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更新時間:2025.03.15
電光組合開關(guān)控制單元原理圖

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電光組合開關(guān)控制單元原理圖

大功率RSD開關(guān)多單元并聯(lián)技術(shù)

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為通過研究多單元并聯(lián)技術(shù)來增大脈沖功率開關(guān)RSD(reversely switched dynistor)的功率容量,基于RSD的等離子體雙極漂移模型,建立主回路和預(yù)充回路的RLC方程,采用四階龍格-庫塔方法迭代計算,得到兩支路并聯(lián)的RSD電流曲線。在一定的仿真條件下,RSD器件參數(shù)不同和支路電阻不同引起的電流不平衡率分別為3.56%和19.82%。在RSD并聯(lián)實驗中,內(nèi)阻1.642mΩ的分流器和非對稱連接引起的電流不平衡率分別為12.82%和20.71%。在3000μF主電容、2kV主電壓下對并聯(lián)的兩個直徑45mm的RSD堆體進行了大電流開通實驗,得到了330μs脈寬下32.7kA的峰值電流。仿真和實驗結(jié)果均表明,在高功率電流的快速開通機制中并聯(lián)支路分流大小主要由回路參數(shù)決定,受RSD動態(tài)電阻影響很小。

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