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本文采用SMIC0.18um CMOS射頻工藝設(shè)計了基于噪聲抵消技術(shù)的低噪聲放大器(LNA),并通過仿真驗證。仿真結(jié)果顯示,該低噪聲放大器具有良好的噪聲性能特性,噪聲最低小于1.5d B在寬頻帶內(nèi)整體噪聲小于5d B,以及良好的S參數(shù),S21最高增益大于20d B,S11和S22都小于-10d B,適合通信技術(shù)要求。
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