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如果將通稱(chēng)高壓的電壓等級(jí)細(xì)分為特高壓、超高壓、高電壓和中壓,則SF6斷路器一統(tǒng)特高壓和超高壓,在高電壓也處于主導(dǎo)地位。真空斷路器已在中壓領(lǐng)域(12~40.5kV)占絕對(duì)優(yōu)勢(shì)。而在高電壓(72~252kV)已嶄露頭角,其發(fā)展前景較好。這里需強(qiáng)調(diào)發(fā)展高電壓真空斷
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以一種高電壓真空斷路器模型為研究對(duì)象,對(duì)影響真空斷路器溫升的散熱表面對(duì)流換熱系數(shù)、動(dòng)靜觸頭接觸點(diǎn)半徑、接觸點(diǎn)位置以及導(dǎo)電桿的半徑4種因素進(jìn)行了仿真研究。研究結(jié)果表明,在考慮散熱表面輻射和不考慮輻射兩種情況下,動(dòng)、靜觸頭接觸處的溫度差別在5%以?xún)?nèi),而考慮散熱表面的輻射后,接線(xiàn)端子的溫度下降了14%。真空斷路器溫升隨著動(dòng)靜觸頭接觸點(diǎn)半徑的增大迅速降低而與接觸點(diǎn)位置無(wú)關(guān),但當(dāng)接觸點(diǎn)半徑增大至2 mm以后,溫升降低趨勢(shì)已不明顯。真空斷路器溫升隨著導(dǎo)電桿半徑的增大而降低,其中觸頭接觸處溫度降低的趨勢(shì)最為顯著,但當(dāng)導(dǎo)電桿半徑增大至25 mm以后,溫升降低趨勢(shì)已不明顯。
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