基于砷化鎵襯底的RF MEMS膜開關(guān)
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射頻微機(jī)械開關(guān)由于其優(yōu)越的高頻特性在微波和毫米波電路中表現(xiàn)出巨大的應(yīng)用前景。但是目前的微機(jī)械開關(guān)都是制作在硅基襯底上的 ,難于與后面的高頻砷化鎵處理電路相集成。本文介紹了基于砷化鎵襯底的RFMEMS膜開關(guān) ,著重介紹了開關(guān)的工作原理、制作過程和測試結(jié)果
薄膜開關(guān)
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1 薄膜開關(guān) 薄膜開關(guān)又稱輕觸式鍵盤,是采用pc,pvc,pet,fpc及雙面膠等軟性材料,運(yùn) 用絲網(wǎng)印刷技術(shù)制作而 成的多平面組合密封的集圖形、按鍵、標(biāo)記符號(hào)顯示、導(dǎo)電及電子開關(guān)功能于 一體的塑膠電子制品。 薄膜開關(guān)的最主要特點(diǎn)在于: 1、小巧輕便:一般的薄膜開關(guān)重量為幾克到幾十克不等,非常便于攜帶和 拆裝; 2、美觀:現(xiàn)代完美的絲印技術(shù),搭配上完美的設(shè)計(jì),可以制作出您所需 要的任何圖案; 3、密封:運(yùn)用特有的技術(shù),可以使薄膜開關(guān)具有防水,防油,防污染,防 靜電干擾等功能; 4、導(dǎo)電性能優(yōu)良:開關(guān)的電路可采用碳漿、銀漿、銅鉑等印刷,導(dǎo)電層可 隨意折疊;且電阻可以控制 在您想需要的任何電阻,并且,采用特有的技術(shù),所制成的薄膜開關(guān)甚至 可以接受十幾萬伏的高壓電擊而 不損傷其功能; 5、成本低:有的薄膜開關(guān)的售價(jià)甚至只有幾
砷化鎵霍爾器件產(chǎn)業(yè)化示范工程通過驗(yàn)收
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據(jù)《科學(xué)時(shí)報(bào)》2009年10月23日報(bào)道,由中國科學(xué)院主持的\"砷化鎵霍爾器件高技術(shù)產(chǎn)業(yè)化示范工程\"項(xiàng)目,近日在北京通過國家發(fā)改委驗(yàn)收。示范工程由北京華源科半光電子科技有限責(zé)任公司和浙江博杰電子有限公司共同承擔(dān),項(xiàng)
薄膜開關(guān)生產(chǎn)作業(yè)標(biāo)準(zhǔn) (2)
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德信誠培訓(xùn)網(wǎng) 更多免費(fèi)資料下載請進(jìn):http://www.***.***好好學(xué)習(xí)社區(qū) 薄膜開關(guān)生產(chǎn)作業(yè)標(biāo)準(zhǔn) 1.目的:依據(jù)市場策略、公司政策、客戶需求等因素,為預(yù)防影響質(zhì)量之變異 點(diǎn)發(fā)生,并加以控制,以降低成本,并維持產(chǎn)品質(zhì)量在一定的水平,特 制定本作業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。 2.適用范圍 2.1.本標(biāo)準(zhǔn)適用在廠內(nèi)生產(chǎn)薄膜開關(guān)的各生產(chǎn)加工過程,即從原料、印刷、斬 型、加工、組裝至成品的整個(gè)制造過程。 2.2.包括:試生產(chǎn)、首件確認(rèn)、生產(chǎn)、ipqc檢驗(yàn)、成品檢驗(yàn)、出貨抽驗(yàn)、包裝、 打單轉(zhuǎn)貨 2.3.不包括:生產(chǎn)排程作業(yè)、質(zhì)量異常處理作業(yè)、成品倉儲(chǔ)作業(yè)、原物料及半 成品倉儲(chǔ)作業(yè) 3.流程圖:
薄膜開關(guān)生產(chǎn)作業(yè)標(biāo)準(zhǔn)
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http://www.***.*** 薄膜開關(guān)生產(chǎn)作業(yè)標(biāo)準(zhǔn) 1.目的:依據(jù)市場策略、公司政策、客戶需求等因素,為預(yù)防影響質(zhì)量之變異點(diǎn)發(fā)生,并加以控 制,以降低成本,并維持產(chǎn)品質(zhì)量在一定的水平,特制定本作業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。 2.適用范圍 2.1.本標(biāo)準(zhǔn)適用在廠內(nèi)生產(chǎn)薄膜開關(guān)的各生產(chǎn)加工過程,即從原料、印刷、成型、加工、組裝至 成品的整個(gè)制造過程。 2.2.包括:試生產(chǎn)、首件確認(rèn)、生產(chǎn)、ipqc檢驗(yàn)、成品檢驗(yàn)、出貨抽驗(yàn)、包裝、打單出貨 2.3.不包括:生產(chǎn)排期作業(yè)、質(zhì)量異常處理作業(yè)、成品倉儲(chǔ)作業(yè)、原物料及半成品倉儲(chǔ)作業(yè) 3.流程圖: 權(quán)責(zé)單位流程說明使用窗體 http://www.***.*** 生產(chǎn)單位 生產(chǎn)單位 質(zhì)量管理課 生產(chǎn)單位 質(zhì)量管理課 成品檢驗(yàn)單 位 成品檢驗(yàn)單 位 成品檢驗(yàn)單 位 成品檢驗(yàn)單 位 1.因生產(chǎn)方式的不同,生產(chǎn)單位 人員依據(jù)各過程的
薄膜開關(guān)的介紹
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薄膜開關(guān)的介紹 發(fā)布日期:2009-08-11瀏覽量:1191【字體:大中小】 薄膜開關(guān)的介紹 一、材料的種類 薄膜開關(guān)、面板的材質(zhì),除要求具有平整性和印刷適應(yīng)性外,更主要的是要具有可撓性和高彈性的特點(diǎn)。 聚氯乙烯pvc\60℃\0.175~0.5/光面常溫下對(duì)酸、堿和鹽類穩(wěn)定。耐磨性好,耐燃自熄,消聲消震,電絕緣性好。熱穩(wěn)定性較差。低廉 普通標(biāo)牌、面板 聚碳酸酯pc\-60~120℃光面透光率高,吸水性低,尺寸穩(wěn)定性好,抗彎、抗拉、抗壓強(qiáng)度十分優(yōu)越,耐熱性耐寒性、電絕緣 性和耐大氣老化性優(yōu)良。耐藥品性較差,耐疲勞性較差,易產(chǎn)生應(yīng)力開裂。一般適用范圍最為廣泛,除可滿足大多數(shù)薄膜開關(guān)面板的要 求外,其中光面pc的高透光率更可滿足帶液晶顯示窗的要求。 砂面聚酯(pet)\-30~120℃\0.1~0.2光面耐藥品性良好,不溶于一般有機(jī)溶劑,不耐堿。具有優(yōu)
什么叫薄膜開關(guān)
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什么叫薄膜開關(guān)? 薄膜開關(guān)又稱輕觸式鍵盤,是采用pc,pvc,pet,fpc及雙面膠等軟性材料,運(yùn)用 絲網(wǎng)印刷技術(shù)制作而 成的多平面組合密封的集圖形、按鍵、標(biāo)記符號(hào)顯示、導(dǎo)電及電子開關(guān)功能于一體的塑膠 電子制品。 薄膜開關(guān)的最主要特點(diǎn)在于: 1、小巧輕便:一般的薄膜開關(guān)重量為幾克到幾十克不等,非常便于攜帶和拆裝; 2、美觀:現(xiàn)代完美的絲印技術(shù),搭配上完美的設(shè)計(jì),可以制作出您所需要的任何圖 案; 3、密封:運(yùn)用特有的技術(shù),可以使薄膜開關(guān)具有防水,防油,防污染,防靜電干擾等 功能; 4、導(dǎo)電性能優(yōu)良:開關(guān)的電路可采用碳漿、銀漿、銅鉑等印刷,導(dǎo)電層可隨意折疊; 且電阻可以控制 在您想需要的任何電阻,并且,采用特有的技術(shù),所制成的薄膜開關(guān)甚至可以接受十 幾萬伏的高壓電擊而 不損傷其功能; 5、成本低:有的薄膜開關(guān)的售價(jià)甚至只有幾分
薄膜開關(guān)工藝流程圖
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線路circuitry面板 深圳市冠利得商標(biāo)印刷有限公司 shenzhencordialitylabelprintingco.,ltd. 薄膜開關(guān)工藝流程圖 membraneswitchestechniqueworkflowchart 材料進(jìn)料檢驗(yàn) 裁切 縮水 印刷 干燥 pqc 組裝間片沖切,放彈片, 沖切 測試 材料進(jìn)料檢驗(yàn) 裁切 縮水 印刷 干燥 pqc 打凸 pqc 成品組裝 成品沖切 打拼裝套 測試 fqc oqc ok ng ng 不良報(bào)廢 ng ok ok 不良報(bào)廢 ng ok 不良報(bào)廢 ng ok 不良報(bào)廢 ng ok 不良報(bào)廢 ng ok 不良報(bào)廢 operation incoming storage 入庫inspection
塑料標(biāo)牌和薄膜開關(guān)
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隨著新材料,新工藝的不斷運(yùn)用,塑料標(biāo)牌表面的精良和色彩艷麗程度亦在不斷提高,已成為綜臺(tái)表面處理,加工成型,網(wǎng)版印刷3大技術(shù)的結(jié)晶,而薄膜開關(guān)大部分都沿用了塑料(片材)標(biāo)牌的加工方法,但由于薄膜開關(guān)屬功能性印刷品,所以在導(dǎo)電銀漿印刷,干燥隔離層的氣通設(shè)計(jì)和加工,主體鍵盤的設(shè)計(jì)與加工工藝方面有著更為嚴(yán)格的工藝規(guī)定和要求。
薄膜開關(guān)工藝流程圖匯總
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深圳市冠利得商標(biāo)印刷有限公司 shenzhencordialitylabelprintingco.,ltd. 薄膜開關(guān)工藝流程圖 membraneswitchestechniqueworkflowchart
薄膜開關(guān)材料說明
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薄膜開關(guān)材料說明 面膜材料:導(dǎo)電銀、導(dǎo)電碳、電路pet;設(shè)備方面:為保證精度,在生產(chǎn)設(shè)備上花費(fèi) 了大量資金,做到確保質(zhì)量優(yōu)、精度高,大幅面出片分辨率為2540dpi照排機(jī),配日產(chǎn)阿 克發(fā)膠片,臺(tái)灣產(chǎn)氣動(dòng)張網(wǎng)機(jī)(保證網(wǎng)目均勻),瑞士300目聚酯絲網(wǎng)(使用瑞士產(chǎn)張力 計(jì)進(jìn)行控制,以保證精度),氣動(dòng)抽真空金屬鹵燈保證曬版質(zhì)量,30kw、25米長紅外線 烘道(溫控均勻,保證絲印面膜、線路、尺寸穩(wěn)定、牢固),5.6km*3uc固化機(jī)(保證 uv絕緣油、
薄膜開關(guān)工藝流程圖
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線路circuitry面板 深圳市冠利得商標(biāo)印刷有限公司 shenzhencordialitylabelprintingco.,ltd. 薄膜開關(guān)工藝流程圖 membraneswitchestechniqueworkflowchart 材料進(jìn)料檢驗(yàn) 裁切 縮水 印刷 干燥 pqc 組裝間片沖切,放彈片, 沖切 測試 材料進(jìn)料檢驗(yàn) 裁切 縮水 印刷 干燥 pqc 打凸 pqc 成品組裝 成品沖切 打拼裝套 測試 fqc oqc 入庫 ok ng ng 不良報(bào)廢 ng ok ok 不良報(bào)廢 ng ok 不良報(bào)廢 ng ok 不良報(bào)廢 ng ok 不良報(bào)廢 ng ok 不良報(bào)廢 operation incoming storage inspection
薄膜開關(guān)的工藝流程
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薄膜開關(guān)的工藝流程 -------------------------------------------------------------------------------- 發(fā)表時(shí)間:2007-05-2901:15閱覽次數(shù):331 作者:membraneswitch參與評(píng)論:0發(fā)送留言 生產(chǎn)工藝: 設(shè)計(jì)印前絲印成型模切檢驗(yàn) 設(shè)計(jì) ★根據(jù)營業(yè)員提供的產(chǎn)品樣式和參數(shù),繪制墨稿,由營業(yè)員 交與客戶審核??蛻粽J(rèn)同后,設(shè)計(jì)師進(jìn)行相關(guān)文件的設(shè)計(jì)并編制各 工序操作工藝及加工要求。 印前 ★印前包括下料、制版和調(diào)墨 ★下料:根據(jù)設(shè)計(jì)室編制的工藝選取相應(yīng)的材料,并按設(shè)計(jì)工藝進(jìn) 行裁切。 ★制版:按設(shè)計(jì)要求制作各印刷步驟的網(wǎng)版。 ★調(diào)墨:根據(jù)顧客要求及設(shè)計(jì)的工藝調(diào)制不同顏色的油墨。 絲印 ★根據(jù)設(shè)計(jì)的工藝、相應(yīng)的操作指導(dǎo)書和企標(biāo)印制面膜、上下線 路層、架
五位RFMEMS開關(guān)延遲線移相器
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文章編號(hào):1005-6122(2011)02-0084-04 五位rfmems開關(guān)延遲線移相器 * 金鈴 (南京電子技術(shù)研究所,南京210013) 摘要:設(shè)計(jì)并研制了一種6~11ghz、超寬帶5位rfmems開關(guān)延遲線移相器,器件實(shí)現(xiàn)了5位延遲:λ、 2λ、4λ、8λ、16λ。該器件采用微帶混合介質(zhì)多層板技術(shù),分4層制作,尺寸為45mm×20mm。整個(gè)器件包括20個(gè)rf mems懸臂梁開關(guān),用60~75v的靜電壓驅(qū)動(dòng)。6~11ghz頻帶內(nèi),對(duì)32個(gè)相移態(tài)的測試結(jié)果表明:一般回波損耗 s11<-10db,各狀態(tài)平均插入損耗為-8~-10db;中心頻率處,器件可實(shí)現(xiàn)的最大延遲位時(shí)延為1680ps,總時(shí)延為 3255ps。 關(guān)鍵詞:開關(guān)延遲線移相器,微機(jī)電系統(tǒng)(mems),懸臂梁開關(guān),微波混合介質(zhì)多層
薄膜開關(guān)面板的圖案設(shè)計(jì)文字說明
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薄膜開關(guān)面板的圖案設(shè)計(jì)文字說明 一、常見鍵體與指示窗的設(shè)計(jì) 鍵體外形與大小的設(shè)計(jì),應(yīng)從整個(gè)面板的大小及按鍵數(shù)量的多少 來考慮。按鍵太小,操作比較費(fèi)力;按鍵太大,則影響美觀,且不宜 按準(zhǔn)有效操作區(qū)域。另外,如果按鍵凸起,應(yīng)選擇帶圓角的矩形、圓 形、橢圓、長圓等外形比較圓滑的形狀;按鍵不凸起時(shí),則可選擇任 意形狀,以略大于后部電路觸點(diǎn)為好。在鍵體上設(shè)置指示窗,一般情 況下,以左上角為好。指示窗的形狀雖可自由設(shè)計(jì),但應(yīng)注意盡量與 鍵體的外形輪廓相適應(yīng),譬如,帶圓角的鍵體,宜采用圓形指示窗, 方角鍵體宜采用方形或長方形指示窗,以增進(jìn)外觀的協(xié)調(diào)。在同一面 板上各單元內(nèi)的指示窗位置及形狀應(yīng)趨于一致。 二、文字和圖案設(shè)計(jì) 文字和圖案是操作功能的媒介,具有直接向操作者提示功能的作 用,或?qū)x器性能作出解說。薄膜開關(guān)的面板,一般沒有外置的元件, 它是以色塊來表示模擬的鍵盤或元件,為此,文字和圖案可
陶瓷襯底上薄膜電池的初步探索
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采用快速熱化學(xué)氣相沉積方法在氧化鋁和氮化鋁陶瓷襯底上制備多晶硅薄膜及太陽電池。多晶硅薄膜的晶粒尺寸在經(jīng)過區(qū)再結(jié)晶后增大且霍爾遷移率提高,但隨后的薄膜生長發(fā)現(xiàn)薄膜出現(xiàn)裂紋,影響了電池的效率,在al_2o_3襯底上得到196mv開路電壓,1.93ma短路電流;在ain襯底上得到310mv開路電壓,5.31ma短路電流。
玻璃襯底和硅襯底沉積TZO透明導(dǎo)電薄膜的對(duì)比研究
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4.5
利用直流磁控濺射法在室溫水冷玻璃襯底和硅片襯底上制備出摻鈦氧化鋅(zno∶ti)透明導(dǎo)電薄膜。sem和xrd研究結(jié)果表明,兩種襯底上的zno∶ti薄膜均為為六角纖鋅礦結(jié)構(gòu)的多晶薄膜,且具有c軸擇優(yōu)取向。討論了襯底對(duì)摻鈦氧化鋅透明導(dǎo)電薄膜光學(xué)、電學(xué)性能的影響。當(dāng)玻璃襯底薄膜厚度為568nm時(shí),薄膜電阻率達(dá)到最小值1.64×10-4ω.cm,硅襯底上薄膜厚度為641nm時(shí)有最小電阻率2.69×10-4ω.cm。兩種襯底所制備薄膜都具有良好的附著性能,玻璃襯底薄膜樣品在波長為500~800nm的可見光中平均透過率都超過了91%,硅襯底上薄膜樣品的折射率約為2.05,zno∶ti薄膜可以用作薄膜太陽電池的透明電極。
V型溝槽Si襯底上SrTiO_3薄膜制備
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4.6
在單晶si(100)襯底以及經(jīng)過改型處理的側(cè)壁為si(110)"v"型溝槽襯底上,分別采用液相沉積(lpd)和射頻磁控濺射法(rfmagnetronsputtering)制備了srtio3(sto)薄膜.通過對(duì)沉積溶液的溫度、襯底的表面處理方法、襯底的放置方式以及熱處理工藝的優(yōu)化,研究了利用lpd法制備具有較為致密均勻的sto薄膜的條件;通過對(duì)濺射功率、濺射氣壓、襯底溫度以及退火溫度等具體參數(shù)的優(yōu)化,研究了利用射頻磁控濺射法在較低的襯底溫度下制備具有一定取向的sto薄膜的條件.結(jié)果表明,射頻磁控濺射法制備的sto薄膜在結(jié)晶狀態(tài)、擇優(yōu)取向和表面形貌優(yōu)于液相沉積.
溝槽襯底砷化鎵-鋁鎵砷雙異質(zhì)結(jié)條形激光器
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4.7
半導(dǎo)體激光器是光纖通信系統(tǒng)最有希望的光源.但是由于橫模不穩(wěn)定引起的l-i(光功率—電源)特性的扭曲,嚴(yán)重地影響了它的應(yīng)用范圍.因此,努力改進(jìn)其性能,特別是控制其橫模得到了廣泛的重視.本文所報(bào)導(dǎo)的溝槽襯底條形激光器工藝簡單,而且在沿結(jié)平面方向因第一外延層n-al_(0.3)ga_(0.7)as厚度變化引起了有效折射率的變化,產(chǎn)生了一定的波導(dǎo)作用,從而穩(wěn)定了橫模.同時(shí)這種激光器的作用區(qū)是圓弧形的,有利于跟光纖的耦合.溝槽襯底條形激光器的橫向電流限制是用溝槽區(qū)外的p-n-p-n結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)的.它的制造工藝主要是采用普通的化學(xué)腐蝕和液相外延.首先在(100)取向的n-gaas襯底上擴(kuò)散zn形成一層厚約2微米的p-gaas,
吸收因子對(duì)砷化鎵高功率高速光導(dǎo)開關(guān)延遲時(shí)間的影響
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本文用由于禁帶變窄引起的吸收邊漂移造成的電子吸收來研究了砷化鎵高功率高速光導(dǎo)開關(guān)的延遲時(shí)間,給出了初始開態(tài)場、照射激光波長和溫度對(duì)延遲時(shí)間的影響的簡單公式.結(jié)果表明開關(guān)的半導(dǎo)體片對(duì)照射激光的吸收因子增大了開關(guān)的延遲時(shí)間,在計(jì)算中應(yīng)該加以考慮.
砷化鎵光導(dǎo)開關(guān)中電流絲的自發(fā)輻射能量分析
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4.4
研究了高增益砷化鎵光導(dǎo)開關(guān)中電流絲的自發(fā)輻射能量。從砷化鎵光導(dǎo)開關(guān)中電流絲的非平衡載流子復(fù)合出發(fā),導(dǎo)出了電流絲的自發(fā)輻射能量公式,建立了電流絲自發(fā)輻射的理論模型。在電流絲達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)的條件下,計(jì)算了電流絲一端的輻射波長為875nm和四個(gè)峰值波長的自發(fā)輻射能量,其中峰值波長890nm的最大光輸出能量與實(shí)驗(yàn)觀察結(jié)果吻合,合理解釋了電流絲的自發(fā)輻射現(xiàn)象,對(duì)應(yīng)用這個(gè)模型計(jì)算其他輻射波長的光輸出能量給予了支持,為進(jìn)一步深入定量分析電流絲輻射的光致電離效應(yīng)奠定了基礎(chǔ)。
太陽能砷化鎵電池與導(dǎo)熱油的光熱轉(zhuǎn)換實(shí)驗(yàn)
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為提高聚光時(shí)太陽能砷化鎵電池的效率,利用導(dǎo)熱油作為換熱介質(zhì),將砷化鎵電池的聚光溫度冷卻,溫度升高后的導(dǎo)熱油把熱量傳給低沸點(diǎn)工質(zhì),促使工質(zhì)汽化并進(jìn)入膨脹機(jī)做功。對(duì)三種不同冷卻方式下砷化鎵電池的效率進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)對(duì)比,結(jié)果表明:以導(dǎo)熱油為介質(zhì)的冷卻方式,與水冷和風(fēng)冷相比,砷化鎵電池的平均溫度分別降低了5.75℃和40.04℃,其平均效率分別提高了1.83%和11.96%。
鋼鐵中痕量砷的測定(苯—碘化砷萃取—砷鉬蘭光度法)
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鋼鐵中痕量砷的測定(苯—碘化砷萃取—砷鉬蘭光度法)
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職位:堤壩工程師
擅長專業(yè):土建 安裝 裝飾 市政 園林