一種新型諧振腔增強(qiáng)型光電探測器的性能分析
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通過理論探討和實驗仿真,分析了一種新型諧振腔增強(qiáng)型光電探測器RCEP(Resonant Cavity Enhanced Photodetector)的結(jié)構(gòu)及性能,該RCEP的基本結(jié)構(gòu)是將吸收層插入到諧振腔當(dāng)中,并指出這種新型器件較傳統(tǒng)器件可獲得較高的量子效率和響應(yīng)速度,而其具有的波長選擇特性,使這種新型器件可在光波分復(fù)用WDM(Wavelength Division Multiplexing)系統(tǒng)中獲得廣泛應(yīng)用。
帶有Bragg反射鏡的諧振腔增強(qiáng)型Si光電探測器
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采用電子束蒸發(fā)和鍵合技術(shù),制作了具有高反射率的、表面為薄層單晶si的分布bragg反射器。用標(biāo)準(zhǔn)光刻工藝在單晶si薄層上制作出窄帶諧振腔增強(qiáng)型(rce)金屬-半導(dǎo)體-金屬(msm)光電探測器,響應(yīng)峰值波長分別在836、900、965和1030nm處,其中在900nm處峰值半高寬為18nm。該器件具有波長選擇特性,可有效抑制相鄰頻道間的串?dāng)_,而且容易制成集成面陣。
InGaAsPIN光電探測器
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shine-youtechnologyco.,ltd addr:3f,bld.5,shangshainnovativescience&techpark,futian,shenzhen,china,518048 tel:+86-755-29812573email:info@shine-you.comhttp://www.***.*** 微型封裝(minican)ingaaspin光電探測器 特點: 微型封裝,封裝尺寸≤2.41mm 高響應(yīng) 工作電壓5v 超低暗電流 單針腳密封 工作溫度-40~+85℃ 應(yīng)用: 光纖通信 數(shù)據(jù)/圖像傳輸 光纖傳感 光測量儀器儀表 最大額定值: 工作溫度(℃)-40~+125 存儲溫度(℃)-50~+125 正向電流(ma)4/8 反向電壓(v)≥
光電探測器及應(yīng)用
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要正確選擇光電探測器,首先要對探測器的原理和參數(shù)有所了解。 1.光電探測器 光電二極管和普通二極管一樣,也是由pn結(jié)構(gòu)成的半導(dǎo)體,也具有單方向?qū)щ娦裕?但是在電路中它不作為整流元件,而是把光信號轉(zhuǎn)變?yōu)殡娦盘柕墓怆妭鞲衅骷?普通二極管在反向電壓工作時處于截止?fàn)顟B(tài),只能流過微弱的反向電流,光電二極 管在設(shè)計和制作時盡量使pn結(jié)的面積相較大,以便接收入射光。光電二極管在反向電壓工 作下的,沒有光照時,反向電流極其微弱,叫暗電流;有光照時,反向電流迅速增加到幾十 微安,稱為光電流。光的強(qiáng)度越大,反向電流也越大。光的變化引起光電二極管電流變化, 這就可以把光信號轉(zhuǎn)換為電信號,稱為光電傳感器件。 2.紅外探測器 光電探測器的應(yīng)用大多集中在紅外波段,關(guān)于選擇紅外波段的原因在這里就不再冗 余了,需要特別指出的是60年代激光的出現(xiàn)極大地影響了紅外技術(shù)的發(fā)展,很多重要的激 光器件都在紅外波段,
肖特基型氮化鎵紫外光電探測器性能
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最小標(biāo)準(zhǔn)模型(msm)結(jié)構(gòu)的光電探測器主要分為光導(dǎo)型和肖特基型兩種。制備得到了肖特基型的氮化鎵(gan)msm結(jié)構(gòu)紫外光電探測器,采用這種結(jié)構(gòu)的器件主要是因為其暗電流低、響應(yīng)時間快、響應(yīng)度大、寄生電容小等優(yōu)點。msm形狀的叉指電極是通過傳統(tǒng)的紫外光刻和濕法刻蝕得到的,并采用au作為金屬電極。得到的肖特基型gan紫外光電探測器的暗電流在1v偏壓下為3.5na,器件在1v偏壓下的最大響應(yīng)度值出現(xiàn)在362nm處,大小為0.12a/w,器件的上升時間小于10ns,下降時間為210ns。并對器件響應(yīng)時間的影響因素進(jìn)行了深入的分析。
增強(qiáng)型纜式線型感溫探測器
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**資訊http://www.***.***
高穩(wěn)定線性調(diào)諧GaAs基波長可調(diào)諧共振腔增強(qiáng)型探測器
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研制了一種gaas基波長可調(diào)諧共振腔增強(qiáng)型探測器.采用分子束外延設(shè)備生長in_(0.25)ga_(0.75)as/gaas量子阱作為器件的有源區(qū),無偏壓時器件的響應(yīng)峰波長在1071nm,器件在21v的直流調(diào)諧電壓下,實現(xiàn)了波長大于23nm的調(diào)諧.統(tǒng)計結(jié)果表明,當(dāng)調(diào)諧電壓大于5v時,調(diào)諧電壓與響應(yīng)波長之間具有穩(wěn)定、精確的對應(yīng)關(guān)系,且近似線性調(diào)諧,同時對器件響應(yīng)峰的特性進(jìn)行了理論分析.
4-3光電探測器的放大電路
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4-3光電探測器的放大電路
紅外光電探測器的設(shè)計
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4.3
紅外光電探測器的設(shè)計
光電探測器件-光電子探測成像器件的設(shè)計
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光電探測器件-光電子探測成像器件的設(shè)計
第二章光電探測器1.
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第二章光電探測器1.
國外紅外光電探測器發(fā)展動態(tài)
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4.3
主要綜述三代紅外光電探測器的材料體系與研究現(xiàn)狀,以及分析紅外光電探測器的未來發(fā)展趨勢。首先,簡述紅外光電探測器及其三個發(fā)展階段。然后,論述適于三代紅外光電探測器發(fā)展的碲鎘汞(hgcdte)、量子阱光探測(qwips,quantum-wellphotodetectors)、二類應(yīng)變超晶格(sls,type-ⅱstrained-layersuperlattices)和量子點紅外光探測(qdips,quantumdotirphotodetectors)四個材料體系,以及介紹它們在三代紅外光電探測器方面的研究進(jìn)展。最后,分析未來紅外光電探測器的材料選擇及發(fā)展趨勢。
可作為光譜儀器定標(biāo)基準(zhǔn)源的新型光電探測器
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4.5
為了給航天儀器提供一個長期實時的絕對標(biāo)準(zhǔn),解決航天儀器測量絕對精度低并且長期穩(wěn)定性下降的問題,介紹了一種采用微機(jī)械技術(shù)把絕對輻射計微型化的新型光電探測器,把它作為定標(biāo)基準(zhǔn)源引入光譜儀定標(biāo)系統(tǒng)。通過分析計算,給出了這種可作為定標(biāo)基準(zhǔn)源的微型化絕對輻射計esr的各項具體設(shè)計參數(shù),理論分析證明設(shè)計是可行的,目前正處于實現(xiàn)階段,該新型光電探測器的研制成功將使我國航天儀器的絕對定標(biāo)精度提高一個量級。
光電探測器陣列型激光告警系統(tǒng)信號分選與碼型識別算法的設(shè)計
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4.5
針對光電探測器陣列型告警系統(tǒng)的體制特點,在分析已知編碼規(guī)律的基礎(chǔ)上,提出了一種基于激光脈沖到達(dá)時間的綜合信號分選和碼型識別算法。通過對該算法采用c++語言進(jìn)行仿真表明:該算法具有處理速度快、精度高的特點,能顯著提高系統(tǒng)的信號分選和碼型識別能力。
智能光電探測器線性測量系統(tǒng)的研究
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闡述了光電探頭線性測量原理和方法,提出了基于雙光源疊加法,利用積分球混光完成輻照度疊加,測量了超高亮led隨內(nèi)部電流變化的光譜特性,測量結(jié)果證明:輻照光源使用超高亮led的可行性。設(shè)計中以計算機(jī)編程自動控制實現(xiàn)智能化和自動化完成光電探測器的線性測量為宗旨,對系統(tǒng)的各部分結(jié)構(gòu)、原理、特點及創(chuàng)新性進(jìn)行分析。討論了測量系統(tǒng)的不確定度來源與處理方法。對硅光電探頭進(jìn)行多次線性測量,重復(fù)精度優(yōu)于±0.5%,測量結(jié)果證明:該系統(tǒng)設(shè)計自動化程度和精度較高,可以作為光電探測器線性測量裝置。
紅外光電探測器系統(tǒng)電路設(shè)計
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4.6
基于紅外發(fā)光二極管hg505和光敏三極管3du5,設(shè)計了紅外光電探測系統(tǒng)電路。該系統(tǒng)中傳感器部分,紅外信號采用單音脈沖方式發(fā)射、采用濾波和選通方法接收,增強(qiáng)了探測系統(tǒng)在工作時的抗干擾能力,適用于距離探測。
硅基650nm增強(qiáng)型光電探測器
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4.5
通過在硅pin結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上進(jìn)行改進(jìn),采用硅p+pin結(jié)構(gòu),研制出650nm增強(qiáng)型光電探測器。詳細(xì)介紹了器件結(jié)構(gòu)設(shè)計和制作工藝。對器件響應(yīng)度、暗電流和響應(yīng)速度等參數(shù)進(jìn)行計算與分析。實驗結(jié)果表明,器件響應(yīng)度達(dá)0.448a/w(λ=650nm),暗電流達(dá)到0.1na(vr=10v),上升時間達(dá)到3.2ns。
光學(xué)吸收性能增強(qiáng)20倍的SOI型光電探測器
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4.4
增加一層單層的納米級微粒,就能顯著地改變物質(zhì)結(jié)構(gòu)的光學(xué)性質(zhì)。最近我們提供了一個實際例子:在薄薄的硅在絕緣層上(soi)的光電探測器上,增加一層納米微粒的銀(ag)層,其光學(xué)吸收能力(吸收波長λ≈800nm)會增加大約20倍。圖1上部表示soi樣品的幾何圖形以及納米微粒層的一張掃描電子顯微鏡(sem)成像圖,微粒的平均直徑d=108nm。這種光電探測器是由一個p-n結(jié)所組成的,而
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職位:暖通空調(diào)工程師
擅長專業(yè):土建 安裝 裝飾 市政 園林