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采用改進化學汽相沉積(MCVD)與溶液摻雜結合的方法探討了摻鉍石英光纖預制棒的制備工藝,研制了具有紅外寬帶發(fā)光特性的摻鉍SiO2-Al2O3-GeO2光纖。研究了不同摻鍺濃度與氧氣濃度條件下制備的預制棒的光譜特性。摻鉍預制棒切片在532nm和808nm光激發(fā)下,產生中心波長為1146nm,半峰全寬為204nm與中心波長為1281nm,半峰全寬為250nm的近紅外發(fā)光。拉制的光纖在808nm光激發(fā)下,產生了中心波長為1265nm,半峰全寬為280nm的近紅外發(fā)光;在976nm光激發(fā)下,觀察到光纖產生中心波長為1125nm,半峰全寬為460nm的超寬帶近紅外發(fā)光。光纖與預制棒的發(fā)光存在明顯差異。通過控制預制棒制備工藝可以使鉍摻雜光纖的發(fā)光滿足實用的需要。