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更新時間：2024.12.28
電鏡和光鏡的區(qū)別

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方法 優(yōu)點 缺點 適用范圍 SYBR Green I 方 法 適用性廣、靈敏、方便、 便宜 引物要求高，易出現(xiàn)非特異性帶不能 進行多重定量 適合科研中對各種目的基因定量分析， 基因表達(dá)量的研究， 轉(zhuǎn)基因重組動植物研究 TaqMan 方法 特異性高、重復(fù)性好、多 重定量 價格高，只適合特定目標(biāo) 病原體檢測，疾病耐藥基因研究 ,藥物療效考核，遺傳疾病 的診斷 電鏡和光鏡的區(qū)別 電鏡 光鏡 光源 電子束 可見光為光源 透鏡 電磁透鏡 玻璃凸透鏡 成像原理 在電鏡中，作用于被檢樣品的電子束經(jīng)電磁透鏡放大后達(dá)到熒光屏上成像或作用于 感光膠片成像。其電子濃淡的差別產(chǎn)生的機理是， 電子束作用于被檢樣品時，入射 電子與物質(zhì)的原子發(fā)生碰撞產(chǎn)生散射，由于樣品的不同部位對電子有不同的散射 度，故樣品電子像以濃淡呈現(xiàn) 而光鏡中樣品的物像以亮度差呈現(xiàn)，它是由被檢樣品的不同 結(jié)構(gòu)吸引光線多少的不同所造成的。 功能用途

透射電鏡在鋼鐵中的應(yīng)用

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透射電鏡在鋼鐵中的應(yīng)用（部分） 鋼中典型組織的薄膜觀察 1． 珠光體。 2． 上貝氏體。 3． 下貝氏體。 4． 板條馬氏體。 5． 片狀馬氏體。 亞結(jié)構(gòu)的觀察 1． 雙相不銹鋼 雙相不銹鋼經(jīng)固溶處理后為鐵素體，奧氏體兩相，晶體內(nèi)部存在著許多缺陷，如位錯、 層錯等。在這塊樣品上可以看到位錯、層錯、等厚條紋、等傾條紋等許多襯度特征，以及電 子衍射圖樣（單晶、多晶）和菊池線等。分述如下： （1）位錯 晶體中位錯的存在，使局部區(qū)域晶格發(fā) 生崎變。當(dāng)某一組晶面與布拉格條件的偏離 參量為 S。時位錯線引起晶面畸變造成額外 的附加偏差 S′，從而造成其襯度，在明場 象中，位錯象為暗線（圖 5—26）；在暗場象 中，位錯象為亮線。位錯象與其在晶體中的 實際位置有所偏離，而且有一定的寬度，隨 著位錯的性質(zhì)、它在晶體中位置及取向等的 不同，位錯象出現(xiàn)線狀、點狀和鋸齒狀等特 征。 （2）層錯 圖 5-26 材

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