抗靜電設(shè)計(jì)的集成電路可靠性技術(shù)

隨著現(xiàn)代教育改革的深化推進(jìn),社會(huì)對于人才的需求更強(qiáng)調(diào)實(shí)踐性,這給《數(shù)字電子技術(shù)》課程的發(fā)展提出了新的發(fā)展要求,其內(nèi)含的電路設(shè)計(jì)是課改的關(guān)鍵,針對此,本文將以新課內(nèi)容及教學(xué)實(shí)踐需求為研究基點(diǎn),利用可靠性仿真技術(shù)進(jìn)行電路設(shè)計(jì),由此在電路制作之前將通過仿真軟件將電路結(jié)構(gòu)及元器件參數(shù)調(diào)整至最佳狀態(tài),以為實(shí)踐教學(xué)提供有效支撐。

隨著芯片制造工藝的不斷發(fā)展,超大規(guī)模集成電路集成度不斷提高,體積不斷縮小.納米工藝一方面帶來產(chǎn)品規(guī)模、產(chǎn)品性能的提升,另一方面帶來了產(chǎn)品可靠性,不可信制造和測試效率、測試覆蓋率等諸多問題.為應(yīng)對這些問題,設(shè)計(jì)工程師和測試工程師研發(fā)了很多新的方法,分析了超大規(guī)模集成電路在可靠性設(shè)計(jì)和測試技術(shù)發(fā)展的最新進(jìn)展,最后指出了vlsi可靠性設(shè)計(jì)和測試技術(shù)的發(fā)展方向.

分別采用流體力學(xué)模型和漂移擴(kuò)散模型對不同溝道長度的nmosfet進(jìn)行襯底電流的提取,并以nmosfet溝道長度和ldd注入峰值綜合對器件特性的影響為研究內(nèi)容,介紹了集成電路可制造性設(shè)計(jì)中器件參數(shù)的優(yōu)化與提取。

本文介紹了集成電路可測性設(shè)計(jì)項(xiàng)目中針對cadence網(wǎng)表文件進(jìn)行解析,提取待測元件之間管腳連線的方法和過程。首先分析網(wǎng)表文件結(jié)構(gòu),接著詳細(xì)說明如何過濾網(wǎng)表文件中的無用信息,析取出與待測元件相關(guān)的網(wǎng)絡(luò)節(jié)點(diǎn)定義,最后再從析取出的網(wǎng)絡(luò)節(jié)點(diǎn)定義中提取待測元件的引腳連線信息并按照指定的文件格式輸出。

跟隨當(dāng)前集成電路技術(shù)的發(fā)展,在微電子專業(yè)開設(shè)課程《集成電路測試與可測性設(shè)計(jì)》,完善了學(xué)生的專業(yè)知識(shí)結(jié)構(gòu)。

隨著集成電路規(guī)模的不斷增大,芯片的可測性設(shè)計(jì)正變得越來越重要。研究了目前較常用的邊界掃描測試技術(shù)的原理、結(jié)構(gòu),并給出了邊界掃描技術(shù)的應(yīng)用。重點(diǎn)研究了基于邊界掃描的外測試方式,即電路板上芯片間連線的固定故障、開路和短路故障的測試;利用硬件描述語言verilog設(shè)計(jì)出tap控制器,得到tap狀態(tài)機(jī)的仿真結(jié)果。

asic集成電路設(shè)計(jì)開發(fā)中的隱含邏輯瑕疵與電路故障是芯片實(shí)現(xiàn)的最大困境,針對不同特性的電路提出了內(nèi)部邏輯掃描、存儲(chǔ)器內(nèi)建自測試、邊界掃描鏈插入以及atpg自動(dòng)測試向量生成的解決方案與技術(shù)方法,實(shí)現(xiàn)了soc設(shè)計(jì)開發(fā)中邏輯與成片電路的主動(dòng)偵測與跟蹤尋徑,經(jīng)實(shí)踐證明這些方法大大提高了復(fù)雜soc研制的成功率。

利用基于電量不足期望值貢獻(xiàn)系數(shù)的方法,并結(jié)合可靠性靈敏度分析,將事故備用費(fèi)用分?jǐn)偟桨l(fā)電側(cè)和輸電側(cè),并形成了相應(yīng)的發(fā)電側(cè)和輸電側(cè)可靠性電價(jià)。利用模糊聚類分析方法,根據(jù)用戶的可靠性服務(wù)綜合指標(biāo)要求,將系統(tǒng)中的用戶劃分為幾個(gè)層次類別,對每層用戶進(jìn)行歸一化處理并用一個(gè)虛擬用戶來代表該層用戶的可靠性服務(wù)要求,然后根據(jù)各層虛擬用戶的可靠性服務(wù)要求購買可靠性服務(wù)備用并將費(fèi)用分?jǐn)偟礁鱾€(gè)虛擬用戶得到用戶側(cè)可靠性電價(jià)。通過算例仿真表明,所提出的可靠性電價(jià)體系能夠有效地實(shí)現(xiàn)可靠性服務(wù)的差別定價(jià)。

根據(jù)彈性分組環(huán)專用集成電路的具體情況,提出了相應(yīng)的可測性設(shè)計(jì)(designfortest-ability,dft)方案,綜合運(yùn)用了三種dft技術(shù):掃描鏈、邊界掃描測試和存儲(chǔ)器內(nèi)建自測試。介紹了三種技術(shù)的選取理由和原理,對其具體實(shí)現(xiàn)過程和結(jié)果進(jìn)行了詳細(xì)分析。dft電路的實(shí)現(xiàn)大大降低了專用集成電路的測試難度,提高了故障覆蓋率。

系統(tǒng)的可靠性設(shè)計(jì)

1 硬件系統(tǒng)的可靠性設(shè)計(jì) 2 目錄 1可靠性概念......................................................4 1.1失效率.....................................................4 1.2可靠度.....................................................5 1.3不可靠度...................................................6 1.4平均無故障時(shí)間.............................................6 1.5可靠性指標(biāo)間的關(guān)系.........................................6 2可靠性模

電子設(shè)備的可靠性一直是相關(guān)人員關(guān)心的重點(diǎn)問題,尤其是現(xiàn)代社會(huì)對電子設(shè)備的可靠性要求越來越高,因此對其可靠性設(shè)計(jì)研究更顯重要,所以需要尋找出更新更有效的方法來保證電子設(shè)備的可靠性。筆者介紹了兩種保證電子設(shè)備可靠性的方法,以供參考。

隨著科學(xué)技術(shù)的進(jìn)步,開關(guān)電源已經(jīng)應(yīng)用于人們生活的方方面面,人們對開關(guān)電源的可靠性要求也在不斷提高,開關(guān)電源的可靠性是保證設(shè)備正常運(yùn)行的關(guān)鍵,基于此,本文將重點(diǎn)圍繞開關(guān)電源的可靠性展開探討,希望能具有一定的參考價(jià)值。

進(jìn)入21世紀(jì)以后,我國電子通訊行業(yè)發(fā)展突飛猛進(jìn),市場行業(yè)競爭力與需求越來越大,設(shè)備的更新?lián)Q代頻率也在不斷加快。在這種背景下,電子通訊設(shè)備的可靠性設(shè)計(jì)技術(shù)就成為關(guān)鍵,如何才能確保電子通訊設(shè)備在更加安全的技術(shù)環(huán)境下良好運(yùn)營發(fā)展,本文將以電子通訊設(shè)備的雷擊浪涌可靠性保護(hù)設(shè)計(jì)為主展開論述。

近年來,伴隨著我國電子通訊行業(yè)的不斷發(fā)展,人們對電子通訊技術(shù)的要求變得越來越高.電子設(shè)備更新?lián)Q代的速度很快,這就需要提高電子通訊設(shè)備的可靠性設(shè)計(jì),讓其更加安全,進(jìn)而促進(jìn)行業(yè)發(fā)展,本文分析了電子通訊設(shè)備的可靠性設(shè)計(jì).

開關(guān)電源在航天、交通、軍事、家電等領(lǐng)域應(yīng)用十分廣泛,同時(shí)也普遍應(yīng)用于人們的日常生活和生產(chǎn)過程中。隨著電源技術(shù)和各類元器件的不斷創(chuàng)新和改進(jìn),人們也對開關(guān)電源設(shè)計(jì)提出了更高要求。本文主要對開關(guān)電源的可靠性設(shè)計(jì)進(jìn)行了研究。

以synopsys推出的tcad軟件tsuprem-ⅳ和medici為藍(lán)本,結(jié)合100nm柵長pmosfet的可制造性聯(lián)機(jī)仿真與優(yōu)化實(shí)例,闡述了超大規(guī)模集成電路dfm階段所進(jìn)行的工藝級(jí)、器件物理特性級(jí)優(yōu)化及工藝參數(shù)的提取。

據(jù)報(bào)導(dǎo),美帝國際商業(yè)機(jī)器公司用鋁—銅進(jìn)行合金(銅的合金僅百分之幾)以提高集成電路互連引線的可靠性。實(shí)際上,加上銅是為了減緩所謂的“電子移動(dòng)”過程,這種“電子移動(dòng)”產(chǎn)生了許多電“空洞”,它們在鋁互連引線的測試中可以觀察到。這些“空洞”是導(dǎo)致集成電路失效的主要原因之一?！半娮右苿?dòng)”包括在大電流密度下電流方向中的鋁原子的位移。這種位移可以看作是電子碰撞的結(jié)果。在集成電路典型的工作溫度下,由于晶界無規(guī)則結(jié)

隨著現(xiàn)代電子技術(shù)的飛速發(fā)展,半導(dǎo)體在集成電路中得到了廣泛應(yīng)用。集成電路設(shè)備在生產(chǎn)和運(yùn)輸過程中,都會(huì)受到靜電的影響。本文對集成電路的靜電防護(hù)措施進(jìn)行探討。

科學(xué)技術(shù)的不斷更新與發(fā)展,人們生活生產(chǎn)中使用的電子設(shè)備也越來越多,電子設(shè)備使用性能也直接影響著人們的生活質(zhì)量。對于電子設(shè)備使用性能評(píng)價(jià)中,其主要的參考標(biāo)準(zhǔn)之一就是對可靠性的評(píng)價(jià)。電子設(shè)備可靠性是電子設(shè)備設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、使用的基本要求,可見可靠性的重要性。本文主要針對電子設(shè)備可靠性進(jìn)行研究討論,以提高電子設(shè)備設(shè)計(jì)可靠性的提高。

隨著許多高新技術(shù)，包括高頻開關(guān)技術(shù)、軟開關(guān)技術(shù)、功率因數(shù)校正技術(shù)、同步整流技術(shù)、智能化技術(shù)、表面安裝技術(shù)等技術(shù)的發(fā)展，開關(guān)電源技術(shù)在不斷地創(chuàng)新，這為直流開關(guān)電源提供了廣泛的發(fā)展空間。本文闡述了開關(guān)電源的原理及特點(diǎn)，并對保證開關(guān)電源可靠性工作的幾種保護(hù)電路的設(shè)計(jì)進(jìn)行探討。

本文首先進(jìn)行了厚壁筒結(jié)構(gòu)的失效分析,建立了厚壁筒結(jié)構(gòu)失效的強(qiáng)度失效狀態(tài)函數(shù),接著研究了結(jié)構(gòu)可靠性計(jì)算的直接積分法,分析了直接積分法中涉及到的三個(gè)關(guān)鍵技術(shù)問題,最后進(jìn)行了厚壁筒結(jié)構(gòu)的可靠性分析與可靠性設(shè)計(jì)研究,研究結(jié)果表明厚壁筒結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)變量的均方差對結(jié)構(gòu)的失效概率有較大的影響,在實(shí)際工程中應(yīng)加強(qiáng)其質(zhì)量控制。本文的研究結(jié)果為厚壁筒結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)、制造提供了有價(jià)值的理論參考,其方法可以應(yīng)用于船舶與海洋工程、建筑、機(jī)械、化工等領(lǐng)域,具有較大的理論及實(shí)踐意義。