納米工藝的數(shù)字集成電路電源版圖設(shè)計(jì)

本文介紹16nmfinfet工藝下集成電路的物理集成流程,分析了先進(jìn)工藝下物理集成工程師所面臨的問題和挑戰(zhàn)。為了更好地適應(yīng)新的要求,對(duì)我國高校ic人才培養(yǎng)的相關(guān)環(huán)節(jié)提出了探索性的建議。

討論了3種常用的cmos集成電路電源和地之間的esd保護(hù)電路,分別介紹了它們的電路結(jié)構(gòu)以及設(shè)計(jì)考慮,并用hspice對(duì)其中利用晶體管延時(shí)的電源和地的保護(hù)電路在esd脈沖和正常工作兩種情況下的工作進(jìn)行了模擬驗(yàn)證。結(jié)論證明:在esd脈沖下,該保護(hù)電路的導(dǎo)通時(shí)間為380ns;在正常工作時(shí),該保護(hù)電路不會(huì)導(dǎo)通,因此這種利用晶體管延時(shí)的保護(hù)電路完全可以作為cmos集成電路電源和地之間的esd保護(hù)電路。

cmos差分放大器是現(xiàn)代集成電路設(shè)計(jì)中一個(gè)非常重要的電路結(jié)構(gòu)．由于cmos差分放大器對(duì)其版圖設(shè)計(jì)以及晶體管尺寸非常敏感，cmos差分放大器設(shè)計(jì)是模擬電路設(shè)計(jì)的一個(gè)難題．本文利用powerchipsemiconductorcorp的l110-n工藝實(shí)現(xiàn)了不同結(jié)構(gòu)以及不同尺寸的cmos差分放大器的電路圖和版圖設(shè)計(jì)，并利用hspice對(duì)這些設(shè)計(jì)進(jìn)行了后仿真，得到了不同尺寸和版圖結(jié)構(gòu)下性能對(duì)比結(jié)果，對(duì)相關(guān)領(lǐng)域集成電路設(shè)計(jì)有很好的指導(dǎo)意義．

cmos差分放大器是現(xiàn)代集成電路設(shè)計(jì)中一個(gè)非常重要的電路結(jié)構(gòu).由于cmos差分放大器對(duì)其版圖設(shè)計(jì)以及晶體管尺寸非常敏感,cmos差分放大器設(shè)計(jì)是模擬電路設(shè)計(jì)的一個(gè)難題.本文利用powerchipsemiconductorcorp的l110_n工藝實(shí)現(xiàn)了不同結(jié)構(gòu)以及不同尺寸的cmos差分放大器的電路圖和版圖設(shè)計(jì),并利用hspice對(duì)這些設(shè)計(jì)進(jìn)行了后仿真,得到了不同尺寸和版圖結(jié)構(gòu)下性能對(duì)比結(jié)果,對(duì)相關(guān)領(lǐng)域集成電路設(shè)計(jì)有很好的指導(dǎo)意義.

應(yīng)用于高壓工藝集成電路中電源鉗位的靜電放電保護(hù)(esd)器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),屬于半導(dǎo)體集成電路片上靜電放電保護(hù)領(lǐng)域,本文所提出的器件結(jié)構(gòu)特別適應(yīng)于高壓集成電路中的電源鉗位(powersupplyclamping)功能,該結(jié)構(gòu)可以避免高壓工藝中電源鉗位結(jié)構(gòu)常發(fā)生的閂縮效應(yīng)(latchupeffect)。

集成電路論文第1頁 智能配電網(wǎng)中電力變壓器的應(yīng)用研究 摘要 為應(yīng)對(duì)電力系統(tǒng)在新世紀(jì)面臨的分布式電源并網(wǎng)、電網(wǎng)利用系數(shù)低，高可靠性，高 電能質(zhì)量要求以及數(shù)字化技術(shù)應(yīng)用等諸多挑戰(zhàn)，智能電網(wǎng)成為未來電網(wǎng)的主要發(fā)展方向。 智能電網(wǎng)的建設(shè)離不開高級(jí)電力電子裝置，因此電力電子變壓器的研究對(duì)于建設(shè)綠色電 網(wǎng)，智能電網(wǎng)具有重要的意義。論文首先對(duì)智能電網(wǎng)的概念及功能特點(diǎn)進(jìn)行了介紹，其 次，論文分析了電力電子變壓器的基本原理和拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，最后，論文就ac／ac和ac ／dc/ac這兩種典型的電力電子變壓器在智能配電網(wǎng)上的應(yīng)用進(jìn)行了研究。首先提出 了應(yīng)用在配電網(wǎng)的基于ac／ac型電力電子變壓器的自動(dòng)電壓穩(wěn)壓器。其次，論文分析 了應(yīng)用在智能配電網(wǎng)中的基于ac／dc／ac型電力電子變壓器的電能質(zhì)量控制方案，構(gòu) 建了系統(tǒng)的數(shù)學(xué)模型，詳細(xì)分析了電力電子變壓器輸入級(jí)、中間隔離級(jí)和輸出級(jí)的控制 策略。

第一章 集成電路的測(cè)試 1.集成電路測(cè)試的定義 集成電路測(cè)試是對(duì)集成電路或模塊進(jìn)行檢測(cè)，通過測(cè)量對(duì)于集成電路的輸出回應(yīng)和預(yù)期 輸出比較，以確定或評(píng)估集成電路元器件功能和性能的過程，是驗(yàn)證設(shè)計(jì)、監(jiān)控生產(chǎn)、保證 質(zhì)量、分析失效以及指導(dǎo)應(yīng)用的重要手段。 .2.集成電路測(cè)試的基本原理 輸入x輸出回應(yīng)y 被測(cè)電路dut（deviceundertest）可作為一個(gè)已知功能的實(shí)體，測(cè)試依據(jù)原始輸入x 和網(wǎng)絡(luò)功能集f（x），確定原始輸出回應(yīng)y，并分析y是否表達(dá)了電路網(wǎng)絡(luò)的實(shí)際輸出。因 此，測(cè)試的基本任務(wù)是生成測(cè)試輸入，而測(cè)試系統(tǒng)的基本任務(wù)則是將測(cè)試輸人應(yīng)用于被測(cè)器 件，并分析其輸出的正確性。測(cè)試過程中，測(cè)試系統(tǒng)首先生成輸入定時(shí)波形信號(hào)施加到被測(cè) 器件的原始輸入管腳，第二步是從被測(cè)器件的原始輸出管腳采樣輸出回應(yīng)，最后經(jīng)過分析處 理得到測(cè)試結(jié)果。 3.集成電路故障與測(cè)

數(shù)字萬用表無法像指針式萬用表一樣用于測(cè)量集成電路內(nèi)阻,給用戶帶來了不便。為了解決這一問題,首先分析并得出了其主要原因是測(cè)量?jī)?nèi)阻時(shí)表筆間電壓偏低,研究了指針式萬用表的測(cè)量電路,通過給數(shù)字萬用表添加輔助電源,按照與指針式萬用表相同的原理提高了其表筆間的電壓,實(shí)現(xiàn)了用數(shù)字萬用表對(duì)集成電路內(nèi)阻的測(cè)量。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,使用這種方案對(duì)數(shù)字萬用表進(jìn)行改造后,實(shí)現(xiàn)了對(duì)集成電路內(nèi)阻的測(cè)量,可以將該方案應(yīng)用于數(shù)字萬用表的設(shè)計(jì)和制造中。

盡信書不如無書-------#16---504 1、封裝工藝屬于集成電路制造工藝的（）工序。 2、按照器件與電路板連接方式，封裝可分為引腳插入型（pth）和（）兩大類。 3、芯片封裝所使用的材料有許多，其中金屬主要為（）材料。 4、（）技術(shù)的出現(xiàn)解決了芯片小而封裝大的矛盾。 5、在芯片貼裝工藝中要求：已切割下來的芯片要貼裝到引腳架的中間焊盤上，焊盤的尺寸 要與芯片的大小要（）。 6、在倒裝焊接后的芯片下填充，由于毛細(xì)管虹吸作用，填料被吸入并向芯片基板的中心流 動(dòng)，一個(gè)12.7mm見方的芯片，（）分鐘可完全充滿縫隙，用料大約0.031ml。 7、用溶劑來去飛邊毛刺通常只適用于（）的毛刺。 8、如果厚膜漿料的有效物質(zhì)是一種絕緣材料，則燒結(jié)后的膜是一種介電體，通常可用于制 作（）。 9、能級(jí)之間電位差越大，噪聲越（）。 10、薄膜電路的頂層材料一般是（）。

隨著集成電路的發(fā)展,器件尺寸進(jìn)入納米尺度領(lǐng)域,器件性能受到諸多挑戰(zhàn).針對(duì)納米cmos器件存在的問題,從可集成性考慮,基于由上而下途徑,從新型雙柵/多柵器件結(jié)構(gòu)角度介紹新型非對(duì)稱梯度低摻雜漏垂直溝道雙柵mos器件以及新型圍柵納米線mos器件的研制及特性分析,為下幾代集成電路技術(shù)的器件研究提供良好的思路.

集成電路布圖設(shè)計(jì)登記 恢復(fù)權(quán)利請(qǐng)求書 布圖設(shè)計(jì) 申請(qǐng)?zhí)枺荷暾?qǐng)日： 布圖設(shè)計(jì)名稱： 申請(qǐng)人（專有權(quán)人）： 請(qǐng)求內(nèi)容： 根據(jù)集成電路布圖設(shè)計(jì)保護(hù)條例實(shí)施細(xì)則第九條規(guī)定，對(duì)年 月日國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局發(fā)出的，請(qǐng) 求恢復(fù)權(quán)利。 請(qǐng)求恢復(fù)權(quán)利的理由及證明： 附件清單： 申請(qǐng)人（專有權(quán)人）或代理機(jī)構(gòu)簽章： 年月日 國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局處理意見： 年月日

pcb電路版圖設(shè)計(jì)的常見問題 問題1：什么是零件封裝，它和零件有什么區(qū)別？ 答：(1)零件封裝是指實(shí)際零件焊接到電路板時(shí)所指示的外觀和 焊點(diǎn)位置。 (2)零件封裝只是零件的外觀和焊點(diǎn)位置，純粹的零件封裝僅僅 是空間的概念，因此不同的零件可以共用同一個(gè)零件封裝；另一方面， 同種零件也可以有不同的封裝，如res2代表電阻，它的封裝形式有 axail0.4、axail0.3、axail0.6等等，所以在取用焊接零件時(shí)， 不僅要知道零件名稱還要知道零件的封裝。 (3)零件的封裝可以在設(shè)計(jì)電路圖時(shí)指定，也可以在引進(jìn)網(wǎng)絡(luò)表 時(shí)指定。設(shè)計(jì)電路圖時(shí)，可以在零件屬性對(duì)話框中的footprint設(shè)置 項(xiàng)內(nèi)指定，也可以在引進(jìn)網(wǎng)絡(luò)表時(shí)也可以指定零件封裝。 問題2：導(dǎo)線、飛線和網(wǎng)絡(luò)有什么區(qū)別？ 答：導(dǎo)線也稱銅膜走線，簡(jiǎn)稱導(dǎo)線，用于連接各個(gè)焊點(diǎn)，是印刷 電路板最重要的部分，印刷電路板設(shè)計(jì)都是

集成電路產(chǎn)業(yè)“十二五”發(fā)展規(guī)劃 i 目錄 前言................................................................................................................................1 一、“十一五”回顧....................................................................................................1 （一）產(chǎn)業(yè)規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大.....................................................................................2 （二）創(chuàng)新能力顯著提升..................

本文除了介紹集成電路tps2205的電性能參數(shù)、管腳引線、外形封裝、內(nèi)部原理框圖和典型應(yīng)用電路以外,還給出了多種實(shí)用電路和應(yīng)用電路拓?fù)洹Ｔ趯?duì)該電源管理集成電路進(jìn)行介紹的過程中,為了適應(yīng)計(jì)算機(jī)智能化電源管理發(fā)展的需要,也為了滿足主管部門對(duì)電磁兼容等方面的要求,本文又重點(diǎn)突出了低電壓大電流以及睡眠模式和工作模式控制方面的介紹和應(yīng)用。

雙極型集成電路

分別采用流體力學(xué)模型和漂移擴(kuò)散模型對(duì)不同溝道長(zhǎng)度的nmosfet進(jìn)行襯底電流的提取,并以nmosfet溝道長(zhǎng)度和ldd注入峰值綜合對(duì)器件特性的影響為研究?jī)?nèi)容,介紹了集成電路可制造性設(shè)計(jì)中器件參數(shù)的優(yōu)化與提取。

本文介紹了集成電路可測(cè)性設(shè)計(jì)項(xiàng)目中針對(duì)cadence網(wǎng)表文件進(jìn)行解析,提取待測(cè)元件之間管腳連線的方法和過程。首先分析網(wǎng)表文件結(jié)構(gòu),接著詳細(xì)說明如何過濾網(wǎng)表文件中的無用信息,析取出與待測(cè)元件相關(guān)的網(wǎng)絡(luò)節(jié)點(diǎn)定義,最后再從析取出的網(wǎng)絡(luò)節(jié)點(diǎn)定義中提取待測(cè)元件的引腳連線信息并按照指定的文件格式輸出。

介紹了浸泡清洗、超聲清洗和等離子清洗三種主要封裝清洗的主要工作機(jī)理,及其在封裝過程中的重要作用,通過對(duì)清洗前后集成電路靜態(tài)電源電流變化情況的對(duì)比分析,研究不同的清洗方法對(duì)集成電路靜態(tài)電源電流(iddsb)的影響,為提高封裝產(chǎn)品性能和封裝質(zhì)量提供數(shù)據(jù)支撐及理論依據(jù),其對(duì)于產(chǎn)品可靠性的提升有著重要的意義。

在大功率直流電源中，由于采用了大容量的濾波電容，導(dǎo)致啟動(dòng)時(shí)產(chǎn)生過大的啟動(dòng)電流，從而對(duì)電路中其它設(shè)備產(chǎn)生一些不利影響。針對(duì)這種情況，通過對(duì)電源啟動(dòng)時(shí)電流過大原因的分析，筆者利用555集成電路設(shè)計(jì)了一套延時(shí)電路來控制直流電源的啟動(dòng)電流，同時(shí)這套電路也延長(zhǎng)了直流電源整流堆和濾波電容的使用壽命。本文簡(jiǎn)要介紹了555集成電路及工作原理，重點(diǎn)闡述利用555集成電路構(gòu)成的延時(shí)電路控制電源啟動(dòng)電流的原理、方法，以及設(shè)計(jì)啟動(dòng)電流控制電路過程中關(guān)鍵參數(shù)的計(jì)算。

基于qoriqp1022處理器為平臺(tái)的數(shù)字集群通信基帶板,電源模塊采用ldo芯片和開關(guān)電源芯片搭配的設(shè)計(jì)方案,借助msp430f149單片機(jī),實(shí)現(xiàn)具有實(shí)時(shí)電壓采集、處理、監(jiān)控以及管理的功能。滿足系統(tǒng)對(duì)cpu、dsp、fpga核心芯片的內(nèi)核電壓、外圍i/o管腳及其它輔助設(shè)備的供電順序要求。整個(gè)設(shè)計(jì)提高了基帶板上電可靠性、監(jiān)控實(shí)時(shí)性,同時(shí)提升維護(hù)效率、降低生產(chǎn)成本,以產(chǎn)生一定經(jīng)濟(jì)效益。

跟隨當(dāng)前集成電路技術(shù)的發(fā)展,在微電子專業(yè)開設(shè)課程《集成電路測(cè)試與可測(cè)性設(shè)計(jì)》,完善了學(xué)生的專業(yè)知識(shí)結(jié)構(gòu)。

從電路設(shè)計(jì)到芯片完成離不開集成電路的制備工藝，本章主要介紹硅襯底上的 cmos集成電路制造的工藝過程。有些cmos集成電路涉及到高壓mos器件 （例如平板顯示驅(qū)動(dòng)芯片、智能功率cmos集成電路等），因此高低壓電路的兼 容性就顯得十分重要，在本章最后將重點(diǎn)說明高低壓兼 容的cmos工藝流程。 1.1基本的制備工藝過程 cmos集成電路的制備工藝是一個(gè)非常復(fù)雜而又精密的過程，它由若干單項(xiàng) 制備工藝組合而成。下面將分別簡(jiǎn)要介紹這些單項(xiàng)制備工藝。 1.1.1襯底材料的制備 任何集成電路的制造都離不開襯底材料——單晶硅。制備單晶硅有兩種方法： 懸浮區(qū)熔法和直拉法，這兩種方法制成的單晶硅具有不同的性質(zhì)和不同的集成電路 用途。 1懸浮區(qū)熔法 懸浮區(qū)熔法是在20世紀(jì)50年代提出并很快被應(yīng)用到晶體制備技術(shù)中。在懸浮 區(qū)熔法中，使圓柱形硅棒固定于垂直方向，用高頻感應(yīng)線圈在氬氣氣