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微電子技術(shù)的發(fā)展促進(jìn)了硅傳感器的加工工藝水平的提高,使硅傳感器獲得良好的一致性、穩(wěn)定性和可靠性,而半導(dǎo)體的溫度特性使硅壓力傳感器的零點(diǎn)和靈敏度隨溫度而發(fā)生漂移。針對(duì)硅壓阻式壓力傳感器這一"弱點(diǎn)",介紹一種基于壓力芯片的惠斯頓電橋建立外接電阻補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)的數(shù)學(xué)模型,利用MatLab優(yōu)化工具箱提供的優(yōu)化方法構(gòu)建算法,對(duì)補(bǔ)償電阻求解,實(shí)現(xiàn)對(duì)溫度漂移的補(bǔ)償。該方法更有助于基于硅壓阻式壓力芯片的OEM型產(chǎn)品的大規(guī)模量產(chǎn)。
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