寬帶pin二極管單刀雙擲開關的設計與實現(xiàn)
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4.4
采用兩個pin二極管設計、仿真,制作了一個8~20 GHz并聯(lián)結(jié)構(gòu)的高功率容量的單刀雙擲開關。首先通過采用一個新的電路結(jié)構(gòu),該電路結(jié)構(gòu)除了傳統(tǒng)的并聯(lián)pin單刀雙擲開關結(jié)構(gòu)外,還有微帶線匹配電路部分,克服了并聯(lián)結(jié)構(gòu)單刀雙擲開關難以實現(xiàn)大的帶寬的缺點。然后選擇合適的二極管,根據(jù)其參數(shù),建立開路、短路等效電路模型;利用Ansoft Designer軟件對電路進行了仿真和優(yōu)化。最后根據(jù)優(yōu)化結(jié)果制作并測試了單刀雙擲開關。該單刀雙擲開關插入損耗在頻率8~20 GHz內(nèi)小于1.7 dB,在頻率8~15 GHz內(nèi)小于1.5 dB;開關隔離度在整個頻帶內(nèi)大于21 dB;在14 GHz耐功率容量大于10 W(CW)。
5 mm高隔離鰭線單刀雙擲開關
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設計并實現(xiàn)了5mm(u頻段)單刀雙擲(singlepoledoublethrow,spdt)開關模塊。該開關模塊采用鰭線并聯(lián)pin二極管電路結(jié)構(gòu)形式,通過采用一種全新的高隔離度措施,獲得高隔離、低插損開關特性。經(jīng)加工測試,開關模塊在50~56ghz頻帶內(nèi)隔離度大于50db,插損小于2.3db。該模塊已應用于5mm射頻組件中。
毫米波單刀雙擲開關的設計與制作
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4.5
以0.25μmgaasphemt為基礎,介紹了微波單片集成電路開關模型的設計、測試及建模過程,并以此平臺開展了單刀雙擲開關芯片的設計與研制。討論了phemt開關建模的重要性,解決了建模中的關鍵問題,包括開關的設計、測試系統(tǒng)的校準、模型參數(shù)的提取,建立了毫米波范圍內(nèi)高精度的等效電路模型。單刀雙擲開關的設計采用了并聯(lián)式反射型電路拓撲,開關的測試采用了微波探針在片測試系統(tǒng),在18~30ghz獲得了優(yōu)異的電性能,插入損耗il≤1.5db,輸入/輸出駐波比vswr≤1.5∶1,關斷狀態(tài)下的隔離度iso≥30db,芯片尺寸為1.2mm×1.8mm×0.1mm。
Pasternack推出采用50歐姆反射式設計的單刀雙擲高功率PIN二極管射頻開關新產(chǎn)品線
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4.7
業(yè)界領先的射頻、微波及毫米波產(chǎn)品供應商美國pasternack公司推出一系列適用于發(fā)射和接收信號路由應用的單刀雙擲(spdt)高功率pin二極管射頻開關新產(chǎn)品。這些產(chǎn)品的典型用途包括雷達系統(tǒng)、電子戰(zhàn)、基站基礎設施、中繼器、軍用/微波無線電、公共安全/陸地移動無線電、uhf/vhf無線電以及測試測量。
五步厘清單刀雙擲開關的設計和連接
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4.5
單刀雙擲開關是生產(chǎn)、生活中常用的一種開關,也是初中學段一種較為復雜的開關.學生對這種開關的設計原理往往理解不透,對接線方法容易搞錯.本文從學生熟悉的單刀單擲開關入手,通過一系列問題設計,逐步遷移到單刀雙擲開關,從而使學生對為什么要設計單刀雙擲開關、單刀雙擲開關如何接線有了深刻的理解,便于學生掌握.
五步厘清單刀雙擲開關的設計和連接
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單刀雙擲開關是生產(chǎn)、生活中常用的一種開關,也是初中學段一種較為復雜的開關.學生對這種開關的設計原理往往理解不透,對接線方法容易搞錯.本文從學生熟悉的單刀單擲開關入手,通過一系列問題設計,逐步遷移到單刀雙擲開關,從而使學生對為什么要設計單刀雙擲開關、單刀雙擲開關如何接線有了深刻的理解,便于學生掌握.
東芝推出新型GaAsMESFET單刀雙擲開關
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4.8
東芝公司推出一種新的小型低斷面gaasmesfet、單刀雙擲開關。這種小型開關非常適用于多波段/多模蜂窩天線開關組件、藍牙組件和無線局域網(wǎng)。上述gaasmesfetmmic1ghz下插損0.35db(2ghz下0.40db),1ghz和2ghz下隔離24db。其功率性能優(yōu)良,25ghz下1db壓縮功率(p1db)為17dbm,對于極小型低斷面封裝而言,上述功率性能是非常之好了。這種tg2217ctb型單刀雙擲開關采用甚小低斷面無引線6針芯片級封
毫米波超寬帶大功率單片單刀雙擲開關
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4.6
采用gaaspin工藝設計和制作了毫米波超寬帶大功率單刀雙擲開關單片集成電路。在gaaspin二極管建模階段充分考慮寄生效應對模型的影響,獲得高精度模型;在電路設計階段采用gaaspin二極管單級并聯(lián)結(jié)構(gòu),提高功率特性;在工藝加工階段調(diào)整p+層、n+層的摻雜濃度和i層的厚度,獲得低損耗、高功率特性的gaaspin二極管;最終制備的單刀雙擲開關芯片在片測試表明,在25~40ghz范圍內(nèi)插入損耗小于1.0db,隔離度大于25db,輸入輸出電壓駐波比小于2.0∶1,具有優(yōu)異的寬帶小信號特性;35ghz下承受功率高達34dbm,具有非常好的功率特性。
帶有直流偏置的毫米波單刀雙擲開關仿真與設計
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4.6
采用階躍阻抗傳輸線和扇形微帶短截線,實現(xiàn)了單刀雙擲開關的直流偏置,使直流支路與毫米波支路之間的隔離度大于30db,帶寬超過25%,在中心頻率30ghz附近回波損耗大于40db。采用這種直流偏置電路和pin梁式引線二極管,基于ltcc工藝對單刀雙擲開關串聯(lián)結(jié)構(gòu)進行仿真。設計結(jié)果表明在28.5~31.5ghz頻率范圍內(nèi),串聯(lián)開關的插入損耗小于1.5db,回波損耗大于15db,隔離度大于20db。
一種新型RF MEMS單刀雙擲開關的設計與仿真
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4.7
本文介紹了一種利用單驅(qū)動電壓控制通路選擇的新型rfmems單刀雙擲開關,利用三維仿真軟件ansofthfss和ansys進行仿真和優(yōu)化設計該開關的性能。仿真結(jié)果表明:驅(qū)動電壓為22v,開關時間為22μs,在中心頻率30ghz處,開關處于down狀態(tài)下的插入損耗為0.42db,回波損耗為43db,隔離度為29db;而當開關處于up狀態(tài)的插入損耗為0.53db,回波損耗為19db,隔離度為28db,該開關的性能仿真和優(yōu)化設計達到理想情況。。
單刀雙擲開關在自動增益控制電路中的應用
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4.5
自動增益控制電路(agc)是微波接收機中常用的一種電路。為了提高器件使用效率,優(yōu)化端口駐波匹配,可以使用單刀雙擲開關來實現(xiàn)agc電路。單刀雙擲開關采用pin二極管制作,其插入損耗小、隔離度較高、并且端口駐波較好。該開關采用串并聯(lián)電路方式,并利用ansoft公司的serenade軟件對其進行仿真優(yōu)化,電路基板使用rogers的rt5880板材。經(jīng)過實際測試,該agc電路的工作頻率為9.5~10.5ghz,正常支路插損小于4db,帶內(nèi)平坦度0.5db,輸入輸出駐波比小于1.6。
Custom MMIC公司宣布推出新型DC-26GHz單刀雙擲開關
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4.7
custommmic公司是單片微波集成電路開發(fā)商,最近在其標準產(chǎn)品序列中又添加了一種新的單刀雙擲開關-cmd230。據(jù)稱,這是該公司單刀雙擲開關中插入損耗最小的,為1.4db。cmd230是以芯片形式存在的通用寬帶高隔離反射的mmicspdt。帶寬涵蓋dc-26ghz,具有低的插入損耗(1.4db),輸入ip3為37dbm,13ghz時具
PIN二極管在雙向放大器設計中的應用
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4.5
詳細介紹了ma4p274系列pin二極管的特點,并把這些特點用在雙向放大器電路設計中,取得預期的效果。
雙通道單刀雙擲模擬開關的設計
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4.3
西安電子科技大學 碩士學位論文 雙通道單刀雙擲模擬開關的設計 姓名:黃麗芳 申請學位級別:碩士 專業(yè):微電子學與固體電子學 指導教師:賈護軍 20090101 雙通道單刀雙擲模擬開關的設計 作者:黃麗芳 學位授予單位:西安電子科技大學 本文鏈接:http://d.g.wanfangdata.com.cn/thesis_y1556615.aspx 下載時間:2010年4月14日
一種單端匹配式PIN單刀單擲功率開關芯片
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4.8
采用pin二極管工藝技術,設計、制作了一種微波單端匹配式pin單刀單擲功率開關芯片,并給出了詳細測試曲線。該開關由四級pin二極管組成,采用單端匹配結(jié)構(gòu)。工作頻率8~10ghz,整個帶內(nèi)插入損耗小于0.7db,輸出端口駐波比小于1.4:1,輸入端口開關態(tài)駐波比均小于1.4:1,在9ghz點頻下測得1db壓縮點輸入功率大于31dbm,芯片內(nèi)部集成偏置電路,采用+5v/-5v供電,在+5v工作條件下,電流20ma。該芯片面積為2.0mm×1.4mm。
1~26.5GHz GaAs PIN單刀單擲開關單片
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4.6
采用gaaspin二極管,完成1~26.5ghz的單刀單擲開關單片的設計、制作。spst開關單片帶內(nèi)插損小于0.5db,駐波優(yōu)于1.1,隔離度大于27db,在10~26.5ghz,隔離度大于37db。開關單片采用mocvd生長的gaas縱向pin二極管材料結(jié)構(gòu),76mmgaas圓片工藝加工制作。
全集成絕緣體硅CMOS單刀十六擲天線開關設計
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4.6
利用高襯底電阻率的180nm絕緣體硅(soi)cmos工藝設計了一種全集成的可用于手機和無線手持設備的多模多頻單刀十六擲(sp16t)天線開關。由于襯底電阻率高達1kω·cm,且在器件選取和電路結(jié)構(gòu)設計方面采用了多種技巧,實測結(jié)果顯示,十六路開關分支的插損0~3ghz頻段內(nèi)均小于2db,隔離度平均大于35db,回波損耗小于-20db,功率處理能力超過36dbm,完全滿足設計要求。
雙0.5Ω單極/單擲和單極/雙擲開關
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4.5
isl54062是雙0.5ωspdt開關,具有低導通電阻和低壓操作的特點,可處理信號輸入上的負電壓信號。其工作電壓為+1.8v~+6.5v,可傳送低于正電壓軌、最大擺幅達6.5v的信號。isl54062和該系列的其他產(chǎn)品,包括isl54063和isl54064,帶有intersil的“咔噠”聲消除電路。
單刀雙擲N型射頻同軸繼電器的設計
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4.5
對單刀雙擲射頻同軸繼電器的工作原理和主要技術指標進行了介紹,重點闡述了產(chǎn)品結(jié)構(gòu)、ttl電路控制系統(tǒng)、電磁系統(tǒng)及射頻傳輸切換系統(tǒng)的設計方法,對同類產(chǎn)品的設計具有一定的參考意義。
高隔離度pin二極管開關
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4.6
本文將詳細介紹高隔離度pin二極管開關在建設工程領域中的應用。首先,我們將解釋高隔離度pin二極管開關的工作原理和特點。然后,我們將探討其在建設工程中的優(yōu)勢和應用案例。最后,我們將對比高隔離度pin二極管開關與傳統(tǒng)開關的差異,并總結(jié)文章內(nèi)容。
C波段大功率單刀四擲收發(fā)開關的設計
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4.5
采用電磁場分析方法,研究在大功率工作條件下臺面結(jié)構(gòu)pin二極管管芯的工作模式,提取相應的s參數(shù),以優(yōu)化并聯(lián)式開關電路的阻抗匹配網(wǎng)絡,分析開關導通和關斷時的電性能,以及大信號下的功率損耗,研制出了c波段大功率單刀四擲開關。在5.1~5.7ghz頻帶內(nèi),測得開關小信號插損小于0.67db、駐波比小于1.2、隔離度優(yōu)于55db、開通時間優(yōu)于380ns、關斷時間優(yōu)于230ns;大信號插損小于1.1db、檢波延遲時間優(yōu)于118ns,設計指標滿足了工程應用的要求。
單刀雙擲(也稱單開雙控)開關在照明電路中的應用
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4.4
單刀雙擲(也稱單開雙控)開關 在照明電路中的應用 江蘇省泗陽縣李口中學沈正中 照明電路中的墻面板開關,一般有單(一)開單(一)控開關 (也稱
開關二極管--型號類別及其參數(shù)
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4.7
1.開關二極管的作用開關二極管的作用是利用其單向?qū)щ娞匦允蛊涑蔀橐粋€較理想的電子開關。 圖4-10是開關二極管的應用電路。 開關二極管除能滿足普通二極管和性能指標要求外,還具有良好的高頻開關特性(反向恢復時間較短),被廣 泛應用于家電電腦、電視機、通信設備、家用音響、影碟機、儀器儀表、控制電路及各類高頻電路中。 開關二極管分為普通開關二極管、高速開關二極管、超高速開關二極管、低功耗開關二極管、高反壓開關二極 管、硅電壓開關二極管等多種。 開關二極管的封裝形式有塑料封裝和表面封裝等。如圖4-11所示。 2.普通開關二極管常用的國產(chǎn)普通開關二極管有2ak系列鍺開關二極管,表4-8為2ak系開關二極管的主 要參數(shù)。 3.高速開關二極管高速開關二極管較普通開關二極管的反向恢復時間更短,開、關頻率更快。 常用的國產(chǎn)高速開關二極管有2ck系列,見表4-9。 進口高速開關
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職位:咨詢工程師
擅長專業(yè):土建 安裝 裝飾 市政 園林