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更新時(shí)間：2025.05.31
基于覆銅箔層壓板的無(wú)源集成EMI濾波器設(shè)計(jì)

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一種基于CCL交錯(cuò)并聯(lián)的平面無(wú)源集成EMI濾波器結(jié)構(gòu),運(yùn)用此結(jié)構(gòu)可將共模電感,差模電感,共模電容集成為一個(gè)元件;相比傳統(tǒng)EMI濾波器,集成的EMI濾波器實(shí)現(xiàn)了電容等效串聯(lián)電感的最小化。給出了相關(guān)參數(shù)的計(jì)算,仿真集成EMI濾波器和傳統(tǒng)EMI濾波器的共模插入損耗。最后制作了實(shí)驗(yàn)樣機(jī)并得出了實(shí)驗(yàn)結(jié)果,驗(yàn)證了所提結(jié)構(gòu)的正確性與可行性。

零中頻DVB-H調(diào)諧器中信道選擇濾波器的設(shè)計(jì)

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介紹了零中頻結(jié)構(gòu)DVB-H調(diào)諧器中信道選擇濾波器及其自動(dòng)頻率校準(zhǔn)電路的設(shè)計(jì)。該濾波器采用7階切比雪夫(Chebyshev)I型低通結(jié)構(gòu),截止頻率3/3.5/4 MHz可編程;在偏離截止頻率1.25/4 MHz的頻點(diǎn)上,分別實(shí)現(xiàn)24/56 dB衰減。為了補(bǔ)償RC常數(shù)漂移,設(shè)計(jì)了一個(gè)基于逐漸近似(SAR)算法的自動(dòng)頻率校準(zhǔn)電路,在N比特精度下,僅需要N個(gè)時(shí)鐘周期就能完成校準(zhǔn)。相比傳統(tǒng)技術(shù),明顯提高了校準(zhǔn)速度?；赥SMC 90 nm數(shù)字CMOS工藝,在1.2 V電源電壓下進(jìn)行了仿真實(shí)驗(yàn)。結(jié)果表明,濾波器的輸入等效噪聲為48 nV/Hz,三階交調(diào)點(diǎn)(IIP3)達(dá)到26 dBm,頻率校準(zhǔn)精度在2.5%以內(nèi),功耗為16 mW。

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