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氧化鋅材料是新一代寬禁帶光電子半導體材料,我們通過等離子體分子束外延設備,在a-plane的藍寶石襯底生長了高質量的氧化鋅外延材料.在生長過程中用反射高能電子束衍射儀(RHEED),在位地研究了生長時材料薄膜的表面形貌.通過調節(jié)ZnMgO材料鎂的組份,生長了禁帶寬度可調的寬禁帶材料.用紫外-可見透射光譜研究了ZnO,Zn0.89Mg0.11O和Zn0.80Mg0.20薄膜材料的透射和吸收光譜性質,觀察到Zn0.89Mg0.11O,Zn0.80Mg0.20材料的吸收邊的藍移現(xiàn)象等.以上說明了我們用分子束外延生長設備成功的生長了高質量的氧化鋅和組份漸變的ZnMgO薄膜材料.
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氧化鋅材料是新一代寬禁帶光電子半導體材料,我們通過等離子體分子束外延設備,在a-plane的藍寶石襯底生長了高質量的氧化鋅外延材料.在生長過程中用反射高能電子束衍射儀(RHEED),在位地研究了生長時材料薄膜的表面形貌.通過調節(jié)ZnMgO材料鎂的組份,生長了禁帶寬度可調的寬禁帶材料.用紫外-可見透射光譜研究了ZnO,Zn0.89Mg0.11O和Zn0.80Mg0.20薄膜材料的透射和吸收光譜性質,觀察到Zn0.89Mg0.11O,Zn0.80Mg0.20材料的吸收邊的藍移現(xiàn)象等.以上說明了我們用分子束外延生長設備成功的生長了高質量的氧化鋅和組份漸變的ZnMgO薄膜材料.
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