新型MOSFET滿足高速開(kāi)關(guān)等三大關(guān)鍵性能

應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(onsemiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):onnn)推出帶開(kāi)關(guān)控制器的電流鏡cat2300,將這器件與安森美半導(dǎo)體的ntmfs4833ns或ntmfs4854nssensefet功率mosfet器件結(jié)合使用,能提供緊湊、高能效的電流監(jiān)控方案。這些新器件的組合提供系統(tǒng)級(jí)電源管理,用于便攜計(jì)算機(jī)及網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等應(yīng)用。

飛兆半導(dǎo)體公司擴(kuò)展powertrenchmosfet系列，這些產(chǎn)品屬于中等電壓mosfet產(chǎn)品系列成員，是結(jié)合低柵極電荷、低反向恢復(fù)電荷和軟反向恢復(fù)體二極管的優(yōu)化功率開(kāi)關(guān)產(chǎn)品，可以實(shí)現(xiàn)快速開(kāi)關(guān)。這些器件備有40v、60v和80v額定電壓型款，

vishay宣布發(fā)布其新型p通道trenchfet第三代技術(shù)的首款器件——si7137dp,該20vp通道m(xù)osfet采用so-8封裝,具備業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻。

東芝公司推出一種新的小型低斷面gaasmesfet、單刀雙擲開(kāi)關(guān)。這種小型開(kāi)關(guān)非常適用于多波段/多模蜂窩天線開(kāi)關(guān)組件、藍(lán)牙組件和無(wú)線局域網(wǎng)。上述gaasmesfetmmic1ghz下插損0.35db(2ghz下0.40db),1ghz和2ghz下隔離24db。其功率性能優(yōu)良,25ghz下1db壓縮功率(p1db)為17dbm,對(duì)于極小型低斷面封裝而言,上述功率性能是非常之好了。這種tg2217ctb型單刀雙擲開(kāi)關(guān)采用甚小低斷面無(wú)引線6針芯片級(jí)封

vishay宣布發(fā)布其新型p通道trenchfet第三代技術(shù)的首款器件——si7137dp，該20vp通道m(xù)osfet采用so-8封裝，具備業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻。

由于銅絲鍵合可以替代金鍵合,價(jià)格又便宜,正在被越來(lái)越多地應(yīng)用到微電子元器件當(dāng)中。目前的情況表明銅是可行的替代品,但是證明其可靠性還需要采用針對(duì)銅絲鍵合工藝的新型失效分析(fa)技術(shù)。在本文中,我們將討論一些專門(mén)為使用銅絲技術(shù)的元器件而開(kāi)發(fā)的新型失效分析技術(shù)和工序。我們會(huì)將解釋為什么銅絲的處理方式和金絲不一樣,并且以功率mosfet器件為例,循序漸進(jìn)地了解失效分析的過(guò)程,保存對(duì)失效器件進(jìn)行有效分析所需要的所有證據(jù)。

介紹了三種大容量高速開(kāi)關(guān),一是爆炸式可恢復(fù)大容量高速開(kāi)關(guān)柜,二是快速渦流驅(qū)動(dòng)開(kāi)關(guān),三是快速永磁斷路器。比較了各開(kāi)關(guān)的技術(shù)性能與特點(diǎn)。

電源系統(tǒng)開(kāi)關(guān)控制器的mosfet選擇 dc/dc開(kāi)關(guān)控制器的mosfet選擇是一個(gè)復(fù)雜的過(guò)程。僅僅考慮mosfet的額定電壓 和電流并不足以選擇到合適的mosfet。要想讓mosfet維持在規(guī)定范圍以內(nèi)，必須在低 柵極電荷和低導(dǎo)通電阻之間取得平衡。在多負(fù)載電源系統(tǒng)中，這種情況會(huì)變得更加復(fù)雜。如 德州儀器(ti)的webench?電源設(shè)計(jì)師等在線設(shè)計(jì)工具可以簡(jiǎn)化這一過(guò)程，讓用戶能夠根 據(jù)效率、體積和成本做出正確的選擇，從而達(dá)到理想的mosfet控制器設(shè)計(jì)目標(biāo)。 圖1—降壓同步開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器原理圖 dc/dc開(kāi)關(guān)電源因其高效率而廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代許多電子系統(tǒng)中。例如，同時(shí)擁有一個(gè) 高側(cè)fet和低側(cè)fet的降壓同步開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器，如圖1所示。這兩個(gè)fet會(huì)根據(jù)控制器設(shè) 置的占空比進(jìn)行開(kāi)關(guān)操作，旨在達(dá)到理想的輸出電壓。降壓穩(wěn)壓器的占空比方程式如下：

hsv高速開(kāi)關(guān)閥 1 貴州紅林車用電控技術(shù)有限公司 hsv系列開(kāi)關(guān)式高速電磁閥 hsv系列開(kāi)關(guān)式高速電磁閥系列產(chǎn)品是我公司與美國(guó)bkm公司聯(lián)合研制、生 產(chǎn)的快速響應(yīng)開(kāi)關(guān)式數(shù)字閥，是一種用于機(jī)電液一體化中電子與液壓機(jī)構(gòu)間理想的 接口元件。該系列產(chǎn)品結(jié)構(gòu)緊湊、體積小、重量輕、響應(yīng)快速、動(dòng)作準(zhǔn)確、重復(fù)性 好、抗污染能力強(qiáng)、內(nèi)泄漏小、可靠性高。最顯著的特點(diǎn)是該產(chǎn)品能夠直接接受數(shù) 字信號(hào)對(duì)流體系統(tǒng)的壓力或流量進(jìn)行pwm控制，該特點(diǎn)為數(shù)字控制進(jìn)入液壓氣動(dòng) 領(lǐng)域提供了有效手段。1992年該產(chǎn)品被評(píng)為國(guó)家級(jí)重點(diǎn)新產(chǎn)品并獲得貴州省科學(xué)技 術(shù)進(jìn)步二等獎(jiǎng)。 hsv高速電磁閥系列產(chǎn)品具有兩通常開(kāi)、兩通常閉、三通常開(kāi)、三通常閉四個(gè) 系列近200個(gè)品種；材料有碳鋼、不銹鋼兩種類別；工作方式可采用連續(xù)加載、脈 沖寬幅調(diào)制、頻率調(diào)制或脈寬——頻率混合調(diào)制。 hsv高速電磁閥系列產(chǎn)品的上述特點(diǎn)使該電

1高速開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)閥專利介紹回顧電動(dòng)機(jī)調(diào)速的發(fā)展歷程,在經(jīng)過(guò)高能耗的變阻調(diào)速等之后,由于高速電子開(kāi)關(guān)—大功率開(kāi)關(guān)管的發(fā)明和電力電子理論的發(fā)展,開(kāi)創(chuàng)了電動(dòng)機(jī)數(shù)字調(diào)速的嶄新技術(shù)—變頻調(diào)速,目前變頻調(diào)速已成為電動(dòng)機(jī)調(diào)速的主流技術(shù)。液壓調(diào)速則一直沿著模擬控制的路徑發(fā)展,從高能耗的伺服閥到比例閥的閥控節(jié)流調(diào)速,到相對(duì)高效的變量泵變量馬達(dá)的容積調(diào)速,包括負(fù)載敏感控制的變量調(diào)速技術(shù),依舊沒(méi)有脫離模擬閥

文章介紹了一種新型的液壓高速開(kāi)關(guān)閥,它采用了超磁致伸縮驅(qū)動(dòng)器和錐體式閥芯結(jié)構(gòu)。該閥具有很高的切換速度和頻率,可以用來(lái)作為大流量高速開(kāi)關(guān)閥的先導(dǎo)控制閥,也可以在小流量回路中直接作為控制閥使用。

針對(duì)目前電液高速開(kāi)關(guān)閥脈寬調(diào)制頻率不高,新型電-機(jī)械轉(zhuǎn)換裝置效率較低的現(xiàn)狀,研制了一種基于超磁致伸縮材料驅(qū)動(dòng)的新型電液高速開(kāi)關(guān)閥。介紹了其組成和工作原理,并研究了該閥的靜、動(dòng)態(tài)特性。實(shí)驗(yàn)研究表明,采用超磁致伸縮材料作為新型閥的電-機(jī)械轉(zhuǎn)換裝置,不僅可以獲得較大的閥芯位移,而且使閥的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)化,易于控制,可獲得很高的脈寬調(diào)制頻率和能量轉(zhuǎn)換效率。

通過(guò)對(duì)硅膜中最低電位點(diǎn)電位的修正,得到復(fù)合型柵氧化層薄膜雙柵mosfet亞閾值電流模型以及閾值電壓模型。利用medici軟件,針對(duì)薄膜雙柵mosfet,對(duì)四種復(fù)合型柵氧化層結(jié)構(gòu)didgmosfet(dualinsulatordoublegatemosfet)進(jìn)行了仿真。通過(guò)仿真可知:在復(fù)合型結(jié)構(gòu)中,隨著介電常數(shù)差值的增大,薄膜雙柵器件的短溝道效應(yīng)和熱載流子效應(yīng)得到更有效的抑制,同時(shí)擊穿特性也得到改善。此外在亞閾值區(qū)中,亞閾值斜率也可以通過(guò)柵氧化層設(shè)計(jì)進(jìn)行優(yōu)化,復(fù)合型結(jié)構(gòu)器件的亞閾值斜率更小,性能更優(yōu)越。

意法半導(dǎo)體(st)推出一款用usb及高側(cè)負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)用的低壓p溝道m(xù)osfet電源開(kāi)關(guān)st890。其工作電壓范圍在2.7到5.5v之間,內(nèi)置具有過(guò)載保護(hù)功能的可編程限流電路,以及限制功耗和結(jié)溫的熱負(fù)載保護(hù)電路。應(yīng)用于pcmcia和其它接入總線的插槽內(nèi),比如,在便攜設(shè)備中,在不斷電的情況下自由插拔的插接卡的卡槽。最大電流為1.2

針對(duì)適用于鋰電池保護(hù)電路特點(diǎn)要求的共漏極功率mosfet的封裝結(jié)構(gòu)進(jìn)行了研發(fā)和展望。從傳統(tǒng)的tssop-8發(fā)展到替代改進(jìn)型sot-26,一直到芯片級(jí)尺寸的微型封裝外形,其封裝效率越來(lái)越高,接近100%。同時(shí),在微互連和封裝結(jié)構(gòu)的改進(jìn)方面,逐漸向短引線或焊球無(wú)引線、平坦式引腳、超薄型封裝和漏極焊盤(pán)散熱片暴露的方向發(fā)展,增強(qiáng)了封裝的電性能和熱性能。

應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體（onsemiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：onnn）推出帶開(kāi)關(guān)控制器的電流鏡cat2300，將這器件與安森美半導(dǎo)體的ntmfs4833ns或ntmfs4854nssensefet功率mosfet器件結(jié)合使用，

安森美半導(dǎo)體推出帶開(kāi)關(guān)控制器的電流鏡cat2300,將這器件與安森美半導(dǎo)體的ntmfs4833ns或ntmfs4854nssensefet功率mosfet器件結(jié)合使用,能提供緊湊、高能效的電流監(jiān)控方案。這些新器件的組合提供系統(tǒng)級(jí)電源管理,用于便攜計(jì)算機(jī)及網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等應(yīng)用。精確控制及匹配sensefet的sense輸出與cat2300的kelvin電壓引腳,確保sensefet完整工作范圍內(nèi)的精確電流監(jiān)

高速凝固粉末冶金鋁-鐵耐熱合金是隨著高溫合金的研發(fā)而形成的一類新型合金。其中,al-fe-ce合金的抗腐蝕能力在降低工作成本方面很有潛力,而al-fe-v-si系合金具有室溫和高溫下強(qiáng)度高、熱穩(wěn)定性好、抗蠕變能力強(qiáng)、剛度大和強(qiáng)化相粗化率小等特點(diǎn),在航空航天工業(yè)與汽車工業(yè)有著廣闊的應(yīng)用前景。

對(duì)基于超磁致伸縮驅(qū)動(dòng)器的高速液壓開(kāi)關(guān)閥進(jìn)行了初步的研究，設(shè)計(jì)了單和雙聯(lián)錐體式閥芯的高速開(kāi)關(guān)閥結(jié)構(gòu)，還對(duì)這種閥的主要性能參數(shù)做了簡(jiǎn)要分析。

MCI/FET復(fù)合開(kāi)關(guān)—小硅片具有高性能

本文研究了開(kāi)關(guān)電源中mosfet漏源極電壓電磁干擾的頻譜特性,通過(guò)提取mosfet漏源極時(shí)域電壓信號(hào)的特征參數(shù),對(duì)其波形進(jìn)行了仿真,分析了該信號(hào)電磁干擾的頻譜特點(diǎn),并分別研究了信號(hào)中各參數(shù)對(duì)頻譜的影響,matlab仿真表明,該研究結(jié)果對(duì)解決電磁干擾問(wèn)題具有很好的參考和利用價(jià)值。

集成低電流IC和P溝道MOSFET的電源開(kāi)關(guān)芯片