硅光電池測(cè)量硅單晶半導(dǎo)體材料的禁帶寬度

半導(dǎo)體材料7半導(dǎo)體照明工程材料

半導(dǎo)體(電子)及太陽能電池材料的多晶硅 一、概要 1、從鍺到硅 鍺：融點(diǎn)960℃用石英或炭的容器來熔化。 硅：融點(diǎn)1420℃炭和石英反應(yīng)生成。（沸點(diǎn)：2355℃） 最初半導(dǎo)體的產(chǎn)生從生產(chǎn)使用方便的鍺材料開始的，隨著技術(shù)進(jìn)步，開始使用了特別顯 著性質(zhì)的硅（從1965年的硅的生產(chǎn)量超過了鍺的生產(chǎn)量），用于太陽能電池就從這時(shí)開始的。 2、硅的特性 半導(dǎo)體：導(dǎo)體、絕緣物的中間導(dǎo)電物。 導(dǎo)電：有p型與n型。根據(jù)溫度有所變化，p型n型的結(jié)合。（p型：空穴；n型：電 子） 常溫下，本征半導(dǎo)體硅的電導(dǎo)率是230000ω·cm，1100℃時(shí)為0.01ω·cm.純度為9個(gè)9 時(shí)為100ω·cm，10個(gè)9時(shí)為1000ω·cm。所含雜質(zhì)越多，導(dǎo)電性越好。 3、高純度多晶硅的技術(shù)變化 進(jìn)入1950年開始工業(yè)性生產(chǎn)（美國du-pont）日本是從進(jìn)入1960年代

設(shè)計(jì)的機(jī)械傳動(dòng)裝置,通過外在的信號(hào)檢測(cè)與光電轉(zhuǎn)換電路控制,在電機(jī)的正反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)下,帶動(dòng)太陽能硅光電池板實(shí)現(xiàn)俯仰和周轉(zhuǎn)兩個(gè)方向的太陽跟蹤運(yùn)動(dòng),確保太陽能集光板自始至終與太陽光線呈90°的最大集能角度,從而收到最好的集能效果。

廈門大學(xué)采用氧化鋅和硒化鋅兩種寬帶隙半導(dǎo)體材料，成功研制出一種新型太陽能電池，大大穩(wěn)定了太陽能電池的性能并延長(zhǎng)了其使用壽命，在國際上首次實(shí)現(xiàn)了寬帶隙半導(dǎo)體在太陽能電池中的應(yīng)用。

　第30卷第3期硅酸鹽學(xué)報(bào)vol.30,no.3 　2002年6月journalofthechineseceramicsocietyjune,2002 綜合評(píng)述　　　寬帶隙半導(dǎo)體材料sic研究進(jìn)展及其應(yīng)用 王玉霞,何海平,湯洪高 (中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)材料科學(xué)與工程系,合肥　230026) 摘　要:sic是第3代寬帶隙半導(dǎo)體的核心材料之一,具有極為優(yōu)良的物理化學(xué)性能,應(yīng)用前景十分廣闊.本文綜合介紹sic的基本特性,材 料的生長(zhǎng)技術(shù)(包括體單晶生長(zhǎng)和薄膜外延生長(zhǎng)技術(shù)),sic基器件的研發(fā)現(xiàn)狀,應(yīng)用領(lǐng)域及發(fā)展前景.同時(shí)還介紹了作者用脈沖激光淀積法 在si襯底上制備出單晶4h-sic薄膜的研究結(jié)果. 關(guān)鍵詞:碳化硅;體單晶生長(zhǎng);薄膜;器件 中圖分類號(hào):tn

單晶硅硅太陽能電池(課堂PPT)

單晶硅硅太陽能電池

第三代半導(dǎo)體材料的發(fā)展及應(yīng)用

1 單晶硅、多晶硅、非晶硅太陽能電池的區(qū)別 太陽能電池最早問世的是單晶硅太陽能電池。硅是地球上極豐富的一種元素，幾乎遍地都有硅的 存在，可說是取之不盡，用硅來制造太陽能電池，原料可謂不缺。但是提煉它卻不容易，所以人 們?cè)谏a(chǎn)單晶硅太陽能電池的同時(shí)，又研究了多晶硅太陽能電池和非晶硅太陽能電池，至今商業(yè) 規(guī)模生產(chǎn)的太陽能電池，還沒有跳出硅的系列。其實(shí)可供制造太陽能電池的半導(dǎo)體材料很多，隨 著材料工業(yè)的發(fā)展、太陽能電池的品種將越來越多。目前已進(jìn)行研究和試制的太陽能電池，除硅 系列外，還有硫化鎘、砷化鎵、銅銦硒等許多類型的太陽能電池，舉不勝舉，以下介紹幾種較常 見的太陽能電池。 單晶硅太陽能電池 單晶硅太陽能電池是當(dāng)前開發(fā)得最快的一種太陽能電池，它的構(gòu)成和生產(chǎn)工藝已定型，產(chǎn)品已廣 泛用于宇宙空間和地面設(shè)施。這種太陽能電池以高純的單晶硅棒為原料，純度要求99.999％。 為了降低生產(chǎn)成本

單晶硅太陽能電池的研究講解

用分子束外延設(shè)備在c面藍(lán)寶石襯底上生長(zhǎng)得到高質(zhì)量mgxzn1-xo薄膜。x射線衍射顯示,當(dāng)mg摩爾分?jǐn)?shù)在0~32.7%范圍內(nèi)時(shí),薄膜保持六方結(jié)構(gòu),(002)衍射峰半高寬為0.08°~0.12°,薄膜結(jié)晶質(zhì)量與現(xiàn)有報(bào)道的最高水平相當(dāng)。隨著薄膜中mg含量的增加,紫外發(fā)光峰由378nm藍(lán)移至303nm。對(duì)mg0.108zn0.892o薄膜變溫光致發(fā)光光譜的研究發(fā)現(xiàn),束縛激子發(fā)光隨溫度變化存在兩個(gè)不同的猝滅過程。對(duì)不同mg含量薄膜共振拉曼光譜的研究發(fā)現(xiàn),a1(lo)聲子模頻移與mg含量在一定范圍內(nèi)呈線性關(guān)系,這為確定mgxzn1-xo薄膜中的mg含量提供了一種簡(jiǎn)單高效的方法。通過拉曼光譜與x射線衍射對(duì)比研究發(fā)現(xiàn),拉曼光譜在確定mgzno材料相變時(shí)具有更高的靈敏度。最后,研究了mg0.057zn0.943o薄膜的變溫共振拉曼光譜,對(duì)a1(lo)和a1(2lo)聲子模隨溫度而變化的現(xiàn)象給出了一定的理論解釋。

第三代半導(dǎo)體材料在led產(chǎn)業(yè)中的發(fā)展和應(yīng)用3 雷　通,王小平,王麗軍,張　雷,呂承瑞,王隆洋 (上海理工大學(xué)理學(xué)院,上海200093) 摘要　　led產(chǎn)業(yè)目前發(fā)展非常迅速,led白光照明和全色顯示的前景被普遍看好。寬禁帶半導(dǎo)體在led產(chǎn) 業(yè)中的應(yīng)用是推動(dòng)led產(chǎn)業(yè)向前發(fā)展的一個(gè)重要?jiǎng)恿?并已成為很多國家研究和開發(fā)的熱點(diǎn)。目前寬禁帶半導(dǎo)體 在led產(chǎn)業(yè)中發(fā)展很快,其應(yīng)用越來越廣泛,相關(guān)技術(shù)也日漸成熟。綜述了幾種具有代表性的第三代半導(dǎo)體材料在 led產(chǎn)業(yè)中的發(fā)展和應(yīng)用以及各自面臨的問題。 關(guān)鍵詞　　寬禁帶半導(dǎo)體材料　sic　gan　zno　金剛石　發(fā)光二極管 中圖分類號(hào):tn312.8;tn304 developmentandapplicationofthe3rd2generation2se

利用光譜下轉(zhuǎn)換效應(yīng)來改善太陽能電池的短波長(zhǎng)光譜響應(yīng)被認(rèn)為是一種可行的方法.文章采用摻有稀土元素鈰(ce)的釔鋁石榴石(yag∶ce)熒光粉作為光譜下轉(zhuǎn)換材料,將該熒光粉引入到單晶硅太陽能電池的玻璃板與聚乙烯-聚醋酸乙烯酯共聚物(eva)膠膜之間,來改善單晶硅太陽能電池的短波長(zhǎng)光譜響應(yīng).測(cè)試結(jié)果表明,在波長(zhǎng)小于480nm的范圍內(nèi),含有yag∶ce熒光粉的單晶硅太陽能電池的外量子效率高于不含yag∶ce熒光粉的單晶硅太陽能電池,從而改善了單晶硅太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率.

用硅晶體管芯替代光敏電阻和光電池周天翔（浙江長(zhǎng)興縣教學(xué)儀器站３１３１００）３ｄｄ１５一類硅大功率晶體管芯受到光照后，它的ｂｅ結(jié)相當(dāng)于一片小型的硅光電池，它的ｅｃ極之間，相當(dāng)于一只性能很好的光敏電阻（圖１）．圖１管腳排列圖用萬用表ｒ×１０ｋ檔，黑表筆（...

太陽能光伏發(fā)電之單晶硅、多晶硅、非晶硅電池的區(qū)別 光伏發(fā)電主要是靠電池來吸引太陽能轉(zhuǎn)化為電能，在安裝光伏電站前，還需要對(duì)電池有個(gè)明 確的了解，這樣才能更好地選擇光伏產(chǎn)品。目前市面上的太陽能電池主要有單晶硅、多晶硅 與非晶硅電池，今天就來告訴大家三種電池各有什么特征和優(yōu)缺點(diǎn)！ 1、外觀上的區(qū)別 從外觀上面看的話，單晶硅電池的四個(gè)角呈現(xiàn)圓弧狀，表面沒有花紋；而多晶硅電池的四個(gè) 角呈現(xiàn)方角，表面有類似冰花一樣的花紋；而非晶硅電池也就是我們平時(shí)說的薄膜組件，它 不像晶硅電池可以看出來柵線，表面就如同鏡子一般清晰、光滑。 ▲單晶硅電池 ▲多晶硅電池 ▲薄膜組件 2、使用上面的區(qū)別 對(duì)于使用者來說，單晶硅電池和多晶硅電池沒有太大的區(qū)別，它們的壽命和穩(wěn)定性都很好。 雖然單晶硅電池平均轉(zhuǎn)換效率要比多晶硅高1％左右，但由于單晶硅電池只能做成準(zhǔn)正方形 （四邊都是圓弧狀），因此當(dāng)組成太

用硅晶體管芯替代光敏電阻和光電池周天翔（浙江長(zhǎng)興縣教學(xué)儀器站３１３１００）３ｄｄ１５一類硅大功率晶體管芯受到光照后，它的ｂｅ結(jié)相當(dāng)于一片小型的硅光電池，它的ｅｃ極之間，相當(dāng)于一只性能很好的光敏電阻（圖１）．圖１管腳排列圖用萬用表ｒ×１０ｋ檔，黑表筆（...

單晶硅硅太陽能電池PPT課件

單晶硅太陽能電池與多晶硅太陽能電池區(qū)別和共同點(diǎn) 單晶硅和多晶硅的區(qū)別是，當(dāng)熔融的單質(zhì)硅凝固時(shí),硅原子以金剛石晶格排列成 許多晶核，如果這些晶核長(zhǎng)成晶面取向相同的晶粒，則形成單晶硅。如果這些晶 核長(zhǎng)成晶面取向不同的晶粒，則形成多晶硅。多晶硅與單晶硅的差異主要表現(xiàn)在 物理性質(zhì)方面。例如在力學(xué)性質(zhì)、電學(xué)性質(zhì)等方面，多晶硅均不如單晶硅。多晶 硅可作為拉制單晶硅的原料。單晶硅可算得上是世界上最純凈的物質(zhì)了，一般的 半導(dǎo)體器件要求硅的純度六個(gè)9以上。大規(guī)模集成電路的要求更高，硅的純度必 須達(dá)到九個(gè)9。目前，人們已經(jīng)能制造出純度為十二個(gè)9的單晶硅。單晶硅是電 子計(jì)算機(jī)、自動(dòng)控制系統(tǒng)等現(xiàn)代科學(xué)技術(shù)中不可缺少的基本材料。 多晶硅是制造單晶硅的原料。 單晶硅太陽能電池轉(zhuǎn)化的效率更高些！ 單晶硅與多晶硅的區(qū)別在于它們的原子結(jié)構(gòu)排列單晶是有序排列多晶是 無序排列主要是有它們的

no.typevivofrepackageioηmax ocp otp sp 技術(shù)誤 差 同類pin對(duì)pin產(chǎn)品型 號(hào) 適用產(chǎn)品范圍備注 1td14103.6~201.222~18380khzsop-82a95%y≤3％ mps1410/9141/act4060/a tc4012/fsp3126/za3020 等 便攜式dvd、lcd顯示驅(qū)動(dòng)板。液晶顯示器、液晶電視、數(shù)碼相 框.電信adsl.車載dvd/vcd/cd.gps。安防等 td1410采用cmos工藝/6寸晶圓。是一款高效率低損耗,工作穩(wěn)定,性價(jià)比 很高使用面廣的dc/dc電源管理芯片。 3td15341~200.8~18380khzsop82a95%y≤2％mp1513td1513 路由器，便攜式dvd、機(jī)頂盒、平板電腦、筆記本電腦、lcd顯示 驅(qū)動(dòng)板.液晶

介紹了單晶硅、hit太陽能電池組件的特點(diǎn),采用pvsyst軟件對(duì)兩種太陽能電池組件并網(wǎng)光伏發(fā)電系統(tǒng)的年發(fā)電量進(jìn)行模擬,分析比較了兩種組件的比功率發(fā)電量和損失系數(shù)。結(jié)果表明,hit太陽能電池組件的比功率發(fā)電量大于單晶硅的比功率發(fā)電量,hit太陽能電池組件的各項(xiàng)損失系數(shù)小于單晶硅的各項(xiàng)損失系數(shù)。

zno半導(dǎo)體納米材料的研究 目錄 abstract：..........................................................3 keywords：..........................................................3 引言................................................................3 一、zno納米材料的概況.............................................4 1.1zno晶體結(jié)構(gòu).................................................4 1.2zno納米的結(jié)構(gòu)........................

關(guān)于太陽能蓄電池用半導(dǎo)體的生產(chǎn)的優(yōu)化和質(zhì)量檢驗(yàn)問題