新的CMOS混頻器電路設(shè)計方法

完成了一種橋式連接音頻功率放大器的仿真和設(shè)計。該音頻功率放大器的主體為橋式連接的兩個運算放大器,使用盡可能小的外部組件提供高質(zhì)量的輸出功率,不需要輸出耦合電容、自舉電容和緩沖網(wǎng)絡(luò)。應(yīng)用cadence的spectre模擬仿真工具進行電路仿真,得到其電路指標(biāo)如頻響特性、電源電壓抑制比、總諧波失真等均達到要求。該音頻功率放大器具有良好的市場應(yīng)用前景。

采用0．13μmrcmos工藝設(shè)計并實現(xiàn)了一種應(yīng)用于dvb—t／h數(shù)字電視廣播系統(tǒng)調(diào)諧器的寬帶下變頻混頻器，其工作頻率為170mhz-1．675ghz?；祛l器使用吉爾伯特雙平衡結(jié)構(gòu)作為電路的核心單元，采用rc并聯(lián)諧振電路作為負(fù)載以濾除輸出高階諧波，使用正交混頻技術(shù)以有效抑制鏡像干擾；通過采用電流注入技術(shù)，以減小流經(jīng)開關(guān)管的電流，改善噪聲系數(shù)，減小了負(fù)載上的直流壓降，改善1．2v下混頻器的直流工作狀態(tài)；通過去除尾電流源以提高混頻器的線性度。芯片測試結(jié)果表明，在1．2v的電源電壓下，混頻器轉(zhuǎn)換增益為14．4db，輸入三階截點為-3．05dbm，噪聲系數(shù)為14．2db，功耗為6mw.

設(shè)計并實現(xiàn)了一個工作在4.2ghz的全集成cmos射頻前端電路,包括可實現(xiàn)單端輸入到差分輸出變換的低噪聲放大器和電流注入型gilbert有源雙平衡混頻器。電路采用smic0.18μmrf工藝。測試結(jié)果表明,在1.8v電源電壓下,電路的功率增益可達到26db,1db壓縮點為-27dbm,電路總功耗(含buffer)為21ma。

討論了3種常用的cmos集成電路電源和地之間的esd保護電路,分別介紹了它們的電路結(jié)構(gòu)以及設(shè)計考慮,并用hspice對其中利用晶體管延時的電源和地的保護電路在esd脈沖和正常工作兩種情況下的工作進行了模擬驗證。結(jié)論證明:在esd脈沖下,該保護電路的導(dǎo)通時間為380ns;在正常工作時,該保護電路不會導(dǎo)通,因此這種利用晶體管延時的保護電路完全可以作為cmos集成電路電源和地之間的esd保護電路。

為提高溫度傳感器的測量精度,同時縮小其面積和功耗,文中設(shè)計了一種使用npn晶體管進行溫度測量的完全集成互補型金屬氧化物半導(dǎo)體傳感器。該傳感器主要由偏置電路,運算放大器和熱傳感器電路組成。偏置電路為傳感器提供偏置條件,其由啟動電路和β乘法器電路組成。文中采用ltspiceandmatlab進行電路設(shè)計,并在50nm工藝下對傳感器電路進行仿真,得到所設(shè)計的溫度傳感器在-30~125℃范圍內(nèi),溫度系數(shù)為5.9mv/℃。

文章介紹了采用cmos電路的報警器,在保證其功能的基礎(chǔ)上,克服了原報警器的不足,并使電路結(jié)構(gòu)簡化、設(shè)計合理,提高了可靠性和穩(wěn)定性,降低了成本。

第12章微波混頻器設(shè)計

cmos電路是高輸入阻抗,而長波紅外光導(dǎo)探測器是低阻抗,實現(xiàn)低阻抗紅外光導(dǎo)探測器與cmos電路的良好匹配,是目前長波紅外探測器高性能成像的關(guān)鍵技術(shù)。文中設(shè)計了一種能在低溫下工作的低阻抗紅外光導(dǎo)探測器cmos電路,差分放大器采用正負(fù)電源供電,在輸入級采用橋式輸入方式,該電路第一級采用1mω的負(fù)反饋電阻實現(xiàn)信號放大,第二級放大采用正端放大方式,輸入級、第一級放大、第二級放大均采用直接耦合方式。測試結(jié)果表明,該放大器與長波紅外低輸入阻抗光導(dǎo)探測器連接后能正常工作,總放大倍數(shù)大于1萬倍,3db帶寬大于4khz,等效輸入電壓噪聲小于1.5μv,有效地解決了低阻抗光導(dǎo)探測器與高阻cmos電路的匹配問題。

隨著社會的發(fā)展與人類生存環(huán)境的不斷變遷,逐漸的與建筑的更新發(fā)展結(jié)合成一個同一體.對建筑物進行分析,使其能夠重新投入到人們的利用上來,更新建筑的設(shè)計內(nèi)容,對建筑的再利用的價值進行一個準(zhǔn)確的評估,分析建筑物存在的潛在價值與意義,結(jié)合社會文化建筑資源的交易機制,從而使建筑的設(shè)計多樣化,以滿足社會生活中的不同需求,從而使建筑的價值得到提升,使建筑在更新設(shè)計中得到合理的利用以及有效的保護.

建筑的發(fā)展與社會的進步和變遷構(gòu)成同一體,分析建筑工程的再利用,逐步提高建筑構(gòu)成更新設(shè)計的相關(guān)內(nèi)容,對建筑更新利用的價值進行準(zhǔn)確的分析,研究社會交易文化資源的重要機制,分析力建筑遺產(chǎn)可能存在的潛在意義,更好的完善建筑多樣化的設(shè)計,迎合社會的基本服務(wù)需求,提僧建筑工程的利用價值,確保建筑工程更新作用的有效設(shè)計和保護。

最新5-6CMOS電路匯總

介紹了使用集成電路pt4107設(shè)計一款高功率因數(shù)led日光燈的基本方法,并給出實際應(yīng)用參數(shù)。

本文設(shè)計一個低電壓高增益下變頻混頻器。為了降低電源電壓,本文采用了lc-tank折疊結(jié)構(gòu),同時為了提高混頻器線性度,采用了開關(guān)對共源節(jié)點諧振技術(shù)。在低電源電壓和高線性得到保證的情況下,本文用ads2009軟件重點對混頻器的轉(zhuǎn)換增益進行優(yōu)化、仿真,結(jié)果表明:工作電壓1.4v,rf頻率2.5ghz,本振頻率2.25ghz,中頻頻率250mhz,轉(zhuǎn)換增益7.325db,三階交調(diào)點6.203dbm,單邊帶噪聲系數(shù)3.823db,雙邊帶噪聲系數(shù)2.868db,功耗14.028mw,本文所設(shè)計的混頻器可用于無線通信領(lǐng)域的電子系統(tǒng)中。

射頻cmos電路分析與設(shè)計 姓名顏朋飛 學(xué)號21306021078 班級13電子班 指導(dǎo)老師陳珍海 2 根據(jù)用途要求，確定 系統(tǒng)總體方案 cmos模擬集成電路設(shè)計與仿真 一、設(shè)計原理 ic設(shè)計與制造的主要流程 3 二、設(shè)計目的 本實驗是基于微電子技術(shù)應(yīng)用背景和《集成電路原理與設(shè)計》課程設(shè)置及其特點而設(shè)置， 為ic設(shè)計性實驗。其目的在于： 根據(jù)實驗任務(wù)要求，綜合運用課程所學(xué)知識自主完成相應(yīng)的模擬集成電路設(shè)計，掌握 基本的ic設(shè)計技巧。 學(xué)習(xí)并掌握國際流行的eda仿真軟件cadence的使用方法，并進行電路的模擬仿真。 三、設(shè)計內(nèi)容和功能 1、unix操作系統(tǒng)常用命令的使用，cadenceeda仿真環(huán)境的調(diào)用。 2、設(shè)計一個運算放大器電路，要求其增益大于40db,相位裕度大于60o，功耗小于10mw。 3

基于交叉耦合nmos單元,提出了一種低壓、快速穩(wěn)定的cmos電荷泵電路.一個二極管連接的nmos管與自舉電容相并聯(lián),對電路進行預(yù)充電,從而改善了電荷泵電路的穩(wěn)定建立特性.pmos串聯(lián)開關(guān)用于將信號傳輸?shù)较乱患?仿真結(jié)果表明,4級電荷泵的最大輸出電壓為7.41v,建立時間為0.85μs.

新的法蘭螺栓載荷設(shè)計方法

本文介紹了陀螺電源信號發(fā)生器的基本原理，闡述了國內(nèi)外有關(guān)陀螺信號發(fā)生器設(shè)計的基本方法，基于可編程邏輯器件（cpld）設(shè)計實現(xiàn)了陀螺信號發(fā)生裝置，并給出了仿真及實驗波形。

在分析門極可關(guān)斷晶閘管(gto)和門極換流晶閘管(gct)門-陰極結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上,依據(jù)gct關(guān)斷時的換流機理,提出了一種新的gct門-陰極圖形的設(shè)計方法.與現(xiàn)有的gct門-陰極圖形相比,用該方法設(shè)計的門-陰極圖形,在保證開關(guān)過程中電流均勻分布的前提下,可增加gct的有效陰極面積,減小熱阻,并提高電流容量.

針對納米/cmos混合電路(cmol)單元映射問題,提出一種基于混合遺傳算法的映射算法.將任意布爾電路轉(zhuǎn)換為適于cmol映射的基于或非門的電路,讀入該電路進行染色體編碼,形成初始種群;每一代種群經(jīng)過二維交叉算子、變異算子進行解空間全局搜索,并引入模擬退火算法進行局部搜索使種群個體得以改進.對iscas和mcnc標(biāo)準(zhǔn)電路的實驗結(jié)果表明,采用該算法進行求解不僅使電路面積小、時延短,且具有求解速度快、能處理規(guī)模較大電路的特點.

采用雙平衡場效應(yīng)管管堆和巴倫設(shè)計了一款適用于短波超寬帶接收機的高線性低變頻損耗混頻器。巴倫由射頻鐵氧體傳輸線變壓器實現(xiàn),插入損耗小,工作頻帶寬。該混頻器射頻輸入頻率為0.3~70mhz,覆蓋7.8個倍頻程,本振輸入頻率為40.755~110.455mhz,中頻輸出為40.455mhz。測試結(jié)果表明,混頻器最佳本振功率在17dbm左右,變頻損耗5db左右,輸入三階截點高于34dbm,本振-中頻隔離度大于30db,本振-射頻隔離度大于50db。

利用smic0.18μmcmos工藝設(shè)計了光接收機前端放大電路.在前置放大器中,設(shè)計了一種高增益有源反饋跨阻放大器,并且可以使輸出共模電平在較大范圍內(nèi)調(diào)解.在限幅放大器中,通過在改進的cherry-hooper結(jié)構(gòu)里引入有源電感負(fù)反饋來進一步擴展帶寬.整個前端放大電路具有較高的靈敏度和較寬的輸入動態(tài)范圍.hspice仿真結(jié)果表明該電路具有119db的中頻跨阻增益,2.02ghz的帶寬,對于輸入電流幅度從1.4μa到170μa變化時,50ω負(fù)載線上的輸出電壓限幅在320mv(v_(pp)),輸出眼圖穩(wěn)定清晰.核心電路靜態(tài)功耗為45.431mw.

建筑物的綜合防火設(shè)計方法:一種新的防火設(shè)計方法