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更新時間：2025.01.04
IR發(fā)布低溫高速隔離式IGBT模塊

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國際整流器公司推出全新 MTP 隔離式開關(guān)模塊系列,專為大電流工業(yè)電源而設(shè)計,適用于高頻弧焊機(jī)及不間斷電源。它以氮化鋁陶瓷層進(jìn)行絕緣,在結(jié)點與外殼間發(fā)揮更佳導(dǎo)熱性能。該絕緣層的熱傳導(dǎo)性(冷卻能力)比用于同類器件的氧化鋁基板高出7倍之多。新模塊系列的額定電壓為600 V 和1200 V,把高速 IGBT 和優(yōu)化的二極管結(jié)合在同一封裝內(nèi),有助于節(jié)省空間和降低組裝成本,可取代分立式解決方案。在該系列器件中,50MT060ULS 是一款全絕緣低側(cè)斬波模塊,內(nèi)含一個 IR 超快 IGBT 和一個具超軟逆恢復(fù)電流特性的 HEXFRED 二極管;50MTOboWH 是一款全絕緣半橋式模式,雙 IGBT 設(shè)計可有效控制功率耗散和電流分配。此外,IR 還提供兩款1200 V MTP 開關(guān)模塊:全絕緣的20 MT120 UF 全橋式及40 MT120 UH 半橋式模塊。它們可直接連接到大多數(shù)三相系統(tǒng)的直流總線。

大功率IGBT模塊串聯(lián)動態(tài)均壓的研究

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絕緣柵雙極型晶體管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)的串聯(lián)使用是一種較為有效的提高耐壓的方法。作為電感儲能型脈沖功率系統(tǒng)中的主斷路開關(guān),IGBT串聯(lián)組合會在開關(guān)的動作瞬間在各串聯(lián)模塊兩端出現(xiàn)動態(tài)不均壓的現(xiàn)象。工程應(yīng)用中,各串聯(lián)IGBT柵極驅(qū)動信號的不同步是導(dǎo)致動態(tài)不均壓的主要原因。文中分別從負(fù)載側(cè)被動均壓和柵極側(cè)主動均壓對驅(qū)動信號的同步性補(bǔ)償作用進(jìn)行了理論分析和實驗驗證,結(jié)果表明均可以達(dá)到很好的動態(tài)均壓效果。在此基礎(chǔ)上提出利用阻容二極管有源均壓法實現(xiàn)多個IGBT模塊的串聯(lián)應(yīng)用,仿真驗證了該方法在3個IGBT串聯(lián)應(yīng)用中的可行性。對工程實際應(yīng)用具有一定的參考意義。

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