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更新時(shí)間：2025.01.05
微電子科學(xué)技術(shù)和集成電路產(chǎn)業(yè) 第六章 對(duì)發(fā)展我國集成電路產(chǎn)業(yè)和微電子科學(xué)技術(shù)戰(zhàn)略措施的六點(diǎn)建議

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發(fā)展我國集成電路的措施歸納起來主要是兩句話:一是產(chǎn)業(yè)群的建設(shè)——集成電路產(chǎn)業(yè)在中國,主要靠機(jī)制創(chuàng)新、優(yōu)惠政策和投資環(huán)境建設(shè);二是核心競爭力的提高——建設(shè)中國的集成電路產(chǎn)業(yè),關(guān)鍵在發(fā)展自己的知識(shí)產(chǎn)權(quán)。科學(xué)研究和人才培養(yǎng)主要靠國家的集中投入。具體的措施包括以下六個(gè)方面:1.優(yōu)先發(fā)展設(shè)計(jì)業(yè),大力開發(fā)集成電路產(chǎn)品,把設(shè)計(jì)業(yè)建設(shè)成為高效益、高效率的規(guī)模

東南大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院考研復(fù)習(xí)大綱

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《電子技術(shù)基礎(chǔ)》 考試大綱 一、電子電路基礎(chǔ)部分： 第一章半導(dǎo)體器件概述 1． 熟悉二極管、三極管、場效應(yīng)管的伏安特性、開關(guān)特性。 2． 熟悉二極管、三極管、場效應(yīng)管及理想運(yùn)放的主要參數(shù)，包括靜態(tài) 參數(shù)、動(dòng)態(tài)參數(shù)和極限參數(shù)。 3．掌握三極管、場效應(yīng)管的微變等效電路模型及理想運(yùn)放的電路模型。 第二章基本運(yùn)算電路 1． 掌握 TTL與非門電路原理、分析其電壓傳輸特性和主要參數(shù)，熟悉 其它形式的 TTL與非門電路。 2．熟悉 CMOS門電路的電壓傳輸特性、 特點(diǎn)及參數(shù)，掌握 CMOS傳輸門。 3． 掌握理想運(yùn)放組成的基本線性運(yùn)算電路，包括比例、求和、微分、 積分、對(duì)數(shù)運(yùn)算等。 第三章基本放大電路 1． 掌握三極管、場效應(yīng)管的基本偏置方法，包括分壓式偏置、電流源 偏置，了解其它偏置方式。 2． 掌握共基、共射、共集、共源、共漏五種基本組態(tài)放大電路的靜態(tài) 及動(dòng)態(tài)分析計(jì)算方法。 3． 了解基本放大電路

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