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更新時間：2024.12.22
摻Eu(DBM)_3phen的PE膜的發(fā)光性能研究

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頁數(shù)： 2頁

制備了含稀土配合物Eu(DBM)_3phen的PE熒光膜,研究了膜的紫外吸收光譜和熒光光譜,并與配合物在丙酮溶劑中的光譜作了對比。結(jié)果發(fā)現(xiàn)Eu(DBM)_3phen在PE膜中的紫外吸收光譜發(fā)生了紅移,熒光發(fā)射譜變寬,常溫下配合物及其PE膜在紫外光下發(fā)出強(qiáng)的紅光,主要是Eu~(3+)的~5DO→~7F_2的躍遷。

低柵極電壓控制下帶有phenyltrimethoxysilane單分子自組裝層的有機(jī)薄膜晶體管場效應(yīng)特性研究

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頁數(shù)： 7頁

制作了底柵極頂接觸有機(jī)薄膜晶體管器件,60 nm的pentacene被用作有源層,120 nm熱生長的SiO2作為柵極絕緣層.通過采用不同自組裝修飾材料對器件的有源層與柵極絕緣層之間的界面進(jìn)行修飾,如octadecyltrichlorosilane(OTS),phenyltrimethoxysilane(PhTMS),來比較界面修飾層對器件性能的影響.同時對帶有PhTMS修飾層的OTFTs器件低柵極電壓調(diào)制下的場效應(yīng)行為及其載流子的傳輸機(jī)理進(jìn)行研究.結(jié)果得到,當(dāng)|VGS|<0.1 V時,載流子在如此小的柵極電壓調(diào)制下已經(jīng)不能過多在半導(dǎo)體有源層與柵極絕緣層之間的界面處積聚,使OTFTs器件的輸出電流保持相對的平衡.但是,器件的調(diào)制柵壓在-0.001V時,器件仍然有好的輸出特性,當(dāng)VDS為-20 V時,器件的場效應(yīng)遷移率為3.22×10-3cm2/Vs,開關(guān)電流比為1.43×102,閾值電壓為0.66 V.

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