太陽能電池用低摻雜率多晶硅薄膜的制備
通過鋁誘導(dǎo)晶化非晶硅(Aluminum-Induced Crystallization,AIC)制備的多晶硅薄膜具有較高的鋁摻雜濃度(2×1018cm-3),不適宜作為薄膜太陽能電池的吸收層.我們提出了QCGE AIC法,即:硅原子的快速擴散;冷卻成核;晶粒的慢速生長;鋁原子的向外擴散.通過精確控制AIC過程中退火溫度及模式制備了摻雜率為2×1016cm-3的高品質(zhì)多晶硅薄膜.二次離子質(zhì)譜(Secondary-Ion-mass Spectroscopy,SIMS)結(jié)果表明:制備多晶硅薄膜中鋁殘留濃度依賴于退火的溫度模式;霍爾效應(yīng)測試結(jié)果表明:制備多晶硅薄膜的摻雜率依賴于退火的溫度和退火模式;拉曼光譜表明:通過QCGE AIC制備的多晶硅薄膜中包含有少量由小顆粒硅組成的區(qū)域.
太陽能電池及多晶硅的生產(chǎn)
在簡述太陽能電池原理和發(fā)展的基礎(chǔ)上,分析了太陽能電池用多晶硅的生產(chǎn)方法.認為:改良的熔鹽電解法和熔鹽三層電解精煉法有可能直接制取太陽能級多晶硅,此法一旦研究成功,將大幅度地降低太陽能級多晶硅生產(chǎn)成本,應(yīng)引起人們的關(guān)注.
多晶硅薄膜太陽能電池的研究現(xiàn)狀
綜述了各類太陽能電池的優(yōu)缺點和研究應(yīng)用現(xiàn)狀,介紹了多晶硅薄膜太陽能電池的基本結(jié)構(gòu)及制備工藝和多晶硅薄膜的各種不同制備方法及其優(yōu)缺點,最后對多晶硅薄膜太陽能電池的研究及應(yīng)用前景進行了展望。
多晶硅太陽能電池
多晶硅太陽能電池 摘要 在全球氣候變暖、人類生態(tài)環(huán)境惡化、常規(guī)能源短缺并造成環(huán)境污染的 形勢下,可持續(xù)發(fā)展戰(zhàn)略普遍被世界各國接受。光伏能源以其具有充分的清 潔性、絕對的安全性、資源的相對廣泛性和充足性、長壽命以及免維護性等 其它常規(guī)能源所不具備的優(yōu)點,被認為是二十一世紀最重要的新能源。 由于不可再生能源的減少和環(huán)境污染的雙重壓力,使得光伏產(chǎn)業(yè)迅猛發(fā) 展;太陽電池的發(fā)展也日新月異。太陽能電池的發(fā)展歷程,詳細介紹了多晶 硅太陽能電池的各種工藝,多晶硅太陽能電池的結(jié)構(gòu)、特點,以及多晶硅的 制備方法,并展望了多晶硅太陽能電池的研究趨勢。 關(guān)鍵詞:多晶硅太陽能電池發(fā)展趨勢 1 多晶硅太陽能電池 目錄 緒言............................................................3 一.太陽能電池概述..................
多晶硅太陽能電池工藝
多晶硅太陽能電池制作工藝概述 [雁舞白沙發(fā)表于2005-10-1618:11:00] 孫鐵囤陳東崔容強袁嘵 上海交通大學(xué)應(yīng)用物理系太陽能所上??臻g電源研究所 摘要大規(guī)模開發(fā)和利用光伏太陽能發(fā)電,提高電池的光電轉(zhuǎn)換效率和降低生 產(chǎn)成本是其核心所在,由于近十年人們對太陽電池理論認識的進一步深入、生產(chǎn) 工藝的改進、ic技術(shù)的滲入和新電池結(jié)構(gòu)的出現(xiàn),電池的轉(zhuǎn)換效率得到較大的 提高,大規(guī)模生產(chǎn)上,多晶硅電池的轉(zhuǎn)換效率已接近單晶硅電池,在非晶硅電池 穩(wěn)定性問題未取得較大進展時,多晶硅電池受到人們的關(guān)注,其世界產(chǎn)量已接近 單晶硅,本文對目前多晶硅太陽電池的工藝發(fā)展分別從實驗室工藝和規(guī)?;a(chǎn) 兩個方面作了比較系統(tǒng)的描述。 1緒論 眾所周知,利用太陽能有許多優(yōu)點,光伏發(fā)電將為人類提供主要的能源,但目前 來講,要使太陽能發(fā)電具有較大的市場,被廣大的消費
多晶硅太陽能電池的激光摻雜
多晶硅太陽能電池的激光摻雜
多晶硅太陽能電池的領(lǐng)導(dǎo)者
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多晶硅太陽能電池的領(lǐng)導(dǎo)者
利用最先進的光譜分析技術(shù),并結(jié)合現(xiàn)有的高效太陽能電池,美國德拉瓦大學(xué)研制成功新型多晶硅太陽能電池,其光電轉(zhuǎn)化效率是目前最先進光伏太陽能電池的兩倍,美國政府正積極推進這項新技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化。
多晶硅太陽能電池研究進展
多晶硅太陽能電池研究進展
多晶硅太陽能電池生產(chǎn)工藝
太陽能電池光電轉(zhuǎn)換原理主要是利用太陽光射入太陽能電池后產(chǎn)生電子電洞對,利用 p-n接面的電場將電子電洞對分離,利用上下電極將這些電子電洞引出,從而產(chǎn)生電流。整個 生產(chǎn)流程以多晶硅切片為原料,制成多晶硅太陽能電池芯片。處理工藝主要有多晶硅切片清 洗、磷擴散、氧化層去除、抗反射膜沉積、電極網(wǎng)印、燒結(jié)、鐳射切割、測試分類包裝等。 生產(chǎn)工藝主要分為以下過程: ⑴表面處理(多晶硅片清洗、制絨) 與單晶硅絨面制備采用堿液和異丙醇腐蝕工藝不同,多晶硅絨面制備采用氫氟酸和硝 酸配成的腐蝕液對多晶硅體表面進行腐蝕。一定濃度的強酸液對硅表面進行晶體的各相異性 腐蝕,使得硅表面成為無數(shù)個小“金字塔”組成的凹凸表面,也就是所謂的“絨面”,以增 加了光的反射吸收,提高電池的短路電流和轉(zhuǎn)換效率。從電鏡的檢測結(jié)果看,小“金字塔” 的底邊平均約為10um。主要反應(yīng)式為: 32234hno4no
多晶硅太陽能電池制作工藝概述
多晶硅太陽能電池制作工藝概述 多晶硅太陽能制作工藝概述 摘要大規(guī)模開發(fā)和利用光伏太陽能發(fā)電,提高電池的光電轉(zhuǎn)換效率和降低生產(chǎn)成本是其核心 所 在,由于近十年人們對太陽電池理論認識的進一步深入、生產(chǎn)工藝的改進、ic技術(shù)的滲入和新電 池 結(jié)構(gòu)的出現(xiàn),電池的轉(zhuǎn)換效率得到較大的提高,大規(guī)模生產(chǎn)上,多晶硅電池的轉(zhuǎn)換效率已接近單 晶 硅電池,在非晶硅電池穩(wěn)定性問題未取得較大進展時,多晶硅電池受到人們的關(guān)注,其世界產(chǎn)量 已 接近單晶硅,本文對目前多晶硅太陽電池的工藝發(fā)展分別從實驗室工藝和規(guī)?;a(chǎn)兩個方面作 了 比較系統(tǒng)的描述。 1緒論 眾所周知,利用太陽能有許多優(yōu)點,光伏發(fā)電將為人類提供主要的能源,但目前來講,要使太陽 能 發(fā)電具有較大的市場,被廣大的消費者接受,提高太陽電池的光電轉(zhuǎn)換效率,降低生產(chǎn)成本應(yīng)該 是 我們追求的最大目標,從目前國際太陽電池的發(fā)展過程可以看出其發(fā)展趨勢為單晶硅、
多晶硅太陽能電池制作工藝概述
大規(guī)模開發(fā)和利用光伏太陽能發(fā)電,提高電池的光電轉(zhuǎn)換效率和降低生產(chǎn)成本是其核心所在,由于近十年人們對太陽電池理論認識的進一步深入、生產(chǎn)工藝的改進、ic技術(shù)的滲入和新電池結(jié)構(gòu)的出現(xiàn),電池的轉(zhuǎn)換效率得到較大的提高,大規(guī)模生產(chǎn)上,多晶硅電池的轉(zhuǎn)換效率已接近單晶硅電池,在非晶硅電池穩(wěn)定性問題未取得較大進展時,多晶硅電池受到人們的關(guān)注,其世界產(chǎn)量已接近單晶硅,本文對目前多晶硅太陽電池的工藝發(fā)展分別從實驗室工藝和規(guī)?;a(chǎn)兩個方面作了比較系統(tǒng)的描述。
單晶硅太陽能電池與多晶硅太陽能電池區(qū)別和共同點
單晶硅太陽能電池與多晶硅太陽能電池區(qū)別和共同點 單晶硅和多晶硅的區(qū)別是,當(dāng)熔融的單質(zhì)硅凝固時,硅原子以金剛石晶格排列成 許多晶核,如果這些晶核長成晶面取向相同的晶粒,則形成單晶硅。如果這些晶 核長成晶面取向不同的晶粒,則形成多晶硅。多晶硅與單晶硅的差異主要表現(xiàn)在 物理性質(zhì)方面。例如在力學(xué)性質(zhì)、電學(xué)性質(zhì)等方面,多晶硅均不如單晶硅。多晶 硅可作為拉制單晶硅的原料。單晶硅可算得上是世界上最純凈的物質(zhì)了,一般的 半導(dǎo)體器件要求硅的純度六個9以上。大規(guī)模集成電路的要求更高,硅的純度必 須達到九個9。目前,人們已經(jīng)能制造出純度為十二個9的單晶硅。單晶硅是電 子計算機、自動控制系統(tǒng)等現(xiàn)代科學(xué)技術(shù)中不可缺少的基本材料。 多晶硅是制造單晶硅的原料。 單晶硅太陽能電池轉(zhuǎn)化的效率更高些! 單晶硅與多晶硅的區(qū)別在于它們的原子結(jié)構(gòu)排列單晶是有序排列多晶是 無序排列主要是有它們的
多晶硅制備方法及太陽能電池發(fā)展現(xiàn)狀
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多晶硅制備方法及太陽能電池發(fā)展現(xiàn)狀
為了降低太陽能級多晶硅生產(chǎn)成本,從而降低太陽能電池制造成本,促進太陽能光伏產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。介紹了目前世界上多晶硅的制備方法及其優(yōu)缺點,論述了多晶硅及太陽能電池的制備工藝方法和發(fā)展現(xiàn)狀。國內(nèi)生產(chǎn)表明,采用改良的西門子工藝技術(shù)生產(chǎn)的多晶硅純度不高。根據(jù)中國太陽能電池產(chǎn)業(yè)發(fā)展中的問題,提出了多晶硅生產(chǎn)技術(shù)的發(fā)展趨勢,即怎樣改良技術(shù)進一步提高多晶硅純度。
單晶硅、多晶硅、非晶硅、薄膜太陽能電池的工作原理及區(qū)別
word文檔 單晶硅、多晶硅、非晶硅、薄膜太陽能電池 的工作原理及區(qū)別 硅太陽能電池的外形及基本結(jié)構(gòu)如圖1。其中基本材料為p型單晶硅,厚度 為0.3—0.5mm左右。上表面為n+型區(qū),構(gòu)成一個pn+結(jié)。頂區(qū)表面有柵狀金屬 電極,硅片背面為金屬底電極。上下電極分別與n+區(qū)和p區(qū)形成歐姆接觸,整個 上表面還均勻覆蓋著減反射膜。 當(dāng)入發(fā)射光照在電池表面時,光子穿過減反射膜進入硅中,能量大于硅禁帶寬 度的光子在n+區(qū),pn+結(jié)空間電荷區(qū)和p區(qū)中激發(fā)出光生電子——空穴對。各區(qū) 中的光生載流子如果在復(fù)合前能越過耗盡區(qū),就對發(fā)光電壓作出貢獻。光生電子留 于n+區(qū),光生空穴留于p區(qū),在pn+結(jié)的兩側(cè)形成正負電荷的積累,產(chǎn)生光生 電壓,此為光生伏打效應(yīng)。當(dāng)光伏電池兩端接一負載后,光電池就從p區(qū)經(jīng)負載流 至n+區(qū),負載中就有功率輸出。 太陽能電池各區(qū)對不同波長光的敏感型是不同
薄膜太陽能電池前背電極制備工藝的研究
通過高溫工藝或退火工藝均能在合適的條件下獲得性能良好的ito透明導(dǎo)電薄膜,但通過掃描電鏡(sem)發(fā)現(xiàn)這兩種制備方式所得樣品具有很大的表面形貌差異.在薄膜電池前電極的制備過程中為了增強其陷光作用應(yīng)采用直接制備的方法,而為了增強al背電極的光反射作用,背部的透明導(dǎo)電膜應(yīng)采用在合適溫度下的退火工藝.
太陽能電池用多晶硅材料國產(chǎn)化的幾點思考
以太陽能電池產(chǎn)品鏈的發(fā)展為切入點,闡述了國內(nèi)光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展的現(xiàn)狀,并提出了國內(nèi)太陽電池用多晶硅材料國產(chǎn)化的設(shè)想與思考。
薄膜太陽能電池的制造技術(shù)分析
本文針對硅基薄膜太陽能電池、碲化鎘薄膜太陽能電池、銅銦鎵硒薄膜太陽能電池的基本結(jié)構(gòu)及工藝制造流程進行了簡要分析,望能為此領(lǐng)域研究有所借鑒。
CIGS薄膜太陽能電池的制備工藝和產(chǎn)業(yè)化前景
文章介紹了cigs薄膜太陽能電池的結(jié)構(gòu)及特性、吸收層的主要制備工藝、并簡述了其產(chǎn)業(yè)化前景。
關(guān)于薄膜太陽能電池分析
地球上的資源是有限的,我們現(xiàn)在利用的資源很多都是不可再生的資源,或者是再生周期比較長,如果持續(xù)下去,我們有一天會沒有資源可用,所以我們必須開發(fā)新能源,目前太陽能是比較好的資源,太陽能已經(jīng)運用到了發(fā)電產(chǎn)業(yè)中,其中薄膜太陽能電池就是比較好的應(yīng)用。本文將以薄膜太陽能電池進行研究和分析。
太陽能電池高純多晶硅產(chǎn)業(yè)產(chǎn)排污分析
隨著多晶硅產(chǎn)業(yè)規(guī)模不斷擴大,多晶硅生產(chǎn)中的環(huán)境問題日益受到人們的關(guān)注。我國制備高純多晶硅的主流技術(shù)是改良西門子法,物理冶金法制備高純多晶硅企業(yè)有1~2家,是今后可能的發(fā)展方向之一。全面系統(tǒng)分析了改良西門子法和物理冶金法多晶硅生產(chǎn)中的產(chǎn)污環(huán)節(jié)、污染物種類及排污情況,為核算多晶硅產(chǎn)業(yè)產(chǎn)排污系數(shù)提供實踐基礎(chǔ)。
薄膜太陽能電池研究進展
薄膜太陽能電池是有效利用新能源的新型光伏器件。本文綜述了硅基類、化合物類以及染料敏化三種薄膜太陽能電池研究現(xiàn)狀,并展望了未來的發(fā)展前景。
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职位:城市規(guī)劃設(shè)計-助理規(guī)劃師
擅长专业:土建 安裝 裝飾 市政 園林