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更新時間:2025.05.17
關(guān)于LED單燈正向電壓V_F不良的探討

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文章基于LED芯片和LED單燈的工作原理和制程工藝,探討了LED芯片封裝以后正向電壓VF升高和降低的常見原因,并提出了改善措施。對于GaN基雙電極芯片,由于芯片工藝制程或后續(xù)封裝工藝因素,造成芯片表面鍍層(ITO或Ni/Au)與P-GaN外延層之間的結(jié)合被破壞,歐姆接觸電阻變大。對于GaAs基單電極芯片,由于封裝材料和工藝因素,導致芯片背金(N-electrode)與銀膠,或銀膠與支架之間的接觸電阻變大,從而LED正向電壓VF升高。LED正向電壓VF降低最常見的原因為芯片PN結(jié)被ESD或外界大電流損傷或軟擊穿,反向漏電過大,失去了二極管固有的I-V特性。

導井正向擴掘法在長井施工中的應(yīng)用

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在長井施工過程中,由于距離較長,作業(yè)條件有限,傳統(tǒng)人工鑿巖工藝存在較大的安全隱患,且施工效率較低。利用反井鉆機在礦山應(yīng)用的成熟經(jīng)驗,與傳統(tǒng)人工正掘天井施工工藝相結(jié)合,提出以反井鉆機施工導井+人工正向擴掘的施工工藝,經(jīng)工程實踐取得了很好的效率和效果,聯(lián)合工藝具有廣闊的推廣應(yīng)用前景。

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