葉序結(jié)構(gòu)拋光墊表面的拋光液流場(chǎng)分析

采用失重法與鉛筆硬度計(jì)分析了拋光墊的組分對(duì)其溶脹率及干濕態(tài)硬度的影響,比較了固結(jié)磨料方法與游離磨料方法拋光后硅片的表面粗糙度。結(jié)果表明:拋光墊基體的溶脹率隨基體中聚乙二醇雙丙烯酸酯(pegda)或乙氧基化三羥基丙烷三丙酸酯(eo15-tmapta)含量的增加而提高;基體的干態(tài)硬度隨pegda含量的增加先有所增大,而后減小,隨eo15-tmapta含量的增加而增大;濕態(tài)下鉛筆硬度隨pegda或eo15-tmapta含量的增加而減小;光引發(fā)劑量的增加,有利于增大基體的干濕態(tài)硬度;固結(jié)磨料拋光硅片的去除速率是游離磨料加工的2～3倍,而前者拋光硅片后的表面粗糙度ra為12.2nm,大于后者的4.32nm。

拋光墊表面溝槽是決定拋光墊性能的重要因素之一。介紹了拋光墊表面溝槽的形狀、尺寸和傾斜角度等因素對(duì)拋光過程的影響規(guī)律,認(rèn)為:負(fù)螺旋對(duì)數(shù)型溝槽拋光墊的性能最佳,溝槽的深度和寬度會(huì)影響加工區(qū)域拋光液的平均駐留時(shí)間、混和效率及成分,溝槽的傾斜角度也會(huì)影響拋光效率,-20°傾斜角拋光墊的拋光效率最高。

隨著半導(dǎo)體工業(yè)的飛速發(fā)展,化學(xué)機(jī)械拋光(cmp)漸成為集成電路制造中的一項(xiàng)關(guān)鍵工藝,其中拋光液是化學(xué)機(jī)械拋光過程中重要的消耗品,長期以來國內(nèi)主要硅材料廠及半導(dǎo)體元件廠依賴進(jìn)口產(chǎn)品,不僅價(jià)格昂貴,而且受制于人。中科院上海微系統(tǒng)所

在水體系中采用沉淀法制備了納米ceo2粉體,并用xrd、sem、tem等對(duì)其晶體結(jié)構(gòu)、粒度與形貌等進(jìn)行了表征。將所得粉體配成水基納米ceo2拋光液,研究了其拋光硅片的性能與機(jī)理,并與納米sio2拋光液作對(duì)比。結(jié)果表明,粒度在100nm以下的ceo2對(duì)硅片具有良好的拋光效果,拋光后硅片表面形貌有很大改觀,表面劃痕被拋掉,在面積172μm×128μm的范圍內(nèi)得到了表面粗糙度ra為0.689nm的超光滑表面。

表面磨光和拋光

牙間隙的拋光基托磨光面的拋光

在化學(xué)機(jī)械拋光過程中,溝槽形狀是拋光墊性能的重要影響因素之一,它會(huì)直接影響拋光效果。本文介紹了化學(xué)機(jī)械拋光墊上溝槽的基本形狀及其對(duì)拋光效果的影響,以及不同復(fù)合形狀的拋光墊溝槽及其對(duì)拋光效果的影響,并就研究中現(xiàn)存的主要問題提出展望。

(完整版)表面磨光和拋光

陶瓷拋光磚拋光廢料產(chǎn)出量很大,嚴(yán)重污染周邊環(huán)境,是困擾拋光磚生產(chǎn)的世界性難題。本文通過對(duì)此方面的研究結(jié)果,著重論述了陶瓷拋光磚拋光廢料回收利用的可行性方法。

線切割加工表面的玻璃珠噴丸拋光

森源化工專業(yè)生產(chǎn)不銹鋼電解拋光液不銹鋼鈍化液不銹鋼電解拋光設(shè)備銅材拋光液 森源化工專業(yè)生產(chǎn)不銹鋼電解拋光液不銹鋼鈍化液不銹鋼電解拋光設(shè)備銅材拋光液 不銹鋼電解拋光液操作工藝流程 森源牌環(huán)保不銹鋼電解拋光液已通過sgs認(rèn)證，不含鉻酸，符合環(huán)保要求。適合所有不銹鋼和不銹鐵的拋光，通用性強(qiáng)（不銹鋼材料可拋出鏡面效果）。槽液24小時(shí)連續(xù) 工作可以保用一年以上。成本低，比普通型電解拋光液省一半的用電量。無不良?xì)馕丁?除油脫脂→浸泡洗→電解拋光→浸泡洗→脫膜→浸泡洗→中和→浸泡洗→過純水→烘干包裝 工序說明: 1．清洗除油后漂水。 森源化工專業(yè)生產(chǎn)不銹鋼電解拋光液不銹鋼鈍化液不銹鋼電解拋光設(shè)備銅材拋光液 森源化工專業(yè)生產(chǎn)不銹鋼電解拋光液不銹鋼鈍化液不銹鋼電解拋光設(shè)備銅材拋光液 2．將電解拋光液加熱至55-75度（可用石英棒或鈦制加熱

采用金剛石丸片和固結(jié)磨料拋光墊兩種方式研磨加工硅片,以硅片的材料去除率(mrr)和表面粗糙度(sa)為指標(biāo)對(duì)金剛石丸片和固結(jié)磨料拋光墊的研磨性能進(jìn)行了評(píng)價(jià)。結(jié)果表明:固結(jié)磨料拋光墊研磨硅片的材料去除率高于金剛石丸片;研磨后硅片的表面粗糙度也優(yōu)于金剛石丸片,且表面粗糙度(sa)在中部和邊緣相差不大。最后分析了研磨硅片的產(chǎn)物-磨屑的形狀特征,得出固結(jié)磨料拋光墊研磨硅片時(shí)的塑性去除量遠(yuǎn)高于金剛石丸片。

拋光磚圖案清新自然,表面平整光滑亮麗,易于清理,是各種地面裝飾的首選材料。本文主要針對(duì)拋光磚在生產(chǎn)中易出現(xiàn)的缺陷進(jìn)行了分析,并探討了其解決措施。

本文研制了室溫固化的拋光磚表面防污劑。它具有固化后不收縮、透明度高、耐水擦拭和浸泡的特性,并具有很好的滲透性和附著力。文中還討論了以石油醚為溶劑的鈦酸四異丙酯對(duì)防污劑固化速度的影響以及甲基含氫硅油和鈦酸四異丙酯的含量對(duì)防污性的影響。

研磨與拋光

總結(jié)了最近幾年來國外在超光滑表面拋光技術(shù)方面的新進(jìn)展;介紹各種新超光滑表面加工技術(shù)的工作原理,總結(jié)其主要特征,并提供一些最新的實(shí)驗(yàn)結(jié)果。

文中介紹了藍(lán)寶石基片的主要拋光方法,包括浮法拋光、機(jī)械化學(xué)拋光、化學(xué)機(jī)械拋光和水合拋光等,對(duì)它們的工作原理、特點(diǎn)作了分析和總結(jié)。

隨著半導(dǎo)體工業(yè)的飛速發(fā)展，化學(xué)機(jī)械拋光（cmp）漸成為集成電路制造中的一項(xiàng)關(guān)鍵工藝，其中拋光液是化學(xué)機(jī)械拋光過程中重要的消耗品，長期以來國內(nèi)主要硅材料廠及半導(dǎo)體元件廠依賴進(jìn)口產(chǎn)品，不僅價(jià)格昂貴，而且受制于人。中科院上海微系統(tǒng)所納米技術(shù)研究室cmp小組開展了“納米拋光液產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)”研究，

激光剝離(llo)技術(shù)是研制新型氮化鎵(gan)基諧振腔結(jié)構(gòu)光電子器件的關(guān)鍵技術(shù)。然而llo后的gan表面往往具有較大的粗糙度,而制作諧振腔結(jié)構(gòu)器件需要很高的表面平整度,因此需要對(duì)llo后的gan表面進(jìn)行拋光。分別采用金剛石粉拋光液和膠粒二氧化硅拋光液進(jìn)行機(jī)械拋光和化學(xué)機(jī)械拋光(cmp),并對(duì)比了兩種方法獲得的拋光結(jié)果,研究發(fā)現(xiàn)前者會(huì)在拋光后的gan表面引入劃痕,而采用后者可以得到亞納米級(jí)平整度的表面。進(jìn)一步的實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,膠粒二氧化硅拋光液同樣適用于圖形化襯底外延片激光剝離后的gan表面拋光。

近年來,隨著信息電子技術(shù)、光電技術(shù)及半導(dǎo)體照明技術(shù)的迅速發(fā)展,超光滑平面元器件需求越來越大,這些表面要求達(dá)到亞納米級(jí)表面粗糙度、微米級(jí)面形精度且無表面和亞表面損傷,傳統(tǒng)超精密拋光技術(shù)由于耗時(shí)、成本高、易產(chǎn)生表面損傷,難以滿足大批量生產(chǎn)的要求。磁流變加工被認(rèn)為是一種極具前景的獲取低損傷鏡面的技術(shù)手段,然而,傳統(tǒng)磁流變加工方法拋光點(diǎn)面積小,加工效率低。為解決上述問題,本文在比較分析國內(nèi)外超光滑表面加工技術(shù)的基礎(chǔ)上,提出了一種大拋光模磁流變超光滑平面拋光技

本文利用掃描電鏡發(fā)現(xiàn)大理石拋光表面存在有微米級(jí)的不同于大理石母材的變質(zhì)層。進(jìn)而利用透射電鏡證明:該變質(zhì)層是由非晶和微晶組成的。它的產(chǎn)生有助于提高大理石拋光表面的光澤度。

cn102392250a該發(fā)明公開了一種適用于金屬表面處理的拋光劑。許多金屬零部件都需要一定的光亮度,拋光處理是零部件加工重要的環(huán)節(jié),在拋光處理過程中,常添加拋光劑,以提高工件的光亮度。傳統(tǒng)采用的膏狀拋光劑常有施工不方便,以及對(duì)環(huán)境的污染較為嚴(yán)重等