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更新時(shí)間:2024.12.28
硅壓阻式壓力傳感器溫度補(bǔ)償建模與算法研究

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微電子技術(shù)的發(fā)展促進(jìn)了硅傳感器的加工工藝水平的提高,使硅傳感器獲得良好的一致性、穩(wěn)定性和可靠性,而半導(dǎo)體的溫度特性使硅壓力傳感器的零點(diǎn)和靈敏度隨溫度而發(fā)生漂移。針對(duì)硅壓阻式壓力傳感器這一"弱點(diǎn)",介紹一種基于壓力芯片的惠斯頓電橋建立外接電阻補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)的數(shù)學(xué)模型,利用MatLab優(yōu)化工具箱提供的優(yōu)化方法構(gòu)建算法,對(duì)補(bǔ)償電阻求解,實(shí)現(xiàn)對(duì)溫度漂移的補(bǔ)償。該方法更有助于基于硅壓阻式壓力芯片的OEM型產(chǎn)品的大規(guī)模量產(chǎn)。

F-P腔式光纖壓力傳感器溫度補(bǔ)償設(shè)計(jì)研究

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F-P式光纖壓力傳感器因其獨(dú)有的優(yōu)點(diǎn)廣泛應(yīng)用于軍事、民用領(lǐng)域。由于自身結(jié)構(gòu)的關(guān)系,F-P式光纖壓力傳感器的性能受溫度影響較大。本文通過(guò)對(duì)中空F-P式光纖壓力傳感器制作過(guò)程中相關(guān)參數(shù)的設(shè)計(jì)計(jì)算,對(duì)如何實(shí)現(xiàn)傳感器自身的溫度補(bǔ)償設(shè)計(jì)進(jìn)行了探索性研究。

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