氧化鋁陶瓷膜分離高濁度水試驗(yàn)

氧化鋁陶瓷及相關(guān)陶瓷

氧化鋁陶瓷的低溫?zé)Y(jié)技術(shù) 氧化鋁陶瓷是一種以ａｌ２ｏ３為主要原料，以剛玉（α—ａｌ ２ｏ３）為主晶相的陶瓷材料。因其具有機(jī)械強(qiáng)度高、硬度大、高頻 介電損耗小、高溫絕緣電阻高、耐化學(xué)腐蝕性和導(dǎo)熱性良好等優(yōu)良綜 合技術(shù)性能，以及原料來源廣、價(jià)格相對(duì)便宜、加工制造技術(shù)較為成 熟等優(yōu)勢(shì)，氧化鋁陶瓷已被廣泛應(yīng)用于電子、電器、機(jī)械、化工、紡 織、汽車、冶金和航空航天等行業(yè)，成為目前世界上用量最大的氧化 物陶瓷材料。然而，由于氧化鋁熔點(diǎn)高達(dá)２０５０℃，導(dǎo)致氧化鋁陶 瓷的燒結(jié)溫度普遍較高（參見表一中標(biāo)準(zhǔn)燒結(jié)溫度），從而使得氧化 鋁陶瓷的制造需要使用高溫發(fā)熱體或高質(zhì)量的燃料以及高級(jí)耐火材 料作窯爐和窯具，這在一定程度上限制了它的生產(chǎn)和更廣泛的應(yīng)用。 因此，降低氧化鋁陶瓷的燒結(jié)溫度，降低能耗，縮短燒成周期，減少 窯爐和窯具損耗，從而降低生產(chǎn)成本，一直是企業(yè)所關(guān)心和急需解決 的重要課題。 目前，對(duì)氧化鋁

本文主要介紹了流延法生產(chǎn)氧化鋁陶瓷基板的工藝。研究了原料粒度分布對(duì)基板微觀結(jié)構(gòu)的影響,用流延法制備了96％氧化鋁陶瓷基板,并對(duì)基板表面被釉,試驗(yàn)了基板的性能,研究了基板生產(chǎn)過程中一些關(guān)鍵的因素。

氧化鋁陶瓷及相關(guān)陶瓷PPT課件

低溫?zé)Y(jié)氧化鋁陶瓷

隨著大功率模塊與電力電子器件的發(fā)展,陶瓷表面金屬化已得到廣泛應(yīng)用。直接敷鋁技術(shù)是基于氧化鋁陶瓷基板發(fā)展起來的一種陶瓷表面金屬化技術(shù)。在介紹直接敷鋁基板的制備方法和性能特點(diǎn)的基礎(chǔ)上,重點(diǎn)討論影響al-al2o3潤濕性能的因素以及這些因素對(duì)氧化鋁陶瓷基板敷鋁過程的影響,同時(shí)展望了dab基板在功率電子系統(tǒng)、汽車工業(yè)等方面的應(yīng)用前景。

氧化鋁陶瓷制作工藝簡(jiǎn)介 氧化鋁陶瓷目前分為高純型與普通型兩種。高純型氧化鋁陶瓷系ａｌ２ｏ３ 含量在９９．９％以上的陶瓷材料，由于其燒結(jié)溫度高達(dá)１６５０—１９９０℃， 透射波長為１～６μｍ，一般制成熔融玻璃以取代鉑坩堝：利用其透光性及可耐 堿金屬腐蝕性用作鈉燈管；在電子工業(yè)中可用作集成電路基板與高頻絕緣材料。 普通型氧化鋁陶瓷系按ａｌ２ｏ３含量不同分為９９瓷、９５瓷、９０瓷、８５ 瓷等品種，有時(shí)ａｌ２ｏ３含量在８０％或７５％者也劃為普通氧化鋁陶瓷系 列。其中９９氧化鋁瓷材料用于制作高溫坩堝、耐火爐管及特殊耐磨材料，如陶 瓷軸承、陶瓷密封件及水閥片等；９５氧化鋁瓷主要用作耐腐蝕、耐磨部件；８ ５瓷中由于常摻入部分滑石，提高了電性能與機(jī)械強(qiáng)度，可與鉬、鈮、鉭等金屬 封接，有的用作電真空裝置器件。其制作工藝如下： 一粉體制備： 將入廠的氧化鋁粉按照不同的產(chǎn)品要求與不同成型工藝制

淺析氧化鋁陶瓷制作工藝

采用固態(tài)粒子燒結(jié)法制備氧化鋁管式陶瓷膜中的過渡層,以正交實(shí)驗(yàn)法系統(tǒng)研究過渡層配方的三種原料:三氧化二鋁(al2o3),聚乙烯醇(pva),燒結(jié)助劑二氧化鋯(zro2)各自質(zhì)量分?jǐn)?shù)以及涂膜次數(shù)對(duì)氧化鋁陶瓷膜過渡層料液通量的影響。最終得出最佳工藝配方組合:ω(al2o3)=23%,ω(zro2)=12%,ω(pva)=4%,涂膜2次。并結(jié)合壓汞法得出的孔徑分布圖和孔隙率推論:膜層孔徑分布越窄,孔隙率越大,則膜通量越大。

1 氧化鋁陶瓷片的散熱原理是什么 氧化鋁陶瓷片制品是目前應(yīng)用較廣泛的一種新型精密陶瓷、電子工業(yè)陶瓷 片、功能陶瓷產(chǎn)品。由于氧化鋁陶瓷片原料昂貴和形成工藝的特殊性，目前氧化 鋁陶瓷片主要用于高技術(shù)，如冶金、化工、電子、國防、航天及核技術(shù)等高科技 領(lǐng)域。 氧化鋁陶瓷片屬于特種陶瓷，具有高強(qiáng)度、高硬度、抗磨損、耐腐蝕、耐高 溫、絕緣等優(yōu)異特性，備受多種行業(yè)關(guān)注，在集成電路芯片和航空光元器件等方 面擁有其他導(dǎo)熱絕緣材料無法比擬的優(yōu)勢(shì)。 目前，市場(chǎng)對(duì)氧化鋁陶瓷散熱片的需求日益增大，在暖氣片散熱原理大受追 捧的同時(shí)，也催生了散熱片原理公司的快速發(fā)展。散熱片的原理等一系列相關(guān)經(jīng) 營的公司應(yīng)運(yùn)而生，并得到了迅猛的發(fā)展。 接下來就讓小編帶你來看看導(dǎo)熱絕緣材料的相關(guān)情況吧~帶你了解導(dǎo)熱絕緣 材料~ 氧化鋁陶瓷在整個(gè)陶瓷行業(yè)中的應(yīng)用較為廣泛，在性能上也屬于非常優(yōu)越。 其導(dǎo)熱、絕緣、散熱已是基本

氧化鋁陶瓷及其金屬化技術(shù)

以商業(yè)α-al_2o_3粉體為原料,mgo為燒結(jié)助劑,采用放電等離子燒結(jié)技術(shù)(sps)制備亞微米晶氧化鋁陶瓷.系統(tǒng)研究了燒結(jié)溫度、燒結(jié)助劑含量對(duì)亞微米晶氧化鋁陶瓷的致密化過程及顯微結(jié)構(gòu)的影響.分析結(jié)果表明,1250℃以及0.05wt%分別是最佳的燒結(jié)溫度和燒結(jié)助劑含量;在此條件下獲得的亞微米晶氧化鋁陶瓷,其相對(duì)密度達(dá)到99.8%td(theoreticaldensity),平均晶粒尺寸約0.68μm,顯微硬度(hv5)達(dá)到20.75gpa,在3～5μm中紅外范圍內(nèi)直線透過率超過83%.當(dāng)mgo摻雜量超過0.1wt%時(shí),第二相mgal_2o_4形成,引起光散射,降低紅外透過率.

廣州昂泰電子有限公司 __________________________________ 氧化鋁陶瓷片性能參數(shù)表 項(xiàng)目單位氧化鋁96%a12o3 密度g/cm333.92 吸水率%0 熱膨脹系數(shù)10-6/k8.5 楊氏彈性模量gpa340 泊松比/0.22 硬度（hv）mpa1650 彎曲強(qiáng)度（室溫）mpa310 彎曲強(qiáng)度（700°c）mpa230 抗壓強(qiáng)度（室溫）mpa2200 斷裂韌性mpa'm??4.2 導(dǎo)熱率（室溫）w/m.k25 絕緣強(qiáng)度kv/mm10 熱敏抗阻k/w0.3 長期工作溫度（℃）1480 比電阻率ω?mm2/m＞1016 最高使用溫度（無載荷）°c1750 耐酸堿腐蝕性能/強(qiáng) 耐火度°c2000

采用正交試驗(yàn)法對(duì)黑色氧化鋁陶瓷實(shí)驗(yàn)配方進(jìn)行優(yōu)化;采用一次、二次合成法分別制備了黑色氧化鋁陶瓷;對(duì)黑色氧化鋁陶瓷進(jìn)行了xrd物相分析、燒結(jié)體斷面sem分析,測(cè)試了燒結(jié)體的體積密度、體積電阻率、介電常數(shù)和介電損耗。結(jié)果表明,黑色氧化鋁陶瓷最佳配方為:al2o391wt.%、滑石2.0wt.%、fe2o33wt.%、coo0.5wt.%、nio1wt.%、mno22.5wt.%;一次、二次合成法制備的黑色氧化鋁陶瓷的體積密度分別為3.71g/cm3、3.69g/cm3,體積電阻率分別為6.8×1012ω·cm、7.1×1012ω·cm,介電常數(shù)分別為18.6、18.8,介電損耗分別為0.015、0.014。

陶瓷金鹵燈發(fā)展的關(guān)鍵——多晶氧化鋁陶瓷泡殼(下)

本文簡(jiǎn)述了陶瓷金鹵燈的特征特性,分析了燈對(duì)陶瓷材料的要求,對(duì)比了某些陶瓷材料的結(jié)構(gòu)成分及對(duì)陶瓷燈的影響,對(duì)國產(chǎn)陶瓷材料及泡殼進(jìn)行了分析研究并給出了部分分析結(jié)果。

從基材性能告訴你氮化鋁和氧化鋁陶瓷基 板工藝有什么不同 氮化鋁陶瓷基板和氧化鋁陶瓷基板都同屬于陶瓷基板，他們的制作工藝大致是一樣 的，都有都才可以采用薄膜工藝和厚膜工藝，dbc工藝、htcc工藝和ltcc工藝，那 么不同的什么呢？ 氮化鋁和氧化鋁陶瓷基板工藝的不同主要是因?yàn)榛牡男阅芎徒Y(jié)構(gòu)決定了，他們 燒結(jié)溫度的不同。 氮化鋁陶瓷基板的結(jié)構(gòu)和性能原理： 1、氮化鋁陶瓷(aluminiumnitrideceramic)是以氮化鋁(ain)為主晶相的陶瓷。 2、ain晶體以〔ain4〕四面體為結(jié)構(gòu)單元共價(jià)鍵化合物，具有纖鋅礦型結(jié)構(gòu)，屬 六方晶系。 3、化學(xué)組成ai65.81%，n34.19%，比重3.261g/cm3，白色或灰白色，單晶 無色透明，常壓下的升華分解溫度為2450℃。 4、為一種高溫耐熱材料。熱膨脹系數(shù)(4.0-6.0)x10(-6)

熱噴涂氧化鋁涂層技術(shù)被大量應(yīng)用在紡織機(jī)械行業(yè),而其結(jié)構(gòu)特點(diǎn)決定了這種涂層塑形變形能力差,對(duì)應(yīng)力集中和裂紋敏感。本文通過對(duì)氧化鋁涂層常見失效形式進(jìn)行分析,并提出對(duì)策,以期提高工件使用壽命、減少生產(chǎn)成本。

用超微細(xì)氧化鋁(al2o3),二氧化硅(sio2)粉體及適量的過渡金屬氧化物,用固相反應(yīng)法在1350℃空氣中燒結(jié)得到了致密的黑色al2o3陶瓷.研究了sio2摻雜對(duì)陶瓷顯微結(jié)構(gòu)和電性能的影響.實(shí)驗(yàn)表明:在黑色al2o3陶瓷中,sio2是一種較好的摻雜劑,它不僅可以降低燒結(jié)溫度,使陶瓷晶粒細(xì)小均勻,同時(shí)還可以改善材料的電氣性能,使之滿足用作晶體振蕩器件、光電器件及集成電路器件等的基板及避光封裝外殼的要求.

電真空應(yīng)用中,要求高純氧化鋁與無氧銅的連接接頭具有較高的強(qiáng)度和氣密性。采用ag-cu-ti活性釬料直接釬焊高純氧化鋁陶瓷與無氧銅,研究了釬焊溫度和保溫時(shí)間對(duì)接頭組成、界面反應(yīng)以及接頭抗剪強(qiáng)度的影響,研究了銅基體材料對(duì)釬焊接頭組織和界面反應(yīng)的影響。釬焊溫度850~900℃,保溫時(shí)間20~60min時(shí),接頭抗剪強(qiáng)度接近或達(dá)到90mpa。釬焊工藝參數(shù)偏離上述范圍時(shí),接頭抗剪強(qiáng)度較低。接頭由cu/ag(cu),cu(ag,ti)/cu3ti3o(tio2)/al2o3組成,反應(yīng)層以cu3ti3o為主,個(gè)別工藝條件下有一定量的tio2生成,銅基體視工藝條件的不同對(duì)釬焊接頭組織有一定影響。

按照平面沖擊波設(shè)計(jì)原則,設(shè)計(jì)并完成了氧化鋁陶瓷在一維應(yīng)變條件下沖擊壓縮實(shí)驗(yàn),通過visar測(cè)試得到了樣品自由面質(zhì)點(diǎn)速度歷程。采用理論方法對(duì)陶瓷樣品的沖擊壓力和壓力脈沖作用時(shí)間進(jìn)行了預(yù)估,實(shí)驗(yàn)的沖擊壓力水平為6.87~7.25gpa,應(yīng)變率范圍為0.43×104~2.93×104/s。通過對(duì)實(shí)驗(yàn)結(jié)果的判讀,獲得了材料的hugoniot彈性極限,分析討論了高壓高率狀態(tài)下陶瓷的動(dòng)態(tài)強(qiáng)度和破壞特性。

無機(jī)陶瓷膜分離技術(shù)實(shí)驗(yàn)