造價(jià)通
更新時(shí)間：2025.06.07
中壓斷路器發(fā)展趨緩負(fù)荷開(kāi)關(guān)等其它主開(kāi)關(guān)元件需求上升

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長(zhǎng)期以來(lái),我國(guó)中壓開(kāi)關(guān)柜和控制柜所配用的主開(kāi)關(guān)元件都為斷路器所壟斷,因此有些人對(duì)近年來(lái)行業(yè)內(nèi)負(fù)荷開(kāi)關(guān)柜熱、三工位SF6負(fù)荷開(kāi)關(guān)熱難以理解,對(duì)2004年出版的高壓開(kāi)關(guān)行業(yè)年鑒預(yù)測(cè)未來(lái)中壓斷路器發(fā)展持平或略有下降,負(fù)荷開(kāi)關(guān)等其它主開(kāi)關(guān)元件會(huì)繼續(xù)上升不理解。這涉及到對(duì)主開(kāi)關(guān)元件的裝備政策變化不夠理解。中壓開(kāi)關(guān)電器裝備政策是多方面,如無(wú)油化、組合化、復(fù)合化、集裝化,智能化等等。本文主要探討主開(kāi)關(guān)元件的裝備政策演變及其發(fā)展趨勢(shì),僅供參考。

新型MOSFET滿足高速開(kāi)關(guān)等三大關(guān)鍵性能

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新型 MOSFET 滿足高速開(kāi)關(guān)等三大關(guān)鍵性能 現(xiàn)在人們關(guān)注 “平板電視 ”和“太陽(yáng)能電池 ”，這兩個(gè)領(lǐng)域都注重環(huán)保理念， 需要進(jìn)行低損耗、高效率的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)。 在 LCD-TV 領(lǐng)域，為了減小電壓轉(zhuǎn)換 時(shí)的電力損耗和顯示屏電力損耗，已經(jīng)采用了 “直流變頻方式 ”這種新的電源方 式。這是一種將通常進(jìn)行 AC/DC 轉(zhuǎn)換降壓后聯(lián)接變頻電路的地方從 PFC 直接 輸入電壓通過(guò)高耐壓 MOSFET 使其進(jìn)行變頻動(dòng)作的電路方式。 在太陽(yáng)能電池 的領(lǐng)域里，將太陽(yáng)光的能量轉(zhuǎn)變成 DC 電壓之后，在轉(zhuǎn)換到商業(yè)用 AC 線路時(shí) 的變頻電路中使用了高耐壓設(shè)備以減小電能損耗。 在這兩個(gè)領(lǐng)域中，對(duì)高耐 壓 MOSFET 有更新的性能要求：低導(dǎo)通電阻，給高速開(kāi)關(guān)配置高速 Trr(反向恢 復(fù)時(shí)間 )。 用于平板電視的直流變頻方式的 MOSFET ，由于開(kāi)關(guān)頻率約為 60KHz，與電機(jī)等相比較快，所以開(kāi)關(guān)時(shí)的電能損耗受

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