Si2和SEMI宣布聯(lián)手改良集成電路可制造性設(shè)計

以synopsys推出的tcad軟件tsuprem-ⅳ和medici為藍(lán)本,結(jié)合100nm柵長pmosfet的可制造性聯(lián)機(jī)仿真與優(yōu)化實例,闡述了超大規(guī)模集成電路dfm階段所進(jìn)行的工藝級、器件物理特性級優(yōu)化及工藝參數(shù)的提取。

集成電路（ｉｃ）可制造性工程與設(shè)計是近年來發(fā)展很快的研究領(lǐng)域，它集ｉｃ設(shè)計、制造、封裝和測試過程為一體，在統(tǒng)一框架（即產(chǎn)品制造成本和成品率驅(qū)動）下，對產(chǎn)品進(jìn)行規(guī)劃和設(shè)計。應(yīng)用該技術(shù)可以大大縮短ｉｃ產(chǎn)品研制周期、降低制造成本、提高成品率和可靠性，本文將綜述該領(lǐng)域的研究進(jìn)展，并闡述進(jìn)一步的研究方向。

本文介紹了集成電路可測性設(shè)計項目中針對cadence網(wǎng)表文件進(jìn)行解析,提取待測元件之間管腳連線的方法和過程。首先分析網(wǎng)表文件結(jié)構(gòu),接著詳細(xì)說明如何過濾網(wǎng)表文件中的無用信息,析取出與待測元件相關(guān)的網(wǎng)絡(luò)節(jié)點定義,最后再從析取出的網(wǎng)絡(luò)節(jié)點定義中提取待測元件的引腳連線信息并按照指定的文件格式輸出。

跟隨當(dāng)前集成電路技術(shù)的發(fā)展,在微電子專業(yè)開設(shè)課程《集成電路測試與可測性設(shè)計》,完善了學(xué)生的專業(yè)知識結(jié)構(gòu)。

根據(jù)彈性分組環(huán)專用集成電路的具體情況,提出了相應(yīng)的可測性設(shè)計(designfortest-ability,dft)方案,綜合運用了三種dft技術(shù):掃描鏈、邊界掃描測試和存儲器內(nèi)建自測試。介紹了三種技術(shù)的選取理由和原理,對其具體實現(xiàn)過程和結(jié)果進(jìn)行了詳細(xì)分析。dft電路的實現(xiàn)大大降低了專用集成電路的測試難度,提高了故障覆蓋率。

集成電路工藝發(fā)展到深亞微米階段,器件的物理尺寸日益減小,芯片的可靠性設(shè)計面臨的問題越來越復(fù)雜.為縮短研制周期,節(jié)約成本,應(yīng)在電路設(shè)計時就考慮可靠性問題.esd是cmos電路中最為常見的失效機(jī)理之一,嚴(yán)重的會造成電路自我燒毀.概述了集成電路的可靠性設(shè)計,介紹了cmos集成電路esd保護(hù)的必要性,分析了esd的失效機(jī)理,研究了在cmos電路中幾類常見的esd保護(hù)方法,分析了各種保護(hù)方式的原理和特點.

隨著集成電路規(guī)模的不斷增大,芯片的可測性設(shè)計正變得越來越重要。研究了目前較常用的邊界掃描測試技術(shù)的原理、結(jié)構(gòu),并給出了邊界掃描技術(shù)的應(yīng)用。重點研究了基于邊界掃描的外測試方式,即電路板上芯片間連線的固定故障、開路和短路故障的測試;利用硬件描述語言verilog設(shè)計出tap控制器,得到tap狀態(tài)機(jī)的仿真結(jié)果。

asic集成電路設(shè)計開發(fā)中的隱含邏輯瑕疵與電路故障是芯片實現(xiàn)的最大困境,針對不同特性的電路提出了內(nèi)部邏輯掃描、存儲器內(nèi)建自測試、邊界掃描鏈插入以及atpg自動測試向量生成的解決方案與技術(shù)方法,實現(xiàn)了soc設(shè)計開發(fā)中邏輯與成片電路的主動偵測與跟蹤尋徑,經(jīng)實踐證明這些方法大大提高了復(fù)雜soc研制的成功率。

集成電路可布性評估在集成電路物理設(shè)計中針對布局結(jié)果進(jìn)行有效的評估,作為對布局的反饋信息,并指導(dǎo)后續(xù)布線階段的工作,避免了當(dāng)后續(xù)布線無法完成時再回到前面布局階段進(jìn)行重新布局的被動局面,減少了物理設(shè)計的迭代周期.提出一種快速可布性評估算法,采用新的基于概率模型的估計算法,利用邊界框進(jìn)行擁擠度的預(yù)估,并在概率指導(dǎo)下進(jìn)行實際布線.文中算法可以在很短的運行時間內(nèi)對擁擠情況進(jìn)行較為準(zhǔn)確、客觀的分析,線長較短.

集成電路論文第1頁 智能配電網(wǎng)中電力變壓器的應(yīng)用研究 摘要 為應(yīng)對電力系統(tǒng)在新世紀(jì)面臨的分布式電源并網(wǎng)、電網(wǎng)利用系數(shù)低，高可靠性，高 電能質(zhì)量要求以及數(shù)字化技術(shù)應(yīng)用等諸多挑戰(zhàn)，智能電網(wǎng)成為未來電網(wǎng)的主要發(fā)展方向。 智能電網(wǎng)的建設(shè)離不開高級電力電子裝置，因此電力電子變壓器的研究對于建設(shè)綠色電 網(wǎng)，智能電網(wǎng)具有重要的意義。論文首先對智能電網(wǎng)的概念及功能特點進(jìn)行了介紹，其 次，論文分析了電力電子變壓器的基本原理和拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，最后，論文就ac／ac和ac ／dc/ac這兩種典型的電力電子變壓器在智能配電網(wǎng)上的應(yīng)用進(jìn)行了研究。首先提出 了應(yīng)用在配電網(wǎng)的基于ac／ac型電力電子變壓器的自動電壓穩(wěn)壓器。其次，論文分析 了應(yīng)用在智能配電網(wǎng)中的基于ac／dc／ac型電力電子變壓器的電能質(zhì)量控制方案，構(gòu) 建了系統(tǒng)的數(shù)學(xué)模型，詳細(xì)分析了電力電子變壓器輸入級、中間隔離級和輸出級的控制 策略。

第一章 集成電路的測試 1.集成電路測試的定義 集成電路測試是對集成電路或模塊進(jìn)行檢測，通過測量對于集成電路的輸出回應(yīng)和預(yù)期 輸出比較，以確定或評估集成電路元器件功能和性能的過程，是驗證設(shè)計、監(jiān)控生產(chǎn)、保證 質(zhì)量、分析失效以及指導(dǎo)應(yīng)用的重要手段。 .2.集成電路測試的基本原理 輸入x輸出回應(yīng)y 被測電路dut（deviceundertest）可作為一個已知功能的實體，測試依據(jù)原始輸入x 和網(wǎng)絡(luò)功能集f（x），確定原始輸出回應(yīng)y，并分析y是否表達(dá)了電路網(wǎng)絡(luò)的實際輸出。因 此，測試的基本任務(wù)是生成測試輸入，而測試系統(tǒng)的基本任務(wù)則是將測試輸人應(yīng)用于被測器 件，并分析其輸出的正確性。測試過程中，測試系統(tǒng)首先生成輸入定時波形信號施加到被測 器件的原始輸入管腳，第二步是從被測器件的原始輸出管腳采樣輸出回應(yīng)，最后經(jīng)過分析處 理得到測試結(jié)果。 3.集成電路故障與測

盡信書不如無書-------#16---504 1、封裝工藝屬于集成電路制造工藝的（）工序。 2、按照器件與電路板連接方式，封裝可分為引腳插入型（pth）和（）兩大類。 3、芯片封裝所使用的材料有許多，其中金屬主要為（）材料。 4、（）技術(shù)的出現(xiàn)解決了芯片小而封裝大的矛盾。 5、在芯片貼裝工藝中要求：已切割下來的芯片要貼裝到引腳架的中間焊盤上，焊盤的尺寸 要與芯片的大小要（）。 6、在倒裝焊接后的芯片下填充，由于毛細(xì)管虹吸作用，填料被吸入并向芯片基板的中心流 動，一個12.7mm見方的芯片，（）分鐘可完全充滿縫隙，用料大約0.031ml。 7、用溶劑來去飛邊毛刺通常只適用于（）的毛刺。 8、如果厚膜漿料的有效物質(zhì)是一種絕緣材料，則燒結(jié)后的膜是一種介電體，通?？捎糜谥?作（）。 9、能級之間電位差越大，噪聲越（）。 10、薄膜電路的頂層材料一般是（）。

從電路設(shè)計到芯片完成離不開集成電路的制備工藝，本章主要介紹硅襯底上的 cmos集成電路制造的工藝過程。有些cmos集成電路涉及到高壓mos器件 （例如平板顯示驅(qū)動芯片、智能功率cmos集成電路等），因此高低壓電路的兼 容性就顯得十分重要，在本章最后將重點說明高低壓兼 容的cmos工藝流程。 1.1基本的制備工藝過程 cmos集成電路的制備工藝是一個非常復(fù)雜而又精密的過程，它由若干單項 制備工藝組合而成。下面將分別簡要介紹這些單項制備工藝。 1.1.1襯底材料的制備 任何集成電路的制造都離不開襯底材料——單晶硅。制備單晶硅有兩種方法： 懸浮區(qū)熔法和直拉法，這兩種方法制成的單晶硅具有不同的性質(zhì)和不同的集成電路 用途。 1懸浮區(qū)熔法 懸浮區(qū)熔法是在20世紀(jì)50年代提出并很快被應(yīng)用到晶體制備技術(shù)中。在懸浮 區(qū)熔法中，使圓柱形硅棒固定于垂直方向，用高頻感應(yīng)線圈在氬氣氣

http://www.***.*** 報告用途：發(fā)改委立項、政府申請資金、政府申請土地、銀行貸款、境內(nèi)外融資等1 集成電路項目 可行性研究報告 編制單位：北京智博睿信息咨詢有限公司 http://www.***.*** 報告用途：發(fā)改委立項、政府申請資金、政府申請土地、銀行貸款、境內(nèi)外融資等2 本報告是針對行業(yè)投資可行性研究咨詢服務(wù)的專項研究報告，此 報告為個性化定制服務(wù)報告，我們將根據(jù)不同類型及不同行業(yè)的項目 提出的具體要求，修訂報告目錄，并在此目錄的基礎(chǔ)上重新完善行業(yè) 數(shù)據(jù)及分析內(nèi)容，為企業(yè)項目立項、上馬、融資提供全程指引服務(wù)。 可行性研究報告是在制定某一建設(shè)或科研項目之前，對該項目 實施的可能性、有效性、技術(shù)方案及技術(shù)政策進(jìn)行具體、深入、細(xì)致 的技術(shù)論證和經(jīng)濟(jì)評價，以求確定一個在技術(shù)上合理、經(jīng)濟(jì)上合算的 最優(yōu)方案和最佳時機(jī)而寫的書面報

第十屆中國科協(xié)年會將于2008年9月17日-19日在鄭州舉行。中國電子學(xué)會承擔(dān)中國科協(xié)年會\"集成電路設(shè)計與制造技術(shù)研討會\"的工作。現(xiàn)在重點圍繞\"集成電路設(shè)計與制造技術(shù)\"等

第十屆中國科協(xié)年會將于2008年9月17日-19日在鄭州舉行。中國電子學(xué)會承擔(dān)中國科協(xié)年會\"集成電路設(shè)計與制造技術(shù)研討會\"的工作?，F(xiàn)在重點圍繞\"集成電路設(shè)計與制造技術(shù)\"等

集成電路產(chǎn)業(yè)“十二五”發(fā)展規(guī)劃 i 目錄 前言................................................................................................................................1 一、“十一五”回顧....................................................................................................1 （一）產(chǎn)業(yè)規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大.....................................................................................2 （二）創(chuàng)新能力顯著提升..................

雙極型集成電路

時基集成電路的種類和特性及應(yīng)用技巧

討論了3種常用的cmos集成電路電源和地之間的esd保護(hù)電路,分別介紹了它們的電路結(jié)構(gòu)以及設(shè)計考慮,并用hspice對其中利用晶體管延時的電源和地的保護(hù)電路在esd脈沖和正常工作兩種情況下的工作進(jìn)行了模擬驗證。結(jié)論證明:在esd脈沖下,該保護(hù)電路的導(dǎo)通時間為380ns;在正常工作時,該保護(hù)電路不會導(dǎo)通,因此這種利用晶體管延時的保護(hù)電路完全可以作為cmos集成電路電源和地之間的esd保護(hù)電路。

隨著電子產(chǎn)品技術(shù)含量的不斷升級,對于厚膜混合集成電路的制造工藝提出了更高的要求,從而產(chǎn)生了孔金屬化的制造工藝。文章主要闡述了孔金屬化的原理和制造工藝,并結(jié)合多年的生產(chǎn)經(jīng)驗,對影響孔金屬化制造的因素進(jìn)行探討和總結(jié)。

集成電路基礎(chǔ)知識 集成電路基礎(chǔ)知識 自本世紀(jì)初，真空電子管發(fā)明后，至今電子器件至今已經(jīng)歷了五代的 發(fā)展過程。集成電路(ic)的誕生，使電子技術(shù)出現(xiàn)了劃時代的革命， 它是現(xiàn)代電子技術(shù)和計算機(jī)發(fā)展的基礎(chǔ)，也是微電子技術(shù)發(fā)展的標(biāo) 志。 集成電路規(guī)模的劃分，目前在國際上尚無嚴(yán)格。確切的定義。在 發(fā)展過程中，人們逐漸形成一種似乎比較一致的劃分意見，按芯片上 所含邏輯門電路或晶體管的個數(shù)作為劃分標(biāo)志。一般人們將單塊芯片 上包含100個元件或10個邏輯門以下的集成電路稱為小規(guī)模集成電 路；而將元件數(shù)在100個以上。1000個以下，或邏輯門在10個以上。 100個以下的稱為中規(guī)模集成電路；門數(shù)有100─100000個元件的稱 大規(guī)模集成電路(lsi),門數(shù)超過5000個，或元件數(shù)高于10萬個的則 稱超大規(guī)模集成電路(vlsi)。電路集成化的最初設(shè)想是在晶體管興起 不久的1