)壓縮了激光束的發(fā)散角,有效地實(shí)現(xiàn)了對(duì)激光束的整形、壓縮,而且實(shí)現(xiàn)30w的高輸出功率,最大耦合效率大于80%,光纖的數(shù)值孔徑為0.16。

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高功率半導(dǎo)體激光器光纖耦合模塊 高功率半導(dǎo)體激光器光纖耦合模塊 高功率半導(dǎo)體激光器光纖耦合模塊

高功率半導(dǎo)體激光器光纖耦合模塊

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高功率半導(dǎo)體激光器光纖耦合模塊 4.3

光纖耦合輸出的高功率激光二極管模塊具有體積小、光束質(zhì)量好、亮度高等特點(diǎn),在泵浦光纖激光器、材料處理、醫(yī)療儀器等領(lǐng)域都獲得了廣泛的應(yīng)用。為了進(jìn)一步提高光纖耦合激光二極管模塊的輸出功率,提出了基于多只激光二極管串聯(lián)的光纖耦合方法。這種方法具有耦合效率高、光學(xué)元件加工簡(jiǎn)單等特點(diǎn)。利用兩組反射鏡,將多只高功率激光二極管輸出光束經(jīng)準(zhǔn)直、復(fù)合、聚焦,耦合進(jìn)光纖輸出,根據(jù)激光二極管和光纖的相關(guān)參數(shù)設(shè)計(jì)了聚焦透鏡。利用特殊加工的aln材料作為過(guò)渡熱沉解決了激光二極管的導(dǎo)熱和相互之間的絕緣問(wèn)題。采用這種方法將4只輸出波長(zhǎng)為980nm的高功率激光二極管輸出光束耦合進(jìn)數(shù)值孔徑0.22、芯徑100μm的多模光纖中,當(dāng)工作電流為4.0a時(shí),光纖連續(xù)輸出功率為11.6w,耦合效率大于79%。

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基于半導(dǎo)體制冷的動(dòng)態(tài)不規(guī)則物體降溫

基于半導(dǎo)體制冷的動(dòng)態(tài)不規(guī)則物體降溫

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基于半導(dǎo)體制冷的動(dòng)態(tài)不規(guī)則物體降溫 3

基于半導(dǎo)體制冷的動(dòng)態(tài)不規(guī)則物體降溫——目前便攜式電子降溫設(shè)備大多針對(duì)處于靜態(tài)的對(duì)象。本文研究半導(dǎo)體對(duì)于具有不規(guī)則外表并可能實(shí)時(shí)變換空間位置的物體進(jìn)行降溫的可行性,試驗(yàn)綜合考慮了儲(chǔ)水箱的起始水溫、水循環(huán)流量、風(fēng)冷散熱功率等因素,并提出了這類設(shè)備...

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基于超聲波的功率半導(dǎo)體高溫封裝技術(shù)介紹熱門文檔

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大功率LED封裝技術(shù)

大功率LED封裝技術(shù)

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大功率LED封裝技術(shù) 4.6

大功率led封裝技術(shù) 導(dǎo)讀:在現(xiàn)在led技術(shù)中,封裝技術(shù)起 到很關(guān)鍵的作用個(gè),作為led產(chǎn)業(yè)中承上 啟下的封裝技術(shù),它的好壞對(duì)下游產(chǎn)業(yè)的應(yīng) 用十分關(guān)鍵,現(xiàn)在將對(duì)led的封裝技術(shù)做 一下介紹。 o關(guān)鍵字 o (四)、封裝大生產(chǎn)技術(shù) 晶片鍵合(waferbonding)技術(shù)是指晶 片結(jié)構(gòu)和電路的制作、封裝都在晶片 (wafer)上進(jìn)行,封裝完成后再進(jìn)行切割, 形成單個(gè)的晶片(chip);與之相對(duì)應(yīng)的晶片 鍵合(diebonding)是指晶片結(jié)構(gòu)和電路在 晶片上完成后,即進(jìn)行切割形成晶片(die), 然后對(duì)單個(gè)晶片進(jìn)行封裝(類似現(xiàn)在的 led封裝工藝),如圖8所示。很明顯,晶 片鍵合封裝的效率和質(zhì)量更高。由于封裝 費(fèi)用在led器件制造成本中占了很大比 例,因此,改變現(xiàn)有的led封裝形式(從 晶片鍵合到晶片鍵合),將大大降低封裝制

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基于半導(dǎo)體斷路開(kāi)關(guān)的脈沖功率源及其應(yīng)用 基于半導(dǎo)體斷路開(kāi)關(guān)的脈沖功率源及其應(yīng)用 基于半導(dǎo)體斷路開(kāi)關(guān)的脈沖功率源及其應(yīng)用

基于半導(dǎo)體斷路開(kāi)關(guān)的脈沖功率源及其應(yīng)用

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基于半導(dǎo)體斷路開(kāi)關(guān)的脈沖功率源及其應(yīng)用 4.4

半導(dǎo)體斷路開(kāi)關(guān)效應(yīng)的發(fā)現(xiàn)促進(jìn)了能連續(xù)重復(fù)頻率運(yùn)行的半導(dǎo)體斷路開(kāi)關(guān)和基于這種開(kāi)關(guān)的高平均脈沖功率源的發(fā)展和應(yīng)用,與其它應(yīng)用于脈沖功率源的傳統(tǒng)器件相比,基于sos的脈沖功率源更簡(jiǎn)單、可靠,其脈沖重復(fù)頻率可達(dá)到khz。介紹了sos和基于sos的脈沖功率源的基本工作原理和特性,并總結(jié)了基于sos的脈沖功率源最新的研究進(jìn)展和應(yīng)用。

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面向電動(dòng)車窗/天窗應(yīng)用的集成嵌入式功率半導(dǎo)體 面向電動(dòng)車窗/天窗應(yīng)用的集成嵌入式功率半導(dǎo)體 面向電動(dòng)車窗/天窗應(yīng)用的集成嵌入式功率半導(dǎo)體

面向電動(dòng)車窗/天窗應(yīng)用的集成嵌入式功率半導(dǎo)體

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面向電動(dòng)車窗/天窗應(yīng)用的集成嵌入式功率半導(dǎo)體 4.4

如今,電動(dòng)車窗已成為汽車標(biāo)準(zhǔn)功能之一。即使在成本至上的新興市場(chǎng),它也是影響購(gòu)車者決定的最重要因素之一。多數(shù)購(gòu)車者都將電動(dòng)車窗視為必備的舒適功能,因此汽車廠商都將其作為一種基本功能。

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808nm大功率半導(dǎo)體激光器光纖耦合模塊系統(tǒng) 808nm大功率半導(dǎo)體激光器光纖耦合模塊系統(tǒng) 808nm大功率半導(dǎo)體激光器光纖耦合模塊系統(tǒng)

808nm大功率半導(dǎo)體激光器光纖耦合模塊系統(tǒng)

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808nm大功率半導(dǎo)體激光器光纖耦合模塊系統(tǒng) 4.4

根據(jù)808nm大功率半導(dǎo)體激光列陣(lda)的遠(yuǎn)場(chǎng)光場(chǎng)的分布特點(diǎn),利用多模光纖柱透鏡和光束轉(zhuǎn)換裝置對(duì)808nm半導(dǎo)體激光列陣的發(fā)散角進(jìn)行壓縮整形,通過(guò)聚焦準(zhǔn)直透鏡將激光束耦合進(jìn)入芯徑為400μm的光纖,實(shí)現(xiàn)了30w的功率輸出,其中最大耦合效率大于80%,光纖的數(shù)值孔徑(na)為0.22。通過(guò)分析其輸出光斑和輸出曲線,表明lda與光纖耦合系統(tǒng)不僅從各個(gè)方向同時(shí)壓縮了激光束的發(fā)散角,有效地實(shí)現(xiàn)了對(duì)激光束的整形、壓縮,而且性能穩(wěn)定,可靠實(shí)用。

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半導(dǎo)體特性

半導(dǎo)體特性

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半導(dǎo)體特性 4.7

實(shí)用標(biāo)準(zhǔn)文案 精彩文檔 建平縣職業(yè)教育中心備課教案 課題 模塊(單元)第一章 項(xiàng)目(課)半導(dǎo)體的主要特征 授課班級(jí)11電子授課教師安森 授課類型新授授課時(shí)數(shù)2 教學(xué)目標(biāo)知識(shí)目標(biāo)描述半導(dǎo)體的主要特征 能力目標(biāo)能夠知道p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體的特點(diǎn) 情感態(tài)度目標(biāo)培養(yǎng)學(xué)生的學(xué)習(xí)興趣,培養(yǎng)學(xué)生的愛(ài)崗敬業(yè)精神 教學(xué)核心教學(xué)重點(diǎn)半導(dǎo)體的主要特征 教學(xué)難點(diǎn)p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體的特點(diǎn) 思路概述先講解半導(dǎo)體的特點(diǎn),再講p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體的特點(diǎn) 教學(xué)方法讀書(shū)指導(dǎo)法、演示法。 教學(xué)工具電腦,投影儀 教學(xué)過(guò)程 一、組織教學(xué):師生互相問(wèn)候,安全教育,上實(shí)訓(xùn)課時(shí)一定要聽(tīng)從老師的指揮,在實(shí)訓(xùn)室不要亂動(dòng)電源。 二、復(fù)習(xí)提問(wèn):生活中哪些電子元器件是利用半導(dǎo)體制作出來(lái)的? 三、導(dǎo)入新課:我們的生活中根據(jù)導(dǎo)電能力的強(qiáng)弱可以分成哪幾種,這節(jié)課我

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半導(dǎo)體封裝用基板材料的未來(lái)-論文

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半導(dǎo)體封裝用基板材料的未來(lái)-論文 4.7

半導(dǎo)體封裝用基板材料的未來(lái)-論文

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泰德半導(dǎo)體

泰德半導(dǎo)體

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泰德半導(dǎo)體 4.7

no.typevivofrepackageioηmax ocp otp sp 技術(shù)誤 差 同類pin對(duì)pin產(chǎn)品型 號(hào) 適用產(chǎn)品范圍備注 1td14103.6~201.222~18380khzsop-82a95%y≤3% mps1410/9141/act4060/a tc4012/fsp3126/za3020 等 便攜式dvd、lcd顯示驅(qū)動(dòng)板。液晶顯示器、液晶電視、數(shù)碼相 框.電信adsl.車載dvd/vcd/cd.gps。安防等 td1410采用cmos工藝/6寸晶圓。是一款高效率低損耗,工作穩(wěn)定,性價(jià)比 很高使用面廣的dc/dc電源管理芯片。 3td15341~200.8~18380khzsop82a95%y≤2%mp1513td1513 路由器,便攜式dvd、機(jī)頂盒、平板電腦、筆記本電腦、lcd顯示 驅(qū)動(dòng)板.液晶

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半導(dǎo)體集成電路芯片封裝技術(shù)復(fù)習(xí)資料_2012

半導(dǎo)體集成電路芯片封裝技術(shù)復(fù)習(xí)資料_2012

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半導(dǎo)體集成電路芯片封裝技術(shù)復(fù)習(xí)資料_2012 4.3

半導(dǎo)體集成電路封裝技術(shù)復(fù)習(xí)大綱 第一章集成電路芯片封裝技術(shù) 1.(p1)封裝概念:狹義:集成電路芯片封裝是利用(膜技術(shù))及(微細(xì)加工技術(shù)),將芯片 及其他要素在框架或基板上布置、粘貼固定及連接,引出接線端子并通過(guò)可塑性絕緣介質(zhì)灌 封固定,構(gòu)成整體結(jié)構(gòu)的工藝。 廣義:將封裝體與基板連接固定,裝配成完整的系統(tǒng)或電子設(shè)備,并確保整個(gè)系統(tǒng)綜合性能 的工程。 2.集成電路封裝的目的:在于保護(hù)芯片不受或者少受外界環(huán)境的影響,并為之提供一個(gè)良好 的工作條件,以使集成電路具有穩(wěn)定、正常的功能。 3.芯片封裝所實(shí)現(xiàn)的功能:①傳遞電能,②傳遞電路信號(hào),③提供散熱途徑,④結(jié)構(gòu)保護(hù)與 支持。 4.在選擇具體的封裝形式時(shí)主要考慮四種主要設(shè)計(jì)參數(shù):性能,尺寸,重量,可靠性和成 本目標(biāo)。 5.封裝工程的技術(shù)的技術(shù)層次? 第一層次,又稱為芯片層次的封裝,是指把集成電路芯片與封裝基板或引腳架之間的粘貼固

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基于半導(dǎo)體制冷器件的恒溫系統(tǒng)

基于半導(dǎo)體制冷器件的恒溫系統(tǒng)

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基于半導(dǎo)體制冷器件的恒溫系統(tǒng) 3

基于半導(dǎo)體制冷器件的恒溫系統(tǒng)——本設(shè)計(jì)采用單片機(jī)at89s52作為恒溫系統(tǒng)的核心部件,半導(dǎo)體制冷片tec-12706作為恒溫控制系統(tǒng)的執(zhí)行部件,運(yùn)用模糊pid控制算法實(shí)現(xiàn)溫度快速、穩(wěn)定、精確控制。系統(tǒng)通過(guò)模糊pid算法改變單片機(jī)輸出的pwm脈沖來(lái)控制制冷片工作狀態(tài),...

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基于ARM7的半導(dǎo)體制冷控制器設(shè)計(jì)

基于ARM7的半導(dǎo)體制冷控制器設(shè)計(jì)

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基于ARM7的半導(dǎo)體制冷控制器設(shè)計(jì) 3

基于arm7的半導(dǎo)體制冷控制器設(shè)計(jì)——該文以arm7為微處理器設(shè)計(jì)了一款嵌入式儀表,運(yùn)用液晶圖形化顯示技術(shù),大容量信息存儲(chǔ)、測(cè)量和控制數(shù)據(jù)處理技術(shù)等,結(jié)合工業(yè)過(guò)程控制的實(shí)際需要,移植了c/os—ii實(shí)時(shí)操作系統(tǒng),實(shí)現(xiàn)了儀表的智能化。該儀表應(yīng)用于半導(dǎo)體制冷...

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半導(dǎo)體制冷技術(shù)的發(fā)展與應(yīng)用

半導(dǎo)體制冷技術(shù)的發(fā)展與應(yīng)用

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半導(dǎo)體制冷技術(shù)的發(fā)展與應(yīng)用 3

半導(dǎo)體制冷技術(shù)的發(fā)展與應(yīng)用——不同于傳統(tǒng)的制冷,半導(dǎo)體制冷可以打破常規(guī),強(qiáng)行將被制冷物體的溫度降到比環(huán)境溫度還低。其實(shí)現(xiàn)的原理印強(qiáng)行打破熱平衡,實(shí)現(xiàn)溫差效果。只要充分處理好制冷片熱端的散熱,即可達(dá)到理想的制冷效果。

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用于半導(dǎo)體器件熱超聲球焊的鋁絲 用于半導(dǎo)體器件熱超聲球焊的鋁絲 用于半導(dǎo)體器件熱超聲球焊的鋁絲

用于半導(dǎo)體器件熱超聲球焊的鋁絲

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用于半導(dǎo)體器件熱超聲球焊的鋁絲 4.7

在與金絲焊接使用的機(jī)器相當(dāng)?shù)囊€焊接機(jī)上進(jìn)行了鋁絲熱超聲球焊實(shí)驗(yàn)。工業(yè)上作出的努力成功地改進(jìn)了鋁絲球焊機(jī),相對(duì)來(lái)說(shuō),對(duì)優(yōu)選金屬細(xì)絲還注意不夠。此文報(bào)道了實(shí)驗(yàn)中得到的拉力試驗(yàn)數(shù)據(jù)和金相檢驗(yàn)結(jié)果。實(shí)驗(yàn)中,五種鋁合金細(xì)絲被短暫地置于高溫下。這樣處理是想模擬電火花熄滅時(shí)直接在球上加熱的金屬細(xì)絲情況。并提出了一個(gè)解釋鋁球形成機(jī)理的新的物理模型,還提出了證據(jù)以證實(shí)其似乎是合理的。此報(bào)告中的資料表明了鋁球金屬細(xì)絲的發(fā)展方向。

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晶圓封裝測(cè)試工序和半導(dǎo)體制造工藝流程

晶圓封裝測(cè)試工序和半導(dǎo)體制造工藝流程

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晶圓封裝測(cè)試工序和半導(dǎo)體制造工藝流程 4.7

a.晶圓封裝測(cè)試工序 一、ic檢測(cè) 1.缺陷檢查defectinspection 2.dr-sem(defectreviewscanningelectronmicroscopy) 用來(lái)檢測(cè)出晶圓上是否有瑕疵,主要是微塵粒子、刮痕、殘留物等問(wèn)題。此外,對(duì)已印有電 路圖案的圖案晶圓成品而言,則需要進(jìn)行深次微米范圍之瑕疵檢測(cè)。一般來(lái)說(shuō),圖案晶圓檢 測(cè)系統(tǒng)系以白光或雷射光來(lái)照射晶圓表面。再由一或多組偵測(cè)器接收自晶圓表面繞射出來(lái)的 光線,并將該影像交由高功能軟件進(jìn)行底層圖案消除,以辨識(shí)并發(fā)現(xiàn)瑕疵。 3.cd-sem(criticaldimensioinmeasurement) 對(duì)蝕刻后的圖案作精確的尺寸檢測(cè)。 二、ic封裝 1.構(gòu)裝(packaging) ic構(gòu)裝依使用材料可分為陶瓷(ceramic)及塑膠(plastic)兩種,而目前商

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國(guó)內(nèi)外大功率LED散熱封裝技術(shù)

國(guó)內(nèi)外大功率LED散熱封裝技術(shù)

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國(guó)內(nèi)外大功率LED散熱封裝技術(shù) 4.5

國(guó)內(nèi)外大功率led散熱封裝技術(shù) 1、引言 發(fā)光二極管(led)誕生至今,已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了全彩化和高亮度化,并在藍(lán)光led和紫光 led的基礎(chǔ)上開(kāi)發(fā)了白光led.它為人的總稱照明史又帶來(lái)了一次奔騰。與自熾燈和熒光燈相 比,led以其體積小,全固態(tài),長(zhǎng)命命,環(huán)保,省電等一系列優(yōu)點(diǎn),已廣泛用于汽車照明、 扮飾照明、電話閃光燈、大中尺寸,即nb和lcd.tv等顯示屏光源模塊中。 已經(jīng)成為2l百年最具發(fā)展前景的高技術(shù)范疇之一led是一種注入電致發(fā)光器件。由ⅲ~ ⅳ族化合物,如磷化鎵(gap)、磷砷化鎵(gaasp)等半導(dǎo)體制成在~i-dn電場(chǎng)作用下。電 子與空穴的輻射復(fù)合而發(fā)生的電致作用將一部分能量轉(zhuǎn)化為光能。即量子效應(yīng),而無(wú)輻射復(fù) 合孕育發(fā)生的晶格振動(dòng)將其余的能量轉(zhuǎn)化為熱能。今朝,高亮度白光led在實(shí)驗(yàn)室中已經(jīng)達(dá) 到1001m/w的水平,501m/

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超聲波液位計(jì)介紹

超聲波液位計(jì)介紹

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超聲波液位計(jì)介紹 4.7

超聲波液位 超聲波液位計(jì)是由微處理器控制的數(shù)字物位儀表。在測(cè)量中脈沖超聲波由傳感器(換能器)發(fā) 出,聲波經(jīng)物體表面反射后被同一傳感器接收,轉(zhuǎn)換成電信號(hào)。并由聲波的發(fā)射和接收之間的時(shí)間來(lái) 計(jì)算傳感器到被測(cè)物體的距離。由于采用非接觸的測(cè)量,被測(cè)介質(zhì)幾乎不受限制,可廣泛用于各種 液體和固體物料高度的測(cè)量。 目錄 基本簡(jiǎn)介 工作原理 現(xiàn)場(chǎng)條件 產(chǎn)品特點(diǎn) 超聲波液位計(jì)測(cè)量水位的原理以及安裝要求 超聲波液位計(jì)主要技術(shù)參數(shù) hd-aly系列精巧型小盲區(qū)超聲波液位計(jì) 基本簡(jiǎn)介 qf-8000超聲波液位計(jì)可采用二線制、三線制或四線制技術(shù),二線制為:供電與信號(hào)輸出共用; 三線制為:供電回路和信號(hào)輸出回路獨(dú)立,當(dāng)采用直流24v供電時(shí),可使用一根3芯電纜線,供電 負(fù)端和信號(hào)輸出負(fù)端共用一根芯線;四線制為:當(dāng)采用交流220v供電時(shí),或者當(dāng)采用直流24v供電, 要求供電回路與信號(hào)輸出

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大功率半導(dǎo)體激光器光纖耦合模塊的溫度控制 大功率半導(dǎo)體激光器光纖耦合模塊的溫度控制 大功率半導(dǎo)體激光器光纖耦合模塊的溫度控制

大功率半導(dǎo)體激光器光纖耦合模塊的溫度控制

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大功率半導(dǎo)體激光器光纖耦合模塊的溫度控制 4.5

隨著光纖激光器技術(shù)的飛速發(fā)展,作為光纖激光器泵浦源的高功率,高亮度的大功率半導(dǎo)體激光器光纖耦合模塊越來(lái)越受到人們的關(guān)注。提高光纖耦合效率和光纖耦合模塊的可靠性,有效控制大功率半導(dǎo)體激光器光纖耦合模塊的溫度成為人們關(guān)注的重點(diǎn)。

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用于強(qiáng)功率半導(dǎo)體激光器的石英柱微透鏡陣列 用于強(qiáng)功率半導(dǎo)體激光器的石英柱微透鏡陣列 用于強(qiáng)功率半導(dǎo)體激光器的石英柱微透鏡陣列

用于強(qiáng)功率半導(dǎo)體激光器的石英柱微透鏡陣列

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用于強(qiáng)功率半導(dǎo)體激光器的石英柱微透鏡陣列 4.6

采用光刻熱熔法及離子束濺射刻蝕制作面陣石英柱微透鏡陣列,表面探針和掃描電子顯微鏡的測(cè)試表明,在不同的工藝條件下制成的柱微透鏡的表面輪廓具有明顯的差異,給出了描述柱微透鏡制作過(guò)程中的幾個(gè)重要參量的擬合關(guān)系式。

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Yole:2012年功率半導(dǎo)體市場(chǎng)200億美元 Yole:2012年功率半導(dǎo)體市場(chǎng)200億美元 Yole:2012年功率半導(dǎo)體市場(chǎng)200億美元

Yole:2012年功率半導(dǎo)體市場(chǎng)200億美元

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Yole:2012年功率半導(dǎo)體市場(chǎng)200億美元 4.6

市調(diào)機(jī)構(gòu)yoledeveloppement指出,包括分立式半導(dǎo)體、模組和ic在內(nèi)的功率元件市場(chǎng)規(guī)模預(yù)估2012年將達(dá)到200億美元。這些產(chǎn)品可滿足新興的混合動(dòng)力車應(yīng)用,以及從太陽(yáng)能逆變器到照明、加熱器等多種應(yīng)用,產(chǎn)品范圍從幾伏特到數(shù)千伏特都包含在內(nèi)。yole的分析師認(rèn)為,中高壓市場(chǎng)中的igbt產(chǎn)值約為16億美元。超接面(superjunction)mosfet正在朝更高開(kāi)關(guān)頻率的方向發(fā)展,預(yù)估2012年市場(chǎng)

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華潤(rùn)微電子入駐西永微電園造功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地 華潤(rùn)微電子入駐西永微電園造功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地 華潤(rùn)微電子入駐西永微電園造功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地

華潤(rùn)微電子入駐西永微電園造功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地

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華潤(rùn)微電子入駐西永微電園造功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地 4.3

日前華潤(rùn)微電子(重慶)有限公司掛牌成立,并與重慶市政府簽署戰(zhàn)略合作備忘錄,未來(lái)將打造中國(guó)功率半導(dǎo)體研發(fā)制造基地。經(jīng)國(guó)務(wù)院國(guó)資委批復(fù),同意將中航航空電子系統(tǒng)有限責(zé)任公司所持中航微電子有限公司股權(quán)劃轉(zhuǎn)給華潤(rùn)微電子控股有限公司(華潤(rùn)微電子)。近日,華潤(rùn)微電子順利完成企業(yè)工商變更等系列手續(xù),成立華潤(rùn)微電子(重慶)有限公司,當(dāng)天在西永微電園舉行了揭牌暨戰(zhàn)略合作備忘錄簽約活動(dòng)。

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基于超聲波技術(shù)的溫度傳感器設(shè)計(jì) 基于超聲波技術(shù)的溫度傳感器設(shè)計(jì) 基于超聲波技術(shù)的溫度傳感器設(shè)計(jì)

基于超聲波技術(shù)的溫度傳感器設(shè)計(jì)

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基于超聲波技術(shù)的溫度傳感器設(shè)計(jì) 4.5

超聲波檢測(cè)技術(shù)的運(yùn)用,使溫度測(cè)量具有速度快、準(zhǔn)確及測(cè)量范圍大等優(yōu)點(diǎn)。利用超聲波在介質(zhì)中的傳播速度隨溫度變化而變化的特性,以帶有nios軟核的fpga作為硬件電路控制核心,實(shí)現(xiàn)高速實(shí)時(shí)的數(shù)據(jù)采集,同時(shí)采用軟件細(xì)分插補(bǔ)算法,實(shí)現(xiàn)超聲波傳播時(shí)間的精確測(cè)量。經(jīng)過(guò)理論推導(dǎo)和實(shí)驗(yàn),設(shè)計(jì)的超聲波溫度傳感器能夠?qū)崿F(xiàn)高精度高分辨率的溫度測(cè)量,傳播時(shí)間達(dá)到ns級(jí),分辨率優(yōu)于0.001℃.

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基于超聲波的功率半導(dǎo)體高溫封裝技術(shù)介紹相關(guān)

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趙東輝

職位:超高層建筑監(jiān)理工程師,總監(jiān),總代

擅長(zhǎng)專業(yè):土建 安裝 裝飾 市政 園林

基于超聲波的功率半導(dǎo)體高溫封裝技術(shù)介紹文輯: 是趙東輝根據(jù)數(shù)聚超市為大家精心整理的相關(guān)基于超聲波的功率半導(dǎo)體高溫封裝技術(shù)介紹資料、文獻(xiàn)、知識(shí)、教程及精品數(shù)據(jù)等,方便大家下載及在線閱讀。同時(shí),造價(jià)通平臺(tái)還為您提供材價(jià)查詢、測(cè)算、詢價(jià)、云造價(jià)、私有云高端定制等建設(shè)領(lǐng)域優(yōu)質(zhì)服務(wù)。手機(jī)版訪問(wèn): 基于超聲波的功率半導(dǎo)體高溫封裝技術(shù)介紹