更新日期: 2025-04-07

一種新的CMOS混頻器電路優(yōu)化設(shè)計(jì)方法

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一種新的CMOS混頻器電路優(yōu)化設(shè)計(jì)方法 4.7

本文提出了一種以遺傳算法作為全局搜索算法、以性能方程作為評(píng)估器的CMOS混頻器電路自動(dòng)優(yōu)化方法,優(yōu)化過程中采用了一種新的約束條件處理機(jī)制,即:搜索空間限定法與罰函數(shù)法并用的處理方法。本文提出的優(yōu)化方法可以快速得到電路優(yōu)化結(jié)果,優(yōu)化后的混頻器電路已經(jīng)過0.25μm CMOS工藝流片驗(yàn)證。

一種新的CMOS模擬單元電路優(yōu)化設(shè)計(jì)方法 一種新的CMOS模擬單元電路優(yōu)化設(shè)計(jì)方法 一種新的CMOS模擬單元電路優(yōu)化設(shè)計(jì)方法

一種新的CMOS模擬單元電路優(yōu)化設(shè)計(jì)方法

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在cmos單元電路的參數(shù)自動(dòng)生成和優(yōu)化中提出了一個(gè)新的設(shè)計(jì)方法,其核心算法是基于小生境的遺傳算法.仿真結(jié)果表明:優(yōu)化后的電路性能與基于仿真方法相差不大,但是其具有較短運(yùn)行時(shí)間的優(yōu)勢(shì).

一種新穎的Buck電路設(shè)計(jì)方法 一種新穎的Buck電路設(shè)計(jì)方法 一種新穎的Buck電路設(shè)計(jì)方法

一種新穎的Buck電路設(shè)計(jì)方法

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buck電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,易于實(shí)現(xiàn),應(yīng)用非常廣泛。文章針對(duì)連續(xù)工作電流的buck電路,建立了一種便于理論分析的等效電路,基于此電路的頻率特性函數(shù)和輸入信號(hào)的傅里葉變換,得到了電路的穩(wěn)態(tài)響應(yīng)。對(duì)紋波的理論研究及仿真分析表明電路輸出的紋波比完全可由基波紋波比代替計(jì)算,從而提出了一種設(shè)計(jì)濾波元件l、c參數(shù)的不同思路。通過實(shí)例設(shè)計(jì)及仿真驗(yàn)證也說(shuō)明此方法對(duì)buck電路參數(shù)設(shè)計(jì)是簡(jiǎn)單有效的,l、c參數(shù)的選定也比較靈活。

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音頻功率放大器的CMOS電路設(shè)計(jì) 音頻功率放大器的CMOS電路設(shè)計(jì) 音頻功率放大器的CMOS電路設(shè)計(jì)

音頻功率放大器的CMOS電路設(shè)計(jì)

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音頻功率放大器的CMOS電路設(shè)計(jì) 4.3

完成了一種橋式連接音頻功率放大器的仿真和設(shè)計(jì)。該音頻功率放大器的主體為橋式連接的兩個(gè)運(yùn)算放大器,使用盡可能小的外部組件提供高質(zhì)量的輸出功率,不需要輸出耦合電容、自舉電容和緩沖網(wǎng)絡(luò)。應(yīng)用cadence的spectre模擬仿真工具進(jìn)行電路仿真,得到其電路指標(biāo)如頻響特性、電源電壓抑制比、總諧波失真等均達(dá)到要求。該音頻功率放大器具有良好的市場(chǎng)應(yīng)用前景。

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應(yīng)用于DVB-T/H調(diào)諧器的0.13μm CMOS混頻器設(shè)計(jì) 應(yīng)用于DVB-T/H調(diào)諧器的0.13μm CMOS混頻器設(shè)計(jì) 應(yīng)用于DVB-T/H調(diào)諧器的0.13μm CMOS混頻器設(shè)計(jì)

應(yīng)用于DVB-T/H調(diào)諧器的0.13μm CMOS混頻器設(shè)計(jì)

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應(yīng)用于DVB-T/H調(diào)諧器的0.13μm CMOS混頻器設(shè)計(jì) 4.7

采用0.13μmrcmos工藝設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)了一種應(yīng)用于dvb—t/h數(shù)字電視廣播系統(tǒng)調(diào)諧器的寬帶下變頻混頻器,其工作頻率為170mhz-1.675ghz。混頻器使用吉爾伯特雙平衡結(jié)構(gòu)作為電路的核心單元,采用rc并聯(lián)諧振電路作為負(fù)載以濾除輸出高階諧波,使用正交混頻技術(shù)以有效抑制鏡像干擾;通過采用電流注入技術(shù),以減小流經(jīng)開關(guān)管的電流,改善噪聲系數(shù),減小了負(fù)載上的直流壓降,改善1.2v下混頻器的直流工作狀態(tài);通過去除尾電流源以提高混頻器的線性度。芯片測(cè)試結(jié)果表明,在1.2v的電源電壓下,混頻器轉(zhuǎn)換增益為14.4db,輸入三階截點(diǎn)為-3.05dbm,噪聲系數(shù)為14.2db,功耗為6mw.

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新的CMOS混頻器電路設(shè)計(jì)方法熱門文檔

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4·2GHz CMOS射頻前端電路設(shè)計(jì) 4·2GHz CMOS射頻前端電路設(shè)計(jì) 4·2GHz CMOS射頻前端電路設(shè)計(jì)

4·2GHz CMOS射頻前端電路設(shè)計(jì)

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4·2GHz CMOS射頻前端電路設(shè)計(jì) 4.5

設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)了一個(gè)工作在4.2ghz的全集成cmos射頻前端電路,包括可實(shí)現(xiàn)單端輸入到差分輸出變換的低噪聲放大器和電流注入型gilbert有源雙平衡混頻器。電路采用smic0.18μmrf工藝。測(cè)試結(jié)果表明,在1.8v電源電壓下,電路的功率增益可達(dá)到26db,1db壓縮點(diǎn)為-27dbm,電路總功耗(含buffer)為21ma。

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CMOS集成電路中電源和地之間的ESD保護(hù)電路設(shè)計(jì) CMOS集成電路中電源和地之間的ESD保護(hù)電路設(shè)計(jì) CMOS集成電路中電源和地之間的ESD保護(hù)電路設(shè)計(jì)

CMOS集成電路中電源和地之間的ESD保護(hù)電路設(shè)計(jì)

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CMOS集成電路中電源和地之間的ESD保護(hù)電路設(shè)計(jì) 4.5

討論了3種常用的cmos集成電路電源和地之間的esd保護(hù)電路,分別介紹了它們的電路結(jié)構(gòu)以及設(shè)計(jì)考慮,并用hspice對(duì)其中利用晶體管延時(shí)的電源和地的保護(hù)電路在esd脈沖和正常工作兩種情況下的工作進(jìn)行了模擬驗(yàn)證。結(jié)論證明:在esd脈沖下,該保護(hù)電路的導(dǎo)通時(shí)間為380ns;在正常工作時(shí),該保護(hù)電路不會(huì)導(dǎo)通,因此這種利用晶體管延時(shí)的保護(hù)電路完全可以作為cmos集成電路電源和地之間的esd保護(hù)電路。

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基于CMOS集成溫度傳感器的電路設(shè)計(jì)與仿真 基于CMOS集成溫度傳感器的電路設(shè)計(jì)與仿真 基于CMOS集成溫度傳感器的電路設(shè)計(jì)與仿真

基于CMOS集成溫度傳感器的電路設(shè)計(jì)與仿真

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基于CMOS集成溫度傳感器的電路設(shè)計(jì)與仿真 4.6

為提高溫度傳感器的測(cè)量精度,同時(shí)縮小其面積和功耗,文中設(shè)計(jì)了一種使用npn晶體管進(jìn)行溫度測(cè)量的完全集成互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體傳感器。該傳感器主要由偏置電路,運(yùn)算放大器和熱傳感器電路組成。偏置電路為傳感器提供偏置條件,其由啟動(dòng)電路和β乘法器電路組成。文中采用ltspiceandmatlab進(jìn)行電路設(shè)計(jì),并在50nm工藝下對(duì)傳感器電路進(jìn)行仿真,得到所設(shè)計(jì)的溫度傳感器在-30~125℃范圍內(nèi),溫度系數(shù)為5.9mv/℃。

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采用CMOS與非門電路設(shè)計(jì)的閃光信號(hào)報(bào)警器 采用CMOS與非門電路設(shè)計(jì)的閃光信號(hào)報(bào)警器 采用CMOS與非門電路設(shè)計(jì)的閃光信號(hào)報(bào)警器

采用CMOS與非門電路設(shè)計(jì)的閃光信號(hào)報(bào)警器

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采用CMOS與非門電路設(shè)計(jì)的閃光信號(hào)報(bào)警器 4.4

文章介紹了采用cmos電路的報(bào)警器,在保證其功能的基礎(chǔ)上,克服了原報(bào)警器的不足,并使電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)化、設(shè)計(jì)合理,提高了可靠性和穩(wěn)定性,降低了成本。

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第12章微波混頻器設(shè)計(jì)

第12章微波混頻器設(shè)計(jì)

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第12章微波混頻器設(shè)計(jì) 4.4

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新的CMOS混頻器電路設(shè)計(jì)方法精華文檔

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一種長(zhǎng)波紅外光導(dǎo)探測(cè)器CMOS電路設(shè)計(jì) 一種長(zhǎng)波紅外光導(dǎo)探測(cè)器CMOS電路設(shè)計(jì) 一種長(zhǎng)波紅外光導(dǎo)探測(cè)器CMOS電路設(shè)計(jì)

一種長(zhǎng)波紅外光導(dǎo)探測(cè)器CMOS電路設(shè)計(jì)

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一種長(zhǎng)波紅外光導(dǎo)探測(cè)器CMOS電路設(shè)計(jì) 4.6

cmos電路是高輸入阻抗,而長(zhǎng)波紅外光導(dǎo)探測(cè)器是低阻抗,實(shí)現(xiàn)低阻抗紅外光導(dǎo)探測(cè)器與cmos電路的良好匹配,是目前長(zhǎng)波紅外探測(cè)器高性能成像的關(guān)鍵技術(shù)。文中設(shè)計(jì)了一種能在低溫下工作的低阻抗紅外光導(dǎo)探測(cè)器cmos電路,差分放大器采用正負(fù)電源供電,在輸入級(jí)采用橋式輸入方式,該電路第一級(jí)采用1mω的負(fù)反饋電阻實(shí)現(xiàn)信號(hào)放大,第二級(jí)放大采用正端放大方式,輸入級(jí)、第一級(jí)放大、第二級(jí)放大均采用直接耦合方式。測(cè)試結(jié)果表明,該放大器與長(zhǎng)波紅外低輸入阻抗光導(dǎo)探測(cè)器連接后能正常工作,總放大倍數(shù)大于1萬(wàn)倍,3db帶寬大于4khz,等效輸入電壓噪聲小于1.5μv,有效地解決了低阻抗光導(dǎo)探測(cè)器與高阻cmos電路的匹配問題。

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試論建筑更新的設(shè)計(jì)方法

試論建筑更新的設(shè)計(jì)方法

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試論建筑更新的設(shè)計(jì)方法 4.3

隨著社會(huì)的發(fā)展與人類生存環(huán)境的不斷變遷,逐漸的與建筑的更新發(fā)展結(jié)合成一個(gè)同一體.對(duì)建筑物進(jìn)行分析,使其能夠重新投入到人們的利用上來(lái),更新建筑的設(shè)計(jì)內(nèi)容,對(duì)建筑的再利用的價(jià)值進(jìn)行一個(gè)準(zhǔn)確的評(píng)估,分析建筑物存在的潛在價(jià)值與意義,結(jié)合社會(huì)文化建筑資源的交易機(jī)制,從而使建筑的設(shè)計(jì)多樣化,以滿足社會(huì)生活中的不同需求,從而使建筑的價(jià)值得到提升,使建筑在更新設(shè)計(jì)中得到合理的利用以及有效的保護(hù).

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試論建筑更新的設(shè)計(jì)方法

試論建筑更新的設(shè)計(jì)方法

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試論建筑更新的設(shè)計(jì)方法 4.5

建筑的發(fā)展與社會(huì)的進(jìn)步和變遷構(gòu)成同一體,分析建筑工程的再利用,逐步提高建筑構(gòu)成更新設(shè)計(jì)的相關(guān)內(nèi)容,對(duì)建筑更新利用的價(jià)值進(jìn)行準(zhǔn)確的分析,研究社會(huì)交易文化資源的重要機(jī)制,分析力建筑遺產(chǎn)可能存在的潛在意義,更好的完善建筑多樣化的設(shè)計(jì),迎合社會(huì)的基本服務(wù)需求,提僧建筑工程的利用價(jià)值,確保建筑工程更新作用的有效設(shè)計(jì)和保護(hù)。

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最新5-6CMOS電路匯總

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最新5-6CMOS電路匯總 4.7

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介紹一款LED日光燈電路設(shè)計(jì)方法 介紹一款LED日光燈電路設(shè)計(jì)方法 介紹一款LED日光燈電路設(shè)計(jì)方法

介紹一款LED日光燈電路設(shè)計(jì)方法

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介紹一款LED日光燈電路設(shè)計(jì)方法 4.7

介紹了使用集成電路pt4107設(shè)計(jì)一款高功率因數(shù)led日光燈的基本方法,并給出實(shí)際應(yīng)用參數(shù)。

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新的CMOS混頻器電路設(shè)計(jì)方法最新文檔

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低電壓高增益下變頻混頻器設(shè)計(jì) 低電壓高增益下變頻混頻器設(shè)計(jì) 低電壓高增益下變頻混頻器設(shè)計(jì)

低電壓高增益下變頻混頻器設(shè)計(jì)

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低電壓高增益下變頻混頻器設(shè)計(jì) 4.5

本文設(shè)計(jì)一個(gè)低電壓高增益下變頻混頻器。為了降低電源電壓,本文采用了lc-tank折疊結(jié)構(gòu),同時(shí)為了提高混頻器線性度,采用了開關(guān)對(duì)共源節(jié)點(diǎn)諧振技術(shù)。在低電源電壓和高線性得到保證的情況下,本文用ads2009軟件重點(diǎn)對(duì)混頻器的轉(zhuǎn)換增益進(jìn)行優(yōu)化、仿真,結(jié)果表明:工作電壓1.4v,rf頻率2.5ghz,本振頻率2.25ghz,中頻頻率250mhz,轉(zhuǎn)換增益7.325db,三階交調(diào)點(diǎn)6.203dbm,單邊帶噪聲系數(shù)3.823db,雙邊帶噪聲系數(shù)2.868db,功耗14.028mw,本文所設(shè)計(jì)的混頻器可用于無(wú)線通信領(lǐng)域的電子系統(tǒng)中。

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射頻CMOS電路與設(shè)計(jì)報(bào)告資料

射頻CMOS電路與設(shè)計(jì)報(bào)告資料

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射頻CMOS電路與設(shè)計(jì)報(bào)告資料 4.5

射頻cmos電路分析與設(shè)計(jì) 姓名顏朋飛 學(xué)號(hào)21306021078 班級(jí)13電子班 指導(dǎo)老師陳珍海 2 根據(jù)用途要求,確定 系統(tǒng)總體方案 cmos模擬集成電路設(shè)計(jì)與仿真 一、設(shè)計(jì)原理 ic設(shè)計(jì)與制造的主要流程 3 二、設(shè)計(jì)目的 本實(shí)驗(yàn)是基于微電子技術(shù)應(yīng)用背景和《集成電路原理與設(shè)計(jì)》課程設(shè)置及其特點(diǎn)而設(shè)置, 為ic設(shè)計(jì)性實(shí)驗(yàn)。其目的在于: 根據(jù)實(shí)驗(yàn)任務(wù)要求,綜合運(yùn)用課程所學(xué)知識(shí)自主完成相應(yīng)的模擬集成電路設(shè)計(jì),掌握 基本的ic設(shè)計(jì)技巧。 學(xué)習(xí)并掌握國(guó)際流行的eda仿真軟件cadence的使用方法,并進(jìn)行電路的模擬仿真。 三、設(shè)計(jì)內(nèi)容和功能 1、unix操作系統(tǒng)常用命令的使用,cadenceeda仿真環(huán)境的調(diào)用。 2、設(shè)計(jì)一個(gè)運(yùn)算放大器電路,要求其增益大于40db,相位裕度大于60o,功耗小于10mw。 3

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快速穩(wěn)定的CMOS電荷泵電路的設(shè)計(jì) 快速穩(wěn)定的CMOS電荷泵電路的設(shè)計(jì) 快速穩(wěn)定的CMOS電荷泵電路的設(shè)計(jì)

快速穩(wěn)定的CMOS電荷泵電路的設(shè)計(jì)

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快速穩(wěn)定的CMOS電荷泵電路的設(shè)計(jì) 4.7

基于交叉耦合nmos單元,提出了一種低壓、快速穩(wěn)定的cmos電荷泵電路.一個(gè)二極管連接的nmos管與自舉電容相并聯(lián),對(duì)電路進(jìn)行預(yù)充電,從而改善了電荷泵電路的穩(wěn)定建立特性.pmos串聯(lián)開關(guān)用于將信號(hào)傳輸?shù)较乱患?jí).仿真結(jié)果表明,4級(jí)電荷泵的最大輸出電壓為7.41v,建立時(shí)間為0.85μs.

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新的法蘭螺栓載荷設(shè)計(jì)方法 新的法蘭螺栓載荷設(shè)計(jì)方法 新的法蘭螺栓載荷設(shè)計(jì)方法

新的法蘭螺栓載荷設(shè)計(jì)方法

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新的法蘭螺栓載荷設(shè)計(jì)方法 4.5

新的法蘭螺栓載荷設(shè)計(jì)方法

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一種陀螺電源信號(hào)發(fā)生器新的設(shè)計(jì)方法 一種陀螺電源信號(hào)發(fā)生器新的設(shè)計(jì)方法 一種陀螺電源信號(hào)發(fā)生器新的設(shè)計(jì)方法

一種陀螺電源信號(hào)發(fā)生器新的設(shè)計(jì)方法

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一種陀螺電源信號(hào)發(fā)生器新的設(shè)計(jì)方法 4.4

本文介紹了陀螺電源信號(hào)發(fā)生器的基本原理,闡述了國(guó)內(nèi)外有關(guān)陀螺信號(hào)發(fā)生器設(shè)計(jì)的基本方法,基于可編程邏輯器件(cpld)設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了陀螺信號(hào)發(fā)生裝置,并給出了仿真及實(shí)驗(yàn)波形。

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一種新的GCT門-陰極圖形的設(shè)計(jì)方法 一種新的GCT門-陰極圖形的設(shè)計(jì)方法 一種新的GCT門-陰極圖形的設(shè)計(jì)方法

一種新的GCT門-陰極圖形的設(shè)計(jì)方法

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一種新的GCT門-陰極圖形的設(shè)計(jì)方法 4.4

在分析門極可關(guān)斷晶閘管(gto)和門極換流晶閘管(gct)門-陰極結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上,依據(jù)gct關(guān)斷時(shí)的換流機(jī)理,提出了一種新的gct門-陰極圖形的設(shè)計(jì)方法.與現(xiàn)有的gct門-陰極圖形相比,用該方法設(shè)計(jì)的門-陰極圖形,在保證開關(guān)過程中電流均勻分布的前提下,可增加gct的有效陰極面積,減小熱阻,并提高電流容量.

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納米/CMOS電路單元的快速映射 納米/CMOS電路單元的快速映射 納米/CMOS電路單元的快速映射

納米/CMOS電路單元的快速映射

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納米/CMOS電路單元的快速映射 4.6

針對(duì)納米/cmos混合電路(cmol)單元映射問題,提出一種基于混合遺傳算法的映射算法.將任意布爾電路轉(zhuǎn)換為適于cmol映射的基于或非門的電路,讀入該電路進(jìn)行染色體編碼,形成初始種群;每一代種群經(jīng)過二維交叉算子、變異算子進(jìn)行解空間全局搜索,并引入模擬退火算法進(jìn)行局部搜索使種群個(gè)體得以改進(jìn).對(duì)iscas和mcnc標(biāo)準(zhǔn)電路的實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,采用該算法進(jìn)行求解不僅使電路面積小、時(shí)延短,且具有求解速度快、能處理規(guī)模較大電路的特點(diǎn).

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高線性低變頻損耗短波超寬帶混頻器設(shè)計(jì) 高線性低變頻損耗短波超寬帶混頻器設(shè)計(jì) 高線性低變頻損耗短波超寬帶混頻器設(shè)計(jì)

高線性低變頻損耗短波超寬帶混頻器設(shè)計(jì)

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高線性低變頻損耗短波超寬帶混頻器設(shè)計(jì) 4.5

采用雙平衡場(chǎng)效應(yīng)管管堆和巴倫設(shè)計(jì)了一款適用于短波超寬帶接收機(jī)的高線性低變頻損耗混頻器。巴倫由射頻鐵氧體傳輸線變壓器實(shí)現(xiàn),插入損耗小,工作頻帶寬。該混頻器射頻輸入頻率為0.3~70mhz,覆蓋7.8個(gè)倍頻程,本振輸入頻率為40.755~110.455mhz,中頻輸出為40.455mhz。測(cè)試結(jié)果表明,混頻器最佳本振功率在17dbm左右,變頻損耗5db左右,輸入三階截點(diǎn)高于34dbm,本振-中頻隔離度大于30db,本振-射頻隔離度大于50db。

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CMOS光接收機(jī)前端放大電路 CMOS光接收機(jī)前端放大電路 CMOS光接收機(jī)前端放大電路

CMOS光接收機(jī)前端放大電路

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CMOS光接收機(jī)前端放大電路 4.6

利用smic0.18μmcmos工藝設(shè)計(jì)了光接收機(jī)前端放大電路.在前置放大器中,設(shè)計(jì)了一種高增益有源反饋跨阻放大器,并且可以使輸出共模電平在較大范圍內(nèi)調(diào)解.在限幅放大器中,通過在改進(jìn)的cherry-hooper結(jié)構(gòu)里引入有源電感負(fù)反饋來(lái)進(jìn)一步擴(kuò)展帶寬.整個(gè)前端放大電路具有較高的靈敏度和較寬的輸入動(dòng)態(tài)范圍.hspice仿真結(jié)果表明該電路具有119db的中頻跨阻增益,2.02ghz的帶寬,對(duì)于輸入電流幅度從1.4μa到170μa變化時(shí),50ω負(fù)載線上的輸出電壓限幅在320mv(v_(pp)),輸出眼圖穩(wěn)定清晰.核心電路靜態(tài)功耗為45.431mw.

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建筑物的綜合防火設(shè)計(jì)方法:一種新的防火設(shè)計(jì)方法 建筑物的綜合防火設(shè)計(jì)方法:一種新的防火設(shè)計(jì)方法 建筑物的綜合防火設(shè)計(jì)方法:一種新的防火設(shè)計(jì)方法

建筑物的綜合防火設(shè)計(jì)方法:一種新的防火設(shè)計(jì)方法

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建筑物的綜合防火設(shè)計(jì)方法:一種新的防火設(shè)計(jì)方法 4.3

建筑物的綜合防火設(shè)計(jì)方法:一種新的防火設(shè)計(jì)方法

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