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更新時間:2025.04.27
基于單分子層去除機理的芯片化學(xué)機械拋光材料去除模型

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頁數(shù): 5頁

基于單分子層材料的去除機理,應(yīng)用微觀接觸力學(xué)和概率統(tǒng)計方法建立了化學(xué)機械拋光(CMP)及材料去除的數(shù)學(xué)物理模型.模型揭示了材料的去除率和磨粒的大小、濃度呈非線性關(guān)系,而且模型預(yù)測結(jié)果與已有的試驗數(shù)據(jù)相吻合,為進一步研究磨粒對CMP材料去除的影響提供了新的研究視角.

基于單分子層去除機理的芯片化學(xué)機械拋光材料去除模型

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基于單分子層材料的去除機理,應(yīng)用微觀接觸力學(xué)和概率統(tǒng)計方法建立了化學(xué)機械拋光(CMP)及材料去除的數(shù)學(xué)物理模型.模型揭示了材料的去除率和磨粒的大小、濃度呈非線性關(guān)系,而且模型預(yù)測結(jié)果與已有的試驗數(shù)據(jù)相吻合,為進一步研究磨粒對CMP材料去除的影響提供了新的研究視角.

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