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更新時間:2024.12.28
溝槽型VDMOS源區(qū)的不同制作方法研究

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溝槽VDMOS產(chǎn)品為滿足電性能力要求,源極區(qū)域必須與p型體區(qū)短接,為了達到此目的,傳統(tǒng)的做法是,源極需要進行一次光刻,在p型體區(qū)中做出阻擋源區(qū)注入的膠塊,然后再進行源區(qū)注入。提出幾種其他的制作方式,可以省去源區(qū)光刻,但同樣可以達到原來的目的。諸如,通過刻蝕Si孔將源區(qū)與p型體區(qū)短接;或者利用刻蝕出的溝槽側(cè)壁做屏蔽進行源區(qū)注入;利用凸出溝槽的多晶硅做屏蔽進行源區(qū)注入。這些辦法都可簡化工藝流程,縮短制造周期,節(jié)約制造成本,增強器件可靠性,提高產(chǎn)品的競爭力。

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