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更新時間：2025.04.12
半導(dǎo)體化合物靶中射程參數(shù)的分子軌道法處理

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本文用分子軌道法處理半導(dǎo)體化合物靶中射程參數(shù)問題,提出了理論模型和計算方法. 處理中發(fā)現(xiàn)Ⅲ-Ⅴ族化合物一般呈正偏離偏差,Ⅱ-Ⅵ族化合物呈負(fù)偏離偏差.且發(fā)現(xiàn)偏離系數(shù)γ只與靶的化學(xué)鍵有關(guān),而在一定的能量范圍內(nèi),與注入能量及離子的關(guān)系不大. 對于呈閃鋅礦和纖鋅礦的半導(dǎo)體化合物,本文用sp~3雜化軌道處理它們的約化重疊積分S_(AB)問題,得出了普適的離子性△與γ系數(shù)關(guān)系,發(fā)現(xiàn)Ⅲ-Ⅴ族化合物的S_(AB)呈正值,而Ⅱ-Ⅵ族化合物的S_(AB)呈負(fù)值,這是引起γ不同的主要原因之一. 文內(nèi)對呈負(fù)偏離的He~+→CdS、CdTe,H~+→CdTe及B~+→CdHgTe系統(tǒng),正偏離的Si~+→GaAs,Li~+→Al_2O_3,Be~+→InP和 N~+→GaP系統(tǒng)的 Se(E)和射程參數(shù) R_p等實測值與計算值作了比較,均得到了滿意結(jié)果.

軌道下山工作面探放水設(shè)計

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黔南州龍里縣永鑫煤礦 一采區(qū)軌道下山掘進工作面 探 放 水 設(shè) 計 2013 年 3月 會審簽字 礦 長： 總工程師： 安全礦長： 生產(chǎn)礦長： 機電礦長： 會審意見 黔 南 州 龍 里 縣 永 鑫 煤 礦 軌道下山掘進工作面探放水設(shè)計 一、 編寫依據(jù) 1. 貴州大學(xué)勘察設(shè)計研究院 2011年 3月編制的《黔南州龍里縣永 鑫煤礦開采方案設(shè)計（變更） 》 2、貴州大學(xué)勘察設(shè)計研究院 2011年 6月編制的《黔南州龍里縣永 鑫煤礦安全專篇（變更） 》 3. 貴州省地礦局一 0 四地質(zhì)大隊 2009 年 12月編制的《貴州省黔 南州龍里縣永鑫煤礦水文地質(zhì)調(diào)查報告》 4. 防治水有關(guān)規(guī)定。 二、 工作面位置及四鄰關(guān)系 工作面位置及井上下關(guān)系，見表 1。 表 1工作面位置及井上下關(guān)系 地面標(biāo)高 1204－1171M 井下標(biāo)高 972.3M 地面相對位置 位于工業(yè)廣場西部 掘進對設(shè)施的影響 無建筑物，

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