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高電壓技術(shù)課后習(xí)題答案詳解

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高電壓重點(diǎn)復(fù)習(xí)考點(diǎn)和課后部 分答案 1-1 氣體放電過程中產(chǎn)生帶電質(zhì)點(diǎn)最重要的方式是什么，為什么？ 答: 碰撞電離是氣體放電過程中產(chǎn)生帶電質(zhì)點(diǎn)最重要的方式。 這是因?yàn)殡娮芋w積小， 其自由行程 (兩次碰撞間質(zhì)點(diǎn)經(jīng)過的距離 )比離子大得 多，所以在電場中獲得的動能比離子大得多。 其次．由于電子的質(zhì)量遠(yuǎn)小于原子 或分子，因此當(dāng)電子的動能不足以使中性質(zhì)點(diǎn)電離時， 電子會遭到彈射而幾乎不 損失其動能；而離子因其質(zhì)量與被碰撞的中性質(zhì)點(diǎn)相近， 每次碰撞都會使其速度 減小，影響其動能的積累。 1-2 簡要論述湯遜放電理論。 答: 設(shè)外界光電離因素在陰極表面產(chǎn)生了一個自由電子， 此電子到達(dá)陽極表 面時由于 過程，電子總數(shù)增至 de 個。假設(shè)每次電離撞出一個正離子，故電極 空間共有（ de －1）個正離子。這些正離子在電場作用下向陰極運(yùn)動，并撞擊陰 極．按照系數(shù) 的定義，此（ d e －1）個正離子在到達(dá)陰極

(完整版)高電壓絕緣技術(shù)課后習(xí)題答案

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第一章 1.計(jì)算同軸圓柱電極的不均勻系數(shù) f，其中內(nèi)導(dǎo)體外直徑為 100 mm，外殼的內(nèi)直徑為 320 mm。 解： d R r , av U E d , max ln U E Rr r max lnav d E rf r dE r 其中 R=160mm，r=50mm。代入上式可得 f=1.89<2，所以此時電場是稍不均勻的。 2. 離地高度 10m 處懸掛單根直徑 3cm導(dǎo)線，導(dǎo)線上施加有效值 63.5kV 工頻交流電壓，請計(jì)算導(dǎo)線表面最大場強(qiáng)。若將該導(dǎo)線 更換為水平布置的雙分裂導(dǎo)線，兩導(dǎo)線總截面積保持與單根導(dǎo)線一致，線間距離 30cm，請重新計(jì)算導(dǎo)線表面最大場強(qiáng)。 解： 1)：等效成圓柱—板電極：由課本 P9頁可查的公式為 max 0.9 ln U E r dr r ， 其中 U=63.5kV ，d=10m，r=1.5cm。代入上式可得： max 5.858 /E kV cm 。 2）

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