造價通
更新時間:2024.12.28
低DO協(xié)同負(fù)荷引發(fā)的黏性膨脹和絲狀菌膨脹

格式:pdf

大小:1.5MB

頁數(shù): 7頁

為了研究低DO下負(fù)荷對污泥膨脹的影響,采用SBR反應(yīng)器,在DO<0.5 mg.L-1,pH 7.2~8.0,溫度(23±0.5)℃,MLSS 3000~3500 mg.L-1,負(fù)荷分別為0.22、0.44、0.66 g COD.(g MLSS)-1.d-1的條件下,研究不同負(fù)荷下的SVI變化趨勢、污泥膨脹類型、引發(fā)原因、耗氧速率、脫氮除磷效果與同步硝化反硝化率。結(jié)果顯示,低DO下(<0.5 mg.L-1),負(fù)荷0.22 g COD.(g MLSS)-1.d-1時未發(fā)生污泥膨脹,隨著負(fù)荷升高,污泥沉降性惡化加快。并且不同負(fù)荷引發(fā)的污泥膨脹類型不同,在負(fù)荷0.66 g COD.(g MLSS)-1.d-1時發(fā)生黏性膨脹,而負(fù)荷0.44 g COD.(g MLSS)-1.d-1時發(fā)生絲狀菌微膨脹。黏性膨脹時出水氨氮及磷去除效果變差,但絲狀菌膨脹時出水水質(zhì)并沒有受到影響,且比吸磷速率更快,出水SS更低。未發(fā)生污泥膨脹時同步硝化反硝化率最大,絲狀菌膨脹時次之,黏性膨脹時最小。SOUR過高時,很可能伴隨著污泥沉降性變差和出水水質(zhì)惡化。

中、大功率塑封晶體管采用絲狀Pb-In-Ag合金作粘接材料

格式:pdf

大?。?span class="single-tag-height">182KB

頁數(shù):

中、大功率晶體管生產(chǎn)中,晶體管芯片與框架的粘接質(zhì)量是決定晶體管性能的關(guān)鍵之一。可以說,晶體管芯片制成后,芯片與框架的粘接質(zhì)量是晶體管成品質(zhì)量的決定性因素。目前,對于中、大功率晶體管均采用錫基或鉛基合金作粘片材料,而且都是將合金制成薄帶狀。這種帶狀合金有利于自動化程度較高的粘片機(jī)使用,而且對每個晶體管的合金用量基本一致。

熱門知識

絲狀腐蝕

精華知識

絲狀腐蝕

最新知識

絲狀腐蝕
點擊加載更多>>

相關(guān)問答

絲狀腐蝕
點擊加載更多>>
專題概述
絲狀腐蝕相關(guān)專題

分類檢索: