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更新時(shí)間:2024.12.28
BIM正向設(shè)計(jì)在建筑設(shè)計(jì)階段的實(shí)踐探索

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BIM技術(shù)作為建筑設(shè)計(jì)信息的三維可視化模型載體,其在建筑數(shù)字描述中得以廣泛應(yīng)用。通過BIM技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)在電子模型中存儲(chǔ)完整的建筑信息內(nèi)容,實(shí)現(xiàn)建筑設(shè)計(jì)的創(chuàng)新發(fā)展。特別是近年來隨著BIM技術(shù)的完善提高,BIM技術(shù)可以在不同專業(yè)和部門之間實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)共享等功能,建筑師、工程師及業(yè)主等均能夠共享相同的數(shù)字設(shè)計(jì)信息,應(yīng)用相同的可視化數(shù)字模型,貫穿設(shè)計(jì)、施工、算量、運(yùn)維等建筑全生命周期整個(gè)過程。而BIM技術(shù)在建筑設(shè)計(jì)階段的全專業(yè)三維協(xié)同正向設(shè)計(jì)應(yīng)用能夠有效提高建筑設(shè)計(jì)質(zhì)量,避免二維時(shí)代的設(shè)計(jì)死角,減少錯(cuò)漏碰缺,也能夠在管線綜合設(shè)計(jì)時(shí)更為高效直觀地反饋設(shè)計(jì)成果。

關(guān)于LED單燈正向電壓V_F不良的探討

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文章基于LED芯片和LED單燈的工作原理和制程工藝,探討了LED芯片封裝以后正向電壓VF升高和降低的常見原因,并提出了改善措施。對(duì)于GaN基雙電極芯片,由于芯片工藝制程或后續(xù)封裝工藝因素,造成芯片表面鍍層(ITO或Ni/Au)與P-GaN外延層之間的結(jié)合被破壞,歐姆接觸電阻變大。對(duì)于GaAs基單電極芯片,由于封裝材料和工藝因素,導(dǎo)致芯片背金(N-electrode)與銀膠,或銀膠與支架之間的接觸電阻變大,從而LED正向電壓VF升高。LED正向電壓VF降低最常見的原因?yàn)樾酒琍N結(jié)被ESD或外界大電流損傷或軟擊穿,反向漏電過大,失去了二極管固有的I-V特性。

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