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更新時(shí)間:2025.06.08
基于單分子層去除機(jī)理的芯片化學(xué)機(jī)械拋光材料去除模型

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基于單分子層材料的去除機(jī)理,應(yīng)用微觀接觸力學(xué)和概率統(tǒng)計(jì)方法建立了化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)及材料去除的數(shù)學(xué)物理模型.模型揭示了材料的去除率和磨粒的大小、濃度呈非線性關(guān)系,而且模型預(yù)測(cè)結(jié)果與已有的試驗(yàn)數(shù)據(jù)相吻合,為進(jìn)一步研究磨粒對(duì)CMP材料去除的影響提供了新的研究視角.

基于單分子層去除機(jī)理的芯片化學(xué)機(jī)械拋光材料去除模型

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基于單分子層材料的去除機(jī)理,應(yīng)用微觀接觸力學(xué)和概率統(tǒng)計(jì)方法建立了化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)及材料去除的數(shù)學(xué)物理模型.模型揭示了材料的去除率和磨粒的大小、濃度呈非線性關(guān)系,而且模型預(yù)測(cè)結(jié)果與已有的試驗(yàn)數(shù)據(jù)相吻合,為進(jìn)一步研究磨粒對(duì)CMP材料去除的影響提供了新的研究視角.

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