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高性能碳化硅陶瓷的工程應(yīng)用 作者： 高積強(qiáng)， 喬冠軍， 金志浩 作者單位： 西安交通大學(xué)西安天健工程陶瓷有限公司,710049 本文鏈接： http://d.g.wanfangdata.com.cn/Conference_6265561.aspx
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碳化硅多孔陶瓷的制備研究 材料學(xué)院 090201班 孫欽巍 20090533 摘 要:采用氣固相合成的方法制備出比表面積可達(dá) 260 m2·g-1 的多孔 SiC 顆 粒。對(duì)制備溫度、時(shí)間進(jìn)行了考察。將多孔 SiC 負(fù)載 Co催化劑用于費(fèi)托合成反 應(yīng)發(fā)現(xiàn) ,由于 SiC的化學(xué)惰性較強(qiáng) ,金屬與載體間的相互作用較弱 ,有利于鈷氧化物 的還原 ,提高了催化劑活性。 同時(shí) SiC熱導(dǎo)性好 ,有利于反應(yīng)熱量的及時(shí)移出 ,可防 止催化劑燒結(jié)。 CO單程轉(zhuǎn)化率超過 60%,表現(xiàn)出良好的催化活性。 制備出的多孔 碳化硅通過 XRD、SEM、低溫氮?dú)馕健?TPR等手段進(jìn)行了表征。 關(guān)鍵詞 :高比表面積催化劑載體 ;碳化硅 ;費(fèi)托合成 Preparation and application of a novel porous silicon carbide catalyst support Abstr
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